為了優(yōu)化應用于光纖通訊和CATV系統(tǒng)需求的高性能的量子阱激光器,對波長在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源區(qū)結構和量子阱數(shù)目進行了優(yōu)化分析。本文針對In（1-x）GaxAsyP（1-y）量子阱激光器,提供了一種有源區(qū)結構優(yōu)化方法。在勢阱層組分為In_0.76Ga_0.24As_0.81P_0.19,厚度為5nm;勢壘層組分為In_0.751Ga_0.249As_0.539P_0.461,厚度為10nm時,激光器的各項性能參數(shù)達到最優(yōu)。在此基礎上,研究量子阱個數(shù)對激光器平均載流子濃度、輸出光功率和閾值電流的影響。采用ALDS軟件進行仿真,對比量子阱個數(shù)分別為5、6、7、8、9、10、11時,激光器的各項輸出參數(shù)。對不同量子阱個數(shù)的激光器,分別進行結構和材料求解,并進行閾值、穩(wěn)態(tài)、分布和光譜、小信號以及噪聲分析。仿真結果表明,當量子阱個數(shù)為8時,在偏置電流為150mA,激光器溫度為300K情況下,激光器的平均... 

【文章來源】：激光雜志. 2017,38(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 原理
    1.1 量子阱個數(shù)對載流子濃度的影響
    1.2 量子阱個數(shù)對激光器性能參數(shù)的影響
2 結構設計與組分選取
3 理論分析
4 仿真結果分析
5 結論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2995238