在中高功率領(lǐng)域,IGBT以其優(yōu)異的性能廣泛應(yīng)用于各種變頻調(diào)速系統(tǒng)中,成為新能源汽車、電機(jī)控制、空調(diào)、機(jī)車牽引、高壓直流輸電等領(lǐng)域的核心功率開關(guān)器件之一。近年來(lái),隨著IGBT技術(shù)發(fā)展,業(yè)界對(duì)高功率密度低損耗器件提出了迫切需求。本文針對(duì)傳統(tǒng)溝槽IGBT器件存在的問(wèn)題,提出了兩種新型低損耗結(jié)構(gòu),既改善了器件正向?qū)▔航礦_CEON與關(guān)斷損耗E_OFF之間的折中特性,又改善了續(xù)流二極管（Free-wheeling diode,FWD）反向恢復(fù)時(shí)dV_AK/dt與IGBT導(dǎo)通損耗E_ON之間的折中特性。主要研究?jī)?nèi)容如下:1、提出一種具有浮空P型基區(qū)的雙分裂柵溝槽IGBT（Dual split gate IGBT with floating p-well,DSG-FP IGBT）結(jié)構(gòu)。通過(guò)在溝槽中引入與發(fā)射極等電位的雙分裂電極,一方面避免了器件開啟時(shí)浮空P型基區(qū)（Floating p-well）產(chǎn)生的位移電流I_dis對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電流I_G的影響,降低了EMI（Electromag... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【圖文】：

CSTBT結(jié)構(gòu)示意圖

SA-IGBT結(jié)構(gòu)示意圖

FinP-bodyIGBT結(jié)構(gòu)示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]IGBT結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)發(fā)展與展望[J]. 李碧姍,王昭,董妮.  電子與封裝. 2018(02)
[2]IGBT新技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)[J]. 張金平,趙倩,高巍,李澤宏,任敏,張波.  大功率變流技術(shù). 2017(05)
[3]IGBT測(cè)試系統(tǒng)[J]. 曾健.  通信電源技術(shù). 2016(06)
[4]1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)[J]. 陳天,張旭,廖永亮,于紹欣.  微電子學(xué). 2016(05)
[5]VDMOS器件終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及優(yōu)化[J]. 鄭瑩,吳會(huì)利.  微處理機(jī). 2016(03)
[6]一種溝槽型場(chǎng)限環(huán)VDMOSFET終端結(jié)構(gòu)[J]. 石存明,馮全源.  微電子學(xué). 2016(01)
[7]中國(guó)IGBT制造業(yè)發(fā)展、現(xiàn)狀與問(wèn)題的思考[J]. 亢寶位.  智能電網(wǎng). 2013(01)
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[10]國(guó)內(nèi)外電力電子器件發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 孟慶宗.  電力設(shè)備. 2003(02)

博士論文
[1]新型功率半導(dǎo)體器件的研究及其終端耐壓層的利用[D]. 呂信江.電子科技大學(xué) 2014

碩士論文
[1]IGBT功耗優(yōu)化的研究[D]. 凌宇.沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué) 2013
[2]偏移場(chǎng)板和場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法的研究[D]. 李瑞貞.北京工業(yè)大學(xué) 2003
[3]新結(jié)構(gòu)低功耗IGBT的研究[D]. 高琰.北京工業(yè)大學(xué) 2002



本文編號(hào)：2964279