一種AlGaN/GaN HEMT非線性器件模型參數(shù)提取的方法
發(fā)布時間:2021-01-06 21:08
該文提出一種新的絕對誤差函數(shù),應(yīng)用該函數(shù)進(jìn)行非線性模型參數(shù)提取可以避免計算誤差,顯著降低參數(shù)提取的不準(zhǔn)確性。由于氮化物半導(dǎo)體器件,尤其是AlGaN/GaNHEMT器件已經(jīng)開始得到廣泛應(yīng)用,其模型和參數(shù)對射頻和電力電子器件和電路設(shè)計至關(guān)重要,分別使用3種誤差函數(shù)對AlGaN/GaNHEMT器件模型進(jìn)行了參數(shù)提取并對比,對比結(jié)果表明該文提出的誤差函數(shù)更加精確和有效。同時為今后的電子器件的模型參數(shù)提取提供了一種有效且精確的方法。
【文章來源】:電子與信息學(xué)報. 2017,39(12)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
AlGaN/GaNHEMT器件結(jié)構(gòu)
唄裕?趐(k)∪S(k)∪H(k)中選擇出[Num/3],然后在剩余的個體中隨機(jī)選出Num-[Num/3],由這Num個體作為下一代;步驟5(終止條件)若k=T,算法終止,輸出最優(yōu)個體作為近似全局最優(yōu)解,否則,令k=k+1,轉(zhuǎn)步驟2。4參數(shù)提取結(jié)果和討論本文使用了3種誤差函數(shù)作為尺度函數(shù),應(yīng)用同樣的交叉算子,變異算子和選擇策略以及相同的交叉概率,相同的變異概率,相同的進(jìn)化代數(shù),唯有不同的是適應(yīng)的函數(shù)的構(gòu)造不同,分別對KelvinYukAlGaN/GaNHEMTs高維非線性模型參數(shù)進(jìn)行參數(shù)提取,3種計算方法所占的計算機(jī)資源和計算時間相當(dāng)。圖2,圖4,圖6為輸出特性曲線,圖3,圖5,圖7為轉(zhuǎn)移特性曲線對比圖,其分別對應(yīng)的是最小二乘法誤差函數(shù),相對比例誤差函數(shù)和本文建立的新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)的模型計算值和實驗測量數(shù)據(jù)的輸出特性曲線對比圖和轉(zhuǎn)移特性對比圖。表1給出了應(yīng)用3種誤差函數(shù)提取的參數(shù)值,其模型計算值和實驗值之間的相對平均誤差分別為6.85%,6.26%和5.52%,以及相對誤差的標(biāo)準(zhǔn)方差為4.08%,4.13%,3.77%。對比結(jié)果表明圖4和圖7應(yīng)用新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)模型計算值和實驗測量值比其他兩種誤差函數(shù)計算的結(jié)果準(zhǔn)確。圖8為每個柵壓下輸出特性的整體誤差對比和圖9轉(zhuǎn)移特性的整體對比,表明本文提出的誤差函數(shù)提取的模型參數(shù),整體誤差分布均勻。由于柵電壓和漏電壓的變化,引起電流的變化較大,柵電壓和漏電壓較小時,電流很小,柵電壓和漏電壓較大時,電流值也較大,差別較大。最小二乘法將大電流和小電流直接相加會造成計算誤差。相對比例誤差函數(shù)同樣會存在電流變化較大,這是因為modmeameaijijijI-I=kI,k是比例系數(shù)平方根。在同一比例系數(shù)下就會造成電流較大時的誤差就較大,較小的時候誤差較小的缺點,從而會造成誤差的
出[Num/3],然后在剩余的個體中隨機(jī)選出Num-[Num/3],由這Num個體作為下一代;步驟5(終止條件)若k=T,算法終止,輸出最優(yōu)個體作為近似全局最優(yōu)解,否則,令k=k+1,轉(zhuǎn)步驟2。4參數(shù)提取結(jié)果和討論本文使用了3種誤差函數(shù)作為尺度函數(shù),應(yīng)用同樣的交叉算子,變異算子和選擇策略以及相同的交叉概率,相同的變異概率,相同的進(jìn)化代數(shù),唯有不同的是適應(yīng)的函數(shù)的構(gòu)造不同,分別對KelvinYukAlGaN/GaNHEMTs高維非線性模型參數(shù)進(jìn)行參數(shù)提取,3種計算方法所占的計算機(jī)資源和計算時間相當(dāng)。圖2,圖4,圖6為輸出特性曲線,圖3,圖5,圖7為轉(zhuǎn)移特性曲線對比圖,其分別對應(yīng)的是最小二乘法誤差函數(shù),相對比例誤差函數(shù)和本文建立的新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)的模型計算值和實驗測量數(shù)據(jù)的輸出特性曲線對比圖和轉(zhuǎn)移特性對比圖。表1給出了應(yīng)用3種誤差函數(shù)提取的參數(shù)值,其模型計算值和實驗值之間的相對平均誤差分別為6.85%,6.26%和5.52%,以及相對誤差的標(biāo)準(zhǔn)方差為4.08%,4.13%,3.77%。對比結(jié)果表明圖4和圖7應(yīng)用新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)模型計算值和實驗測量值比其他兩種誤差函數(shù)計算的結(jié)果準(zhǔn)確。圖8為每個柵壓下輸出特性的整體誤差對比和圖9轉(zhuǎn)移特性的整體對比,表明本文提出的誤差函數(shù)提取的模型參數(shù),整體誤差分布均勻。由于柵電壓和漏電壓的變化,引起電流的變化較大,柵電壓和漏電壓較小時,電流很小,柵電壓和漏電壓較大時,電流值也較大,差別較大。最小二乘法將大電流和小電流直接相加會造成計算誤差。相對比例誤差函數(shù)同樣會存在電流變化較大,這是因為modmeameaijijijI-I=kI,k是比例系數(shù)平方根。在同一比例系數(shù)下就會造成電流較大時的誤差就較大,較小的時候誤差較小的缺點,從而會造成誤差的失真和不均勻。本文建立新的絕?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Progress in bulk GaN growth[J]. 徐科,王建峰,任國強(qiáng). Chinese Physics B. 2015(06)
[2]場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究[J]. 毛維,楊翠,郝躍,張進(jìn)成,劉紅俠,馬曉華,王沖,張金風(fēng),楊林安,許晟瑞,畢志偉,周洲,楊凌,王昊. 物理學(xué)報. 2011(01)
本文編號:2961262
【文章來源】:電子與信息學(xué)報. 2017,39(12)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
AlGaN/GaNHEMT器件結(jié)構(gòu)
唄裕?趐(k)∪S(k)∪H(k)中選擇出[Num/3],然后在剩余的個體中隨機(jī)選出Num-[Num/3],由這Num個體作為下一代;步驟5(終止條件)若k=T,算法終止,輸出最優(yōu)個體作為近似全局最優(yōu)解,否則,令k=k+1,轉(zhuǎn)步驟2。4參數(shù)提取結(jié)果和討論本文使用了3種誤差函數(shù)作為尺度函數(shù),應(yīng)用同樣的交叉算子,變異算子和選擇策略以及相同的交叉概率,相同的變異概率,相同的進(jìn)化代數(shù),唯有不同的是適應(yīng)的函數(shù)的構(gòu)造不同,分別對KelvinYukAlGaN/GaNHEMTs高維非線性模型參數(shù)進(jìn)行參數(shù)提取,3種計算方法所占的計算機(jī)資源和計算時間相當(dāng)。圖2,圖4,圖6為輸出特性曲線,圖3,圖5,圖7為轉(zhuǎn)移特性曲線對比圖,其分別對應(yīng)的是最小二乘法誤差函數(shù),相對比例誤差函數(shù)和本文建立的新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)的模型計算值和實驗測量數(shù)據(jù)的輸出特性曲線對比圖和轉(zhuǎn)移特性對比圖。表1給出了應(yīng)用3種誤差函數(shù)提取的參數(shù)值,其模型計算值和實驗值之間的相對平均誤差分別為6.85%,6.26%和5.52%,以及相對誤差的標(biāo)準(zhǔn)方差為4.08%,4.13%,3.77%。對比結(jié)果表明圖4和圖7應(yīng)用新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)模型計算值和實驗測量值比其他兩種誤差函數(shù)計算的結(jié)果準(zhǔn)確。圖8為每個柵壓下輸出特性的整體誤差對比和圖9轉(zhuǎn)移特性的整體對比,表明本文提出的誤差函數(shù)提取的模型參數(shù),整體誤差分布均勻。由于柵電壓和漏電壓的變化,引起電流的變化較大,柵電壓和漏電壓較小時,電流很小,柵電壓和漏電壓較大時,電流值也較大,差別較大。最小二乘法將大電流和小電流直接相加會造成計算誤差。相對比例誤差函數(shù)同樣會存在電流變化較大,這是因為modmeameaijijijI-I=kI,k是比例系數(shù)平方根。在同一比例系數(shù)下就會造成電流較大時的誤差就較大,較小的時候誤差較小的缺點,從而會造成誤差的
出[Num/3],然后在剩余的個體中隨機(jī)選出Num-[Num/3],由這Num個體作為下一代;步驟5(終止條件)若k=T,算法終止,輸出最優(yōu)個體作為近似全局最優(yōu)解,否則,令k=k+1,轉(zhuǎn)步驟2。4參數(shù)提取結(jié)果和討論本文使用了3種誤差函數(shù)作為尺度函數(shù),應(yīng)用同樣的交叉算子,變異算子和選擇策略以及相同的交叉概率,相同的變異概率,相同的進(jìn)化代數(shù),唯有不同的是適應(yīng)的函數(shù)的構(gòu)造不同,分別對KelvinYukAlGaN/GaNHEMTs高維非線性模型參數(shù)進(jìn)行參數(shù)提取,3種計算方法所占的計算機(jī)資源和計算時間相當(dāng)。圖2,圖4,圖6為輸出特性曲線,圖3,圖5,圖7為轉(zhuǎn)移特性曲線對比圖,其分別對應(yīng)的是最小二乘法誤差函數(shù),相對比例誤差函數(shù)和本文建立的新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)的模型計算值和實驗測量數(shù)據(jù)的輸出特性曲線對比圖和轉(zhuǎn)移特性對比圖。表1給出了應(yīng)用3種誤差函數(shù)提取的參數(shù)值,其模型計算值和實驗值之間的相對平均誤差分別為6.85%,6.26%和5.52%,以及相對誤差的標(biāo)準(zhǔn)方差為4.08%,4.13%,3.77%。對比結(jié)果表明圖4和圖7應(yīng)用新絕對誤差函數(shù)提取的參數(shù)模型計算值和實驗測量值比其他兩種誤差函數(shù)計算的結(jié)果準(zhǔn)確。圖8為每個柵壓下輸出特性的整體誤差對比和圖9轉(zhuǎn)移特性的整體對比,表明本文提出的誤差函數(shù)提取的模型參數(shù),整體誤差分布均勻。由于柵電壓和漏電壓的變化,引起電流的變化較大,柵電壓和漏電壓較小時,電流很小,柵電壓和漏電壓較大時,電流值也較大,差別較大。最小二乘法將大電流和小電流直接相加會造成計算誤差。相對比例誤差函數(shù)同樣會存在電流變化較大,這是因為modmeameaijijijI-I=kI,k是比例系數(shù)平方根。在同一比例系數(shù)下就會造成電流較大時的誤差就較大,較小的時候誤差較小的缺點,從而會造成誤差的失真和不均勻。本文建立新的絕?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Progress in bulk GaN growth[J]. 徐科,王建峰,任國強(qiáng). Chinese Physics B. 2015(06)
[2]場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究[J]. 毛維,楊翠,郝躍,張進(jìn)成,劉紅俠,馬曉華,王沖,張金風(fēng),楊林安,許晟瑞,畢志偉,周洲,楊凌,王昊. 物理學(xué)報. 2011(01)
本文編號:2961262
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2961262.html
最近更新
教材專著