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硅基壓控振蕩器的研究與設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2021-01-27 22:13
  科技改變生活,隨著5G時(shí)代的到來,萬物互聯(lián)成為可能。其背后蓬勃發(fā)展的通信系統(tǒng)夯實(shí)了基礎(chǔ),高速率、低延時(shí)、穩(wěn)定可靠的通信收發(fā)機(jī)則有著更為迫切的需求,電路設(shè)計(jì)者也面臨全新的挑戰(zhàn)。壓控振蕩器被視為電子電路的心臟,為系統(tǒng)提供本振或時(shí)鐘信號;硅基工藝由于其廉價(jià)及卓越的數(shù)字兼容能力得到了廣泛應(yīng)用。然而硅基工藝本身噪聲大、無源損耗高的缺陷使得硅基壓控振蕩器的性能受到限制。也正是因?yàn)榇?硅基壓控振蕩器成為了學(xué)術(shù)和工業(yè)界的研究熱點(diǎn)。對硅基壓控振蕩器的研究由來已久,新的結(jié)構(gòu)、新的理論被陸續(xù)提出。本文首先總結(jié)了近幾十年來一些經(jīng)典的振蕩器結(jié)構(gòu)及分析理論,并根據(jù)分析結(jié)論總結(jié)了改善振蕩器相噪的方法。此外,振蕩器設(shè)計(jì)中無源器件的創(chuàng)新也越來越受到重視,許多基于新型電感和變壓器的結(jié)構(gòu)被提出。本文對無源器件進(jìn)行了詳細(xì)的闡述,并對關(guān)鍵的損耗機(jī)制及優(yōu)化方法做了大量仿真驗(yàn)證。隨后本文設(shè)計(jì)了一款7GHz的壓控振蕩器;該振蕩器使用65nm CMOS工藝。為改善相噪性能提出了一種高Q值的F23電感,該電感在與單端電容結(jié)合后,可以實(shí)現(xiàn)二次及三次諧波同時(shí)諧振;諧波的引入使振蕩器對噪聲敏感程度下降,因而可以顯著的改善... 

【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:79 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

硅基壓控振蕩器的研究與設(shè)計(jì)


移動通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)展圖

頻譜,壓控振蕩,頻譜


電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文6帶寬內(nèi)的噪聲功率Pn與載波功率Pc比值并取10倍對數(shù),即有:n10P10logPcf(2-1)相位噪聲是一個(gè)非常重要的參數(shù),通信系統(tǒng)中相位噪聲會影響收發(fā)機(jī)的信噪比,從而影響通信質(zhì)量;而作為數(shù)字系統(tǒng)時(shí)鐘時(shí),相噪會影響眼圖質(zhì)量,會在解調(diào)時(shí)對誤碼率產(chǎn)生影響。圖2-2壓控振蕩器輸出頻譜(3)調(diào)諧范圍(TuningRange):英文簡稱TR;定義為可調(diào)諧頻率最大值fmax和最小值fmin的差值,即TR=fmax-fmin。該參數(shù)反映了壓控振蕩器的頻率覆蓋能力。TR越大,電路的設(shè)計(jì)越復(fù)雜。為了歸一化比較,也會使用相對調(diào)諧帶寬來衡量不同中心頻率的壓控振蕩器頻率覆蓋能力,其定義為TR與中心頻率f0比值的百分?jǐn)?shù):maxmin0()100ffTRf%%(2-2)(4)調(diào)諧靈敏度KVCO:亦稱之為調(diào)諧增益,定義為單位控制電壓加入電路之后信號頻率的變化量,單位為Hz/V或者(rad/s)/V。該參量反映了壓控振蕩器頻率變化的靈敏程度。通常而言,壓控振蕩器的KVCO不是一個(gè)常數(shù)且具有非線性,這通常是我們所不希望看到的。除此之外。為了增大壓控振蕩器的調(diào)諧范圍,KVCO的值一般較大,但是這樣通常會惡化相位噪聲性能并帶來更強(qiáng)的非線性,因此KVCO的值在設(shè)計(jì)時(shí)需要謹(jǐn)慎考慮;其數(shù)學(xué)定義為:VCOKV(2-3)(5)功耗(PDC):壓控振蕩器是一類非線性很強(qiáng)的電路,電路的功耗為穩(wěn)定工作時(shí)消耗的直流電壓與直流電流的乘積。一般而言,相位噪聲與直流功耗正相關(guān),即消耗的直流功耗越大,相噪性能越好,因而設(shè)計(jì)者會提高壓控振蕩器消耗的功耗

系統(tǒng)框圖,負(fù)反饋,系統(tǒng)框圖,電容


電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文8在電路設(shè)計(jì)過程中,考慮到H(s)F(s)=1是一個(gè)周期內(nèi)的平均值,因此在電路起振時(shí),應(yīng)確保H(s)F(s)>1。只有這樣電路在上電之后,最終輸出電壓擺幅才可以從零逐漸增大,并最終達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定的終值。圖2-3基本負(fù)反饋系統(tǒng)框圖2.2.2負(fù)阻振蕩原理反饋振蕩理論是一個(gè)普適的理論,而對于射頻電路里面常用的LC振蕩器采用負(fù)阻理論會使分析更加的直觀簡潔[12]。在介紹負(fù)阻振蕩理論之前,先考察理想的LC網(wǎng)絡(luò)和實(shí)際的LC諧振網(wǎng)絡(luò)分別受到?jīng)_激電流激勵(lì)后的響應(yīng)。如圖2-4(a)所示,在零時(shí)刻與之并聯(lián)的電流源注入一個(gè)幅度為I0的沖激電流,由于流過電感的電流不能發(fā)生突變,沖激電流將完全流過電容C并對其充電,使其兩端的電壓瞬間達(dá)到IoC。隨后電容將放電即幅度逐漸減小,經(jīng)過1/4個(gè)周期之后,電容兩端的電壓為零即存儲的電場能量為零;而電感中通過的電流卻達(dá)到最大,所存儲的磁場能量最多。由于電感的電流不能突變,因此從1/4周期時(shí)刻開始,電感存儲的能量給電容進(jìn)行反方向充電,輸出電壓會從負(fù)值逐漸減小(絕對值增大)。在1/2周期時(shí)刻,電容兩端的電壓差又達(dá)到最大,即此時(shí)電容存儲的電場能量又達(dá)到最多。在下半個(gè)周期內(nèi)電容將反相放電,經(jīng)歷與前半周期相似過程。如此周而復(fù)始,能量在電感和電容之間相互轉(zhuǎn)化,輸出電壓以正弦的形式變化,恒定幅度的振蕩建立起來。振蕩的頻率由電感電容值的大小決定:012fLC(2-8)(a)(b)圖2-4沖激電流激勵(lì)理想LC諧振網(wǎng)絡(luò)。(a)電路原理圖;(b)輸出電壓波形


本文編號:3003826

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