一種改進(jìn)的AlGaN/GaN HEMT全局直流模型
發(fā)布時(shí)間:2021-01-26 11:47
對(duì)Angelov直流FET模型進(jìn)行改進(jìn),并應(yīng)用同一遺傳算法對(duì)改進(jìn)前后的模型進(jìn)行全局直流模型參數(shù)提取,平均相對(duì)誤差分別為4.58%和1.8%。將模型計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果表明,改進(jìn)后的模型能更加準(zhǔn)確地描述AlGaN/GaN HEMT源漏電流隨柵、漏電壓變化的全局直流輸出特性,從而為AlGaN/GaN HEMT提供一種準(zhǔn)確的全局直流模型和精確的參數(shù)提取方法。
【文章來(lái)源】:微電子學(xué). 2017,47(03)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
圖1原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖
層為25nmAlGaN,Al組分為30%,柵長(zhǎng)為0.5μm,柵寬為100μm,柵源間距為0.7μm,柵漏間距為2.8μm。采用同一遺傳算法分別對(duì)改進(jìn)前后的Angelov模型進(jìn)行求解,并將模型計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)測(cè)試值進(jìn)行對(duì)比,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)由Keithley4200-SCS測(cè)量所得。對(duì)比結(jié)果如圖1~圖4所示,具體參數(shù)提取值如表1、表2所示。圖1原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖2改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖3原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖圖4改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖表1原始Angelov模型的參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0368β-0.2823γ-0.0316Vpk0/V-0.6188P10.4686λ-0.0117P2-0.0100α0.5032P39.9157--表2改進(jìn)Angelov模型參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0331λ1/V1.3237γ-0.0179λ2/V-0.9954P10.9234λ3/V0.0407P2-0.0095Vpk0/V-0.8196P3-1.0679λ5.4861β-0.3334α0.5446為了比較同一種算法對(duì)改進(jìn)前后模型的參數(shù)提取結(jié)果,定義平均相對(duì)誤差函數(shù)為:RRME=1NM∑Ni=1∑Mj=1
柵寬為100μm,柵源間距為0.7μm,柵漏間距為2.8μm。采用同一遺傳算法分別對(duì)改進(jìn)前后的Angelov模型進(jìn)行求解,并將模型計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)測(cè)試值進(jìn)行對(duì)比,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)由Keithley4200-SCS測(cè)量所得。對(duì)比結(jié)果如圖1~圖4所示,具體參數(shù)提取值如表1、表2所示。圖1原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖2改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖3原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖圖4改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖表1原始Angelov模型的參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0368β-0.2823γ-0.0316Vpk0/V-0.6188P10.4686λ-0.0117P2-0.0100α0.5032P39.9157--表2改進(jìn)Angelov模型參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0331λ1/V1.3237γ-0.0179λ2/V-0.9954P10.9234λ3/V0.0407P2-0.0095Vpk0/V-0.8196P3-1.0679λ5.4861β-0.3334α0.5446為了比較同一種算法對(duì)改進(jìn)前后模型的參數(shù)提取結(jié)果,定義平均相對(duì)誤差函數(shù)為:RRME=1NM∑Ni=1∑Mj=1Idsij-ImeaijIdsij(7)通過(guò)計(jì)算,得到原
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Progress in bulk GaN growth[J]. 徐科,王建峰,任國(guó)強(qiáng). Chinese Physics B. 2015(06)
[2]一種帶有背電極的高耐壓AlGaN/GaN RESURF HEMT[J]. 趙子奇,杜江鋒,楊謨?nèi)A. 微電子學(xué). 2013(06)
[3]基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究進(jìn)展[J]. 王沖,劉道廣,郝躍,張進(jìn)城. 微電子學(xué). 2005(03)
本文編號(hào):3001057
【文章來(lái)源】:微電子學(xué). 2017,47(03)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
圖1原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖
層為25nmAlGaN,Al組分為30%,柵長(zhǎng)為0.5μm,柵寬為100μm,柵源間距為0.7μm,柵漏間距為2.8μm。采用同一遺傳算法分別對(duì)改進(jìn)前后的Angelov模型進(jìn)行求解,并將模型計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)測(cè)試值進(jìn)行對(duì)比,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)由Keithley4200-SCS測(cè)量所得。對(duì)比結(jié)果如圖1~圖4所示,具體參數(shù)提取值如表1、表2所示。圖1原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖2改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖3原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖圖4改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖表1原始Angelov模型的參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0368β-0.2823γ-0.0316Vpk0/V-0.6188P10.4686λ-0.0117P2-0.0100α0.5032P39.9157--表2改進(jìn)Angelov模型參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0331λ1/V1.3237γ-0.0179λ2/V-0.9954P10.9234λ3/V0.0407P2-0.0095Vpk0/V-0.8196P3-1.0679λ5.4861β-0.3334α0.5446為了比較同一種算法對(duì)改進(jìn)前后模型的參數(shù)提取結(jié)果,定義平均相對(duì)誤差函數(shù)為:RRME=1NM∑Ni=1∑Mj=1
柵寬為100μm,柵源間距為0.7μm,柵漏間距為2.8μm。采用同一遺傳算法分別對(duì)改進(jìn)前后的Angelov模型進(jìn)行求解,并將模型計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)測(cè)試值進(jìn)行對(duì)比,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)由Keithley4200-SCS測(cè)量所得。對(duì)比結(jié)果如圖1~圖4所示,具體參數(shù)提取值如表1、表2所示。圖1原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖2改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量輸出特性對(duì)比圖圖3原始Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖圖4改進(jìn)Angelov模型算法計(jì)算輸出特性與實(shí)驗(yàn)測(cè)量轉(zhuǎn)移特性對(duì)比圖表1原始Angelov模型的參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0368β-0.2823γ-0.0316Vpk0/V-0.6188P10.4686λ-0.0117P2-0.0100α0.5032P39.9157--表2改進(jìn)Angelov模型參數(shù)提取值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值Ipk/A0.0331λ1/V1.3237γ-0.0179λ2/V-0.9954P10.9234λ3/V0.0407P2-0.0095Vpk0/V-0.8196P3-1.0679λ5.4861β-0.3334α0.5446為了比較同一種算法對(duì)改進(jìn)前后模型的參數(shù)提取結(jié)果,定義平均相對(duì)誤差函數(shù)為:RRME=1NM∑Ni=1∑Mj=1Idsij-ImeaijIdsij(7)通過(guò)計(jì)算,得到原
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Progress in bulk GaN growth[J]. 徐科,王建峰,任國(guó)強(qiáng). Chinese Physics B. 2015(06)
[2]一種帶有背電極的高耐壓AlGaN/GaN RESURF HEMT[J]. 趙子奇,杜江鋒,楊謨?nèi)A. 微電子學(xué). 2013(06)
[3]基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究進(jìn)展[J]. 王沖,劉道廣,郝躍,張進(jìn)城. 微電子學(xué). 2005(03)
本文編號(hào):3001057
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3001057.html
最近更新
教材專著