對Angelov直流FET模型進行改進,并應用同一遺傳算法對改進前后的模型進行全局直流模型參數提取,平均相對誤差分別為4.58%和1.8%。將模型計算值與實驗數據進行對比,結果表明,改進后的模型能更加準確地描述AlGaN/GaN HEMT源漏電流隨柵、漏電壓變化的全局直流輸出特性,從而為AlGaN/GaN HEMT提供一種準確的全局直流模型和精確的參數提取方法。 

【文章來源】：微電子學. 2017,47(03)北大核心

【文章頁數】：4 頁

【部分圖文】：

圖１原始Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量輸出特性對比圖

層為２５ｎｍＡｌＧａＮ，Ａｌ組分為３０％，柵長為０．５μｍ，柵寬為１００μｍ，柵源間距為０．７μｍ，柵漏間距為２．８μｍ。采用同一遺傳算法分別對改進前后的Ａｎｇｅｌｏｖ模型進行求解，并將模型計算值與實驗測試值進行對比，實驗數據由Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００－ＳＣＳ測量所得。對比結果如圖１～圖４所示，具體參數提取值如表１、表２所示。圖１原始Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量輸出特性對比圖圖２改進Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量輸出特性對比圖圖３原始Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量轉移特性對比圖圖４改進Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量轉移特性對比圖表１原始Ａｎｇｅｌｏｖ模型的參數提取值參數數值參數數值Ｉｐｋ／Ａ０．０３６８β－０．２８２３γ－０．０３１６Ｖｐｋ０／Ｖ－０．６１８８Ｐ１０．４６８６λ－０．０１１７Ｐ２－０．０１００α０．５０３２Ｐ３９．９１５７－－表２改進Ａｎｇｅｌｏｖ模型參數提取值參數數值參數數值Ｉｐｋ／Ａ０．０３３１λ１／Ｖ１．３２３７γ－０．０１７９λ２／Ｖ－０．９９５４Ｐ１０．９２３４λ３／Ｖ０．０４０７Ｐ２－０．００９５Ｖｐｋ０／Ｖ－０．８１９６Ｐ３－１．０６７９λ５．４８６１β－０．３３３４α０．５４４６為了比較同一種算法對改進前后模型的參數提取結果，定義平均相對誤差函數為：ＲＲＭＥ＝１ＮＭ∑Ｎｉ＝１∑Ｍｊ＝１

柵寬為１００μｍ，柵源間距為０．７μｍ，柵漏間距為２．８μｍ。采用同一遺傳算法分別對改進前后的Ａｎｇｅｌｏｖ模型進行求解，并將模型計算值與實驗測試值進行對比，實驗數據由Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００－ＳＣＳ測量所得。對比結果如圖１～圖４所示，具體參數提取值如表１、表２所示。圖１原始Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量輸出特性對比圖圖２改進Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量輸出特性對比圖圖３原始Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量轉移特性對比圖圖４改進Ａｎｇｅｌｏｖ模型算法計算輸出特性與實驗測量轉移特性對比圖表１原始Ａｎｇｅｌｏｖ模型的參數提取值參數數值參數數值Ｉｐｋ／Ａ０．０３６８β－０．２８２３γ－０．０３１６Ｖｐｋ０／Ｖ－０．６１８８Ｐ１０．４６８６λ－０．０１１７Ｐ２－０．０１００α０．５０３２Ｐ３９．９１５７－－表２改進Ａｎｇｅｌｏｖ模型參數提取值參數數值參數數值Ｉｐｋ／Ａ０．０３３１λ１／Ｖ１．３２３７γ－０．０１７９λ２／Ｖ－０．９９５４Ｐ１０．９２３４λ３／Ｖ０．０４０７Ｐ２－０．００９５Ｖｐｋ０／Ｖ－０．８１９６Ｐ３－１．０６７９λ５．４８６１β－０．３３３４α０．５４４６為了比較同一種算法對改進前后模型的參數提取結果，定義平均相對誤差函數為：ＲＲＭＥ＝１ＮＭ∑Ｎｉ＝１∑Ｍｊ＝１Ｉｄｓｉｊ－ＩｍｅａｉｊＩｄｓｉｊ（７）通過計算，得到原

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3001057