有機(jī)光電探測(cè)器（Organic photodetector,OPD）具有低成本、高效率、材料來(lái)源廣泛、制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)開(kāi)始顯現(xiàn)出光明的前景。但目前受限于活性層中有機(jī)聚合物較低的載流子遷移率（約為2× l0-3 cm2/Vs）,較短的激子擴(kuò)散長(zhǎng)度（～10 nm）,較窄的光譜響應(yīng)及其電荷傳輸所需的薄膜互穿網(wǎng)絡(luò)形貌不夠優(yōu)化等。本文添加新組分一維納米結(jié)構(gòu)的單壁碳納米管（SWCNT）,用以拓寬光譜響應(yīng)或作為有效的激子解離中心和電荷傳導(dǎo)通路。從而實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光區(qū)域的寬光譜良好響應(yīng)。在研究過(guò)程中,本文采用本體異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu),制備了一種三基色寬光譜響應(yīng)的探測(cè)器件,其結(jié)構(gòu)為:ITO/PEDOT:PSS（30 nm）/PBDTTT-F:P3HT:PC61BM:SWCNT/LiF（1 nm）/Al（100 nm）。為了系統(tǒng)地探究SWCNT對(duì)活性層成膜的影響,首先對(duì)活性層為單相PBDTTT-F:SWCNT的器件進(jìn)行光學(xué)和電學(xué)特性的探究。結(jié)果表明隨著SWCNT的摻入,光響應(yīng)度隨之增大,熒光光譜產(chǎn)生猝滅。在偏置電壓為-1 V時(shí),當(dāng)SWCNT摻入比分別為0 wt%,1 wt%,2 wt%,3 wt%,4wt%時(shí),... 

【文章來(lái)源】：西安理工大學(xué)陜西省

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

ITO玻璃腐蝕圖樣Fig.3-4EtchingaftercompletingtheITOglasspattern

圖 3-5 電子天平以及磁力攪拌機(jī)Fig. 3-5 Electronic balance and magnetic stirrer）旋涂工藝使用有機(jī)高分子聚合物制備活性層，可采用旋涂的方式進(jìn)行。首先將備用的刻蝕的另一端用膠帶遮住同樣尺寸 5 mm×20 mm，以作為 AL 陽(yáng)極電極的將基片涂覆有 ITO 的一面向上吸附在旋轉(zhuǎn)盤上，利用針管將 PEDOT:PSS 溶片上，進(jìn)行旋涂（轉(zhuǎn)速 3000 rpm 時(shí)長(zhǎng) 60 s），取出后進(jìn)行 120 ℃退火 15旋涂機(jī)中進(jìn)行有機(jī)活性層的旋涂，為防止旋涂時(shí)薄膜層間的干擾，每次旋涂層薄膜完全干燥。旋涂使用的儀器是中國(guó)科學(xué)院微電子研究所生產(chǎn)的 KW-機(jī)，如圖 3-7 所示。）蒸鍍工藝用真空蒸鍍機(jī)對(duì) LiF 緩沖層以及 AL 電極進(jìn)行高溫蒸鍍時(shí)，將基片涂有活性放置在裝有掩膜板的樣品臺(tái)上，待真空度達(dá)到 10-4Pa 以下時(shí)，使樣品臺(tái)開(kāi)開(kāi)加熱裝置，開(kāi)始蒸鍍 LiF 并且打開(kāi)膜厚監(jiān)測(cè)儀，待顯示膜厚為 2 nm 時(shí)，然后打開(kāi) AL 源進(jìn)行電極的蒸鍍，當(dāng)顯示膜厚為 100 nm 時(shí)，停止蒸鍍，依

圖 3-6 超聲清洗儀Fig. 3-6 Ultrasonic Cleaner在襯底上形成均勻薄膜的儀器。使用時(shí)在勻膠機(jī)操作面板上設(shè)定轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)上。均勻涂覆直至襯底的邊緣，轉(zhuǎn)速不同，是也受限于配置溶液的黏度和濃度[68]涂形成的薄膜會(huì)形成咖啡環(huán)效應(yīng)。勻膠米尺度的均勻薄膜。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]碳納米管在染料敏化太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用[J]. 欒靜繁,張愛(ài)波,趙純穎,孫黎.  粘接. 2011(10)



本文編號(hào)：3004874