在過去的幾十年中,石墨烯材料由于其自身超高的光學(xué)透明度、良好的導(dǎo)電性、出色的機械柔性和化學(xué)穩(wěn)定性而作為透明導(dǎo)電電極廣泛地應(yīng)用于各類光電器件。其中,基于石墨烯電極的有機光電器件由于其在柔性及可拉伸領(lǐng)域的應(yīng)用前景而備受關(guān)注。目前,采用化學(xué)氣相沉積法能夠在催化金屬襯底上制備得到大面積、高質(zhì)量、層數(shù)可控的石墨烯材料。然而,石墨烯作為透明導(dǎo)電電極應(yīng)用于有機光電器件還需要進(jìn)一步的轉(zhuǎn)移及圖案化工藝。傳統(tǒng)的基于高分子聚合物的石墨烯濕法轉(zhuǎn)移工藝存在材料破損、聚合物分子殘余沾污等問題,并且轉(zhuǎn)移后仍需較為復(fù)雜的工藝才能夠?qū)崿F(xiàn)石墨烯的圖案化。此外,原始石墨烯通常導(dǎo)電性較差,功函數(shù)較低不能與相鄰的有機材料很好的匹配。本論文重點圍繞石墨烯的轉(zhuǎn)移及圖案化工藝展開,研究了圖案化石墨烯電極在有機光電器件中的應(yīng)用。進(jìn)一步地,利用超薄金屬薄膜以及導(dǎo)電聚合物材料分別修飾原始石墨烯作為復(fù)合電極優(yōu)化電極參數(shù),提高了基于圖案化石墨烯電極的有機光電器件的性能。本論文取得的主要研究成果可分為以下四個部分:1、采用真空熱蒸鍍的圖案化Cu薄膜作為掩膜層結(jié)合等離子體（Plasma）刻蝕工藝在轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上的石墨烯表面制備相應(yīng)的圖案。通過真... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：118 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

GO輔助液相剝離法制備石墨烯水溶液流程示意圖

飛秒激光還原GO示意圖及微尺寸OLEDs發(fā)光照片

圖 1.4 SiC(0001)上生長的石墨烯原子結(jié)構(gòu)示意圖[55]而，利用 SiC 的熱解合成石墨烯通常對襯底和生長條件具有嚴(yán)苛的的石墨烯生長條件窗口較窄，較難合成出大面積均一的單層石墨烯SiC 襯底的限制，該材料生長方法成本較高且不易轉(zhuǎn)移到其他襯底上


本文編號：2989675