發(fā)布時(shí)間：2021-01-23 12:46

　　為了優(yōu)化應(yīng)用于光纖通訊和CATV系統(tǒng)需求的高性能的量子阱激光器,對(duì)波長在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源區(qū)結(jié)構(gòu)和量子阱數(shù)目進(jìn)行了優(yōu)化分析。本文針對(duì)In（1-x）GaxAsyP（1-y）量子阱激光器,提供了一種有源區(qū)結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法。在勢(shì)阱層組分為In_0.76Ga_0.24As_0.81P_0.19,厚度為5nm;勢(shì)壘層組分為In_0.751Ga_0.249As_0.539P_0.461,厚度為10nm時(shí),激光器的各項(xiàng)性能參數(shù)達(dá)到最優(yōu)。在此基礎(chǔ)上,研究量子阱個(gè)數(shù)對(duì)激光器平均載流子濃度、輸出光功率和閾值電流的影響。采用ALDS軟件進(jìn)行仿真,對(duì)比量子阱個(gè)數(shù)分別為5、6、7、8、9、10、11時(shí),激光器的各項(xiàng)輸出參數(shù)。對(duì)不同量子阱個(gè)數(shù)的激光器,分別進(jìn)行結(jié)構(gòu)和材料求解,并進(jìn)行閾值、穩(wěn)態(tài)、分布和光譜、小信號(hào)以及噪聲分析。仿真結(jié)果表明,當(dāng)量子阱個(gè)數(shù)為8時(shí),在偏置電流為150mA,激光器溫度為300K情況下,激光器的平均... 

【文章來源】：激光雜志. 2017,38(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 原理
    1.1 量子阱個(gè)數(shù)對(duì)載流子濃度的影響
    1.2 量子阱個(gè)數(shù)對(duì)激光器性能參數(shù)的影響
2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與組分選取
3 理論分析
4 仿真結(jié)果分析
5 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：2995238