隨著CMOS工藝的發(fā)展,熱載流子效應對溝道熱噪聲的影響隨著器件尺寸的降低而增大,傳統(tǒng)熱噪聲模型未能準確表征溝道的熱噪聲.本文通過解能量平衡方程,得到電子溫度表達式,并結合溝道漏電流表達式,建立了溝道熱噪聲模型.利用建立的電子溫度表達式,該熱噪聲模型考慮了熱載流子效應的影響,并且在計算熱噪聲的過程中考慮了電子溫度對遷移率降低的影響以及溫度梯度對熱噪聲的影響.通過分析與計算,結果顯示,隨著器件尺寸的減小,溫度梯度對電子溫度產生顯著影響,使得熱載流子效應的影響增大,熱載流子效應對熱噪聲的增長作用超過了遷移率降低對熱噪聲的減小作用,最終導致熱噪聲增大.本文建立的溝道熱噪聲模型可應用于納米尺寸金屬-氧化物半導體場效應晶體管器件的噪聲性能分析及建模. 

【文章來源】：物理學報. 2020,69(05)北大核心

【文章頁數】：8 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]超短溝道絕緣層上硅平面場效應晶體管中熱載流子注入應力導致的退化對溝道長度的依賴性[J]. 劉暢,盧繼武,吳汪然,唐曉雨,張睿,俞文杰,王曦,趙毅.  物理學報. 2015(16)



本文編號：2980996