針對(duì)AlGaN/GaN HEMT器件在壽命試驗(yàn)過(guò)程中經(jīng)常出現(xiàn)的柵源、柵漏和源漏泄漏電流隨試驗(yàn)時(shí)間的延長(zhǎng)而增大的現(xiàn)象,展開了深入的研究。分析了當(dāng)前HEMT器件泄漏電流的各種主流退化模型,通過(guò)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)熱載流子效應(yīng)、逆壓電效應(yīng)等難以完全解釋泄漏電流間的退化差異。進(jìn)一步的研究顯示,電極間的泄漏電流的差異主要是由材料中的缺陷和陷阱的密度分布不均勻造成的。在應(yīng)力的作用下,初始密度越大,試驗(yàn)過(guò)程中缺陷和陷阱的增長(zhǎng)速度就越快,泄漏電流的增長(zhǎng)速度也就越快。但應(yīng)力撤除后,由陷阱輔助隧穿導(dǎo)致的泄露電流會(huì)逐漸地得到恢復(fù)。 

【文章來(lái)源】：電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2016,34(06)

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 器件的結(jié)構(gòu)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)束語(yǔ)



本文編號(hào)：2968419