采用基于密度泛函理論（DFT）的第一性原理計(jì)算方法,計(jì)算了Mn₄Si₇及Mo摻雜Mn₄Si₇的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。計(jì)算結(jié)果表明Mn₄Si₇的禁帶寬度E_g=0.804 e V,Mo摻雜Mn₄Si₇的禁帶寬度E_g=0.636 e V。摻雜使得Mn₄Si₇費(fèi)米面附近的電子結(jié)構(gòu)發(fā)生改變,導(dǎo)帶底由Γ點(diǎn)轉(zhuǎn)移為Y點(diǎn)向低能方向下偏移,價(jià)帶頂向高能方向上偏移,帶隙變窄。計(jì)算還表明Mo摻雜Mn₄Si₇使介電函數(shù)、折射率、吸收系數(shù)及光電導(dǎo)率等光學(xué)性質(zhì)增加。 

【文章來(lái)源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 建立模型與計(jì)算方法
    1.1 建立理論模型
    1.2 計(jì)算方法
2 計(jì)算結(jié)果分析
    2.1 電子結(jié)構(gòu)
        2.1.1 能帶結(jié)構(gòu)
        2.1.2 電子態(tài)密度
    2.2 光學(xué)性質(zhì)
        2.2.1 復(fù)介電函數(shù)
        2.2.2 復(fù)折射率
        2.2.3 吸收譜和反射譜
        2.2.4 復(fù)光電導(dǎo)率
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Ge取代P型高錳硅合金的晶粒細(xì)化及其熱電性能[J]. 樊東曉,姜廣宇,戴春俊,謝涵卉,朱鐵軍,趙新兵.  材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2012(03)
[2]光吸收介質(zhì)的吸收系數(shù)與介電函數(shù)虛部的關(guān)系[J]. 樊潔平,劉惠民,田強(qiáng).  大學(xué)物理. 2009(03)
[3]光電導(dǎo)效應(yīng)及其應(yīng)用探究[J]. 彭文勝,王建中.  高等函授學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2007(06)
[4]快速凝固和熱壓高錳硅的微觀結(jié)構(gòu)和熱電性能[J]. 劉曉虎,趙新兵,倪華良,陳海燕.  功能材料與器件學(xué)報(bào). 2004(02)

碩士論文
[1]p型摻雜高錳硅化合物的制備及熱電性能[D]. 林澤冰.武漢理工大學(xué) 2012



本文編號(hào)：2977189