發(fā)布時間：2021-01-25 11:05

　　基于PiN二極管的可重構(gòu)固態(tài)等離子體天線由于其具有隱身性、高速可控性、成本低等特點,是實現(xiàn)天線小型化和提升雷達與微波通信系統(tǒng)性能的有效技術(shù)途徑,具有極強的研究價值。而Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管作為固態(tài)等離子體天線材料與同質(zhì)結(jié)二極管相比,可以有效提高天線性能。其中天線性能主要是由二極管中本征區(qū)載流子濃度以及分布決定,故其為應(yīng)用于固態(tài)等離子體天線中的Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管研究重點。本文在基于橫向PiN二極管的工作機制,闡述了其作為固態(tài)等離子天線的基本單元形成固態(tài)等離子體的機理,分析了固態(tài)等離子體的微波傳輸特性。提出采用Si/Ge/Si異質(zhì)結(jié)橫向表面PiN二極管作為固態(tài)等離子體可重構(gòu)天線基本單元提高固態(tài)等離子體濃度的方法,重點分析了Ge/Si異質(zhì)結(jié)中能帶結(jié)構(gòu)。研究并仿真了Si/Ge/Si異質(zhì)結(jié)橫向表面PiN二極管本征區(qū)長度、厚度、電極長度以及P和N區(qū)的長度與深度等幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)對其本征區(qū)載流子的濃度與分布的影響。仿真結(jié)果表明,本征區(qū)載流子濃度與本征區(qū)長度、電極長度以及P和N區(qū)的長度和深度成反比,隨本征區(qū)厚度的增大先增大后減小。研究了其物理參數(shù)與固態(tài)等離子體的濃度... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
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第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國內(nèi)外研究概況
        1.2.1 國外研究現(xiàn)狀
        1.2.2 國內(nèi)研究現(xiàn)狀
    1.3 論文的主要工作和內(nèi)容安排
第二章 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管工作機制
    2.1 固態(tài)等離子體形成機理
    2.2 Si/Ge/Si異質(zhì)結(jié)材料特性
    2.3 橫向S-PiN二極管工作機制
    2.4 本章小結(jié)
第三章 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管幾何參數(shù)優(yōu)化
    3.1 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管結(jié)構(gòu)
    3.2 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管本征區(qū)載流子濃度理論分析
    3.3 幾何參數(shù)對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.1 GOI層深度對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.2 電極長度對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.3 P區(qū)和N區(qū)尺寸對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.4 i區(qū)長度對固態(tài)等離子體濃度影響
    3.4 本章小結(jié)
第四章 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管物理參數(shù)優(yōu)化
    4.1 PiN二極管物理效應(yīng)對其本征區(qū)載流子濃度影響
        4.1.1 禁帶寬度變窄對本征區(qū)載流子濃度影響
        4.1.2 復(fù)合對本征區(qū)載流子濃度影響
        4.1.3 散射對本征區(qū)載流子濃度及其分布影響
    4.2 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管摻雜對固態(tài)等離子體濃度影響
    4.3 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管偏電對固態(tài)等離子體濃度影響
    4.4 本章小結(jié)
第五章 Si/Ge/Si異質(zhì)S-PiN二極管設(shè)計
    5.1 Si/Ge/Si異質(zhì)S-PiN二極管設(shè)計
    5.2 Si/Ge/Si異質(zhì)橫向S-PiN二極管制備
    5.3 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論
參考文獻
致謝
作者簡介


【參考文獻】：
期刊論文
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[7]等離子體天線研究與發(fā)展概況[J]. 劉志勇.  計算機與網(wǎng)絡(luò). 2008(23)
[8]等離子體折射和吸收隱形的控制[J]. 曾福華,劉正東.  光學(xué)技術(shù). 2006(S1)
[9]等離子體技術(shù)在天線隱身中的應(yīng)用[J]. 陳林松,馬紅星.  雷達科學(xué)與技術(shù). 2005(03)
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博士論文
[1]碰撞等離子體的產(chǎn)生及其性質(zhì)研究[D]. 歐陽亮.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2006
[2]等離子體覆蓋目標(biāo)的電磁特性及其在隱身技術(shù)中的應(yīng)用[D]. 劉少斌.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2004

碩士論文
[1]基于Surface PIN二極管的可重構(gòu)天線技術(shù)研究[D]. 張家樂.華南理工大學(xué) 2013
[2]等離子體天線的理論與應(yīng)用研究[D]. 尹昌剛.南京航空航天大學(xué) 2009
[3]電場作用下少子復(fù)合率新模型及相關(guān)器件的研究[D]. 潘駿.浙江大學(xué) 2004
[4]PIN二極管的物理機制、仿真模型及其應(yīng)用研究[D]. 丁家峰.中南大學(xué) 2001



本文編號：2999119