利用磁控濺射方法改變襯底溫度,制備了一系列NiO:Cu/ZnO異質(zhì)pn結(jié)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)襯底溫度從室溫升高到300℃時(shí),NiO:Cu/ZnO異質(zhì)pn結(jié)的整流特性明顯得到改善;與此同時(shí),NiO:Cu/ZnO異質(zhì)pn結(jié)的光學(xué)透過(guò)率也從40%增大到80%。這可能是由于NiO:Cu薄膜結(jié)晶質(zhì)量改善,薄膜內(nèi)缺陷減少所致。繼續(xù)增加襯底溫度至400℃,異質(zhì)結(jié)的整流特性有所削弱,這可能是由于生長(zhǎng)在異質(zhì)結(jié)下層的NiO:Cu薄膜影響了其上ZnO薄膜的生長(zhǎng),進(jìn)而影響到異質(zhì)結(jié)的整流特性。這一結(jié)論,得到X射線衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）和紫外（UV）譜測(cè)試結(jié)果的支持。 

【文章來(lái)源】：光電子·激光. 2016,27(04)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
    2.1 樣品制備
    2.2 樣品的性能及表征
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
    3.1 NiO:Cu薄膜的晶相組成
    3.2 表面形貌表征
    3.3 光學(xué)特性分析
    3.4 電學(xué)特性分析
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]Si/NiO異質(zhì)pn結(jié)的光電性能研究[J]. 李彤,介瓊,王雅欣,倪曉昌,趙新為.  光電子.激光. 2014(01)
[3]Substrate Temperature Dependent Properties of Cu Doped NiO Films Deposited by DC Reactive Magnetron Sputtering[J]. Yarraguntla Ashok Kumar Reddy,Akepati Sivasankar Reddy,Pamanji Sreedhara Reddy.  Journal of Materials Science & Technology. 2013(07)
[4]氮?dú)馔嘶饘?duì)NiO/ZnO:Al薄膜PN結(jié)的影響[J]. 趙啟義,祁康成,舒文麗,李國(guó)棟.  電子器件. 2012(01)



本文編號(hào)：2979860