高速PCB中差分過孔分析與優(yōu)化
發(fā)布時(shí)間:2021-01-06 19:33
信號(hào)完整性在高頻高速電路中十分重要,差分過孔的不連續(xù)性會(huì)嚴(yán)重影響到信號(hào)的完整性,針對(duì)高速印制電路板(printed circuit board,PCB)中差分信號(hào)與共模信號(hào)對(duì)差分過孔的低反射、高傳輸和阻抗穩(wěn)定的設(shè)計(jì)要求,首先建立差分過孔的等效物理模型與電路模型進(jìn)行差分過孔的差分信號(hào)與共模信號(hào)的性能分析;然后在PCB層疊結(jié)構(gòu)和布線模式設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上運(yùn)用三維電磁仿真軟件HFSS設(shè)置不同的過孔中心距、反焊盤直徑及地過孔數(shù)量,對(duì)差分過孔的時(shí)域阻抗、回波損耗、插入損耗進(jìn)行仿真與分析,并利用S參數(shù)與時(shí)域內(nèi)阻抗變化,分析過孔的差分性能和共模性能;最后通過仿真結(jié)果分析,得出過孔中心距38 mils(1 mil=0.025 4 mm)、反焊盤直徑32 mils及使用雙過孔地過孔的設(shè)置使差分信號(hào)和共模信號(hào)的性能最優(yōu),提出優(yōu)化了差分過孔的性能的新思路,為高速差分過孔設(shè)計(jì)提供參考。
【文章來源】:電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào). 2020,34(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
差分過孔物理模型
差分過孔物理模型的電路模型如圖2所示,在圖1的差分過孔物理模型中,過孔焊盤分別位于過孔的頂部、內(nèi)部與底部,內(nèi)部焊盤將信號(hào)線連接到過孔管上。在高頻時(shí),由于信號(hào)線上內(nèi)部焊盤的電容將在傳輸線上引起分流電容干擾,因此上下內(nèi)部焊盤引起的效應(yīng)可使用兩對(duì)電容等效表示,由于差分過孔對(duì)的對(duì)稱性,這兩對(duì)電容是分別相等的,即上焊盤C1=C2,下焊盤C3=C4,電容值由內(nèi)部焊盤半徑和反焊盤幾何形狀確定。如果過孔頂部與底部存在Stub,Stub部分將會(huì)對(duì)信號(hào)產(chǎn)生阻抗效應(yīng)與電容效應(yīng),由于差分過孔對(duì)的對(duì)稱性,可知C5=C6,C7=C8,當(dāng)頂部與底部的Stub長(zhǎng)度與結(jié)構(gòu)一致時(shí),即差分過孔的上下Stub部分呈對(duì)稱性,各個(gè)Stub部分產(chǎn)生的阻抗效應(yīng)與電容效應(yīng)是相等的,即TL1=TL2,C5=C6=C7=C8,此時(shí),因?yàn)檫^孔內(nèi)部焊盤的幾何形狀是相同的,焊盤的有效面積也是一致的,可知C1=C2=C3=C4,并且內(nèi)部焊盤之間互感電容也是相等的,即Cm1=Cm2。
差分過孔的俯視圖如圖3所示,在實(shí)際情況中,差分過孔的反焊盤為橢圓形,如圖3 (a)所示。當(dāng)模型中的通孔、盲孔或者埋孔滿足以下條件:1)PCB中均勻地填充介電常數(shù)為Er的介電材料;2)有多個(gè)銅層。此時(shí)這種差分過孔結(jié)構(gòu)可簡(jiǎn)化成簡(jiǎn)單的耦合雙桿傳輸線進(jìn)行分析[13],兩個(gè)過孔可視為被連續(xù)的導(dǎo)電屏蔽的中心導(dǎo)體,橢圓形的反焊盤結(jié)構(gòu)可被近似為矩形的反焊盤結(jié)構(gòu),如圖3 (b)所示,因此可以運(yùn)用特征阻抗的閉合形式解決方案去解決這種類型的耦合傳輸線。圖3中具有矩形反焊盤的雙桿模型的奇模和偶模阻抗可用式(1)和(2)的閉式方程表示。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]反焊盤設(shè)計(jì)及其對(duì)差分過孔高頻特性影響分析[J]. 羅會(huì)容,何文浩. 江漢大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2018(05)
[2]高速BGA封裝與PCB差分互連結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化[J]. 高振斌,郝曉雪,李雅菲,王蒙軍. 現(xiàn)代電子技術(shù). 2017(22)
[3]高速傳輸電連接器差分阻抗優(yōu)化[J]. 梁云忠,李紅,伍權(quán),徐衛(wèi)平,胡圣波. 電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào). 2017(03)
[4]差分過孔的結(jié)構(gòu)分析與優(yōu)化[J]. 周子翔. 電子科技. 2016(06)
[5]基于SIwave和Designer的差分過孔仿真分析[J]. 麻勤勤,石和榮,孟宏峰. 電子測(cè)量技術(shù). 2016(01)
[6]差分過孔的高頻特性仿真分析[J]. 趙玲寶,陳清華. 電訊技術(shù). 2014(04)
[7]高速串行通道的信號(hào)完整性問題分析[J]. 高曉宇,楊龍劍. 通信技術(shù). 2013(06)
[8]高速并行總線信號(hào)完整性分析設(shè)計(jì)[J]. 倪蕓,姚曉東. 電子測(cè)量技術(shù). 2013(04)
[9]FC-CBGA封裝中高速差分信號(hào)過孔的設(shè)計(jì)與優(yōu)化[J]. 胡晉,金利峰,鄭浩. 微電子學(xué). 2011(06)
[10]傳輸線耦合下的差分對(duì)共模特性分析[J]. 丁同浩,李玉山. 儀器儀表學(xué)報(bào). 2011(07)
本文編號(hào):2961140
【文章來源】:電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào). 2020,34(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
差分過孔物理模型
差分過孔物理模型的電路模型如圖2所示,在圖1的差分過孔物理模型中,過孔焊盤分別位于過孔的頂部、內(nèi)部與底部,內(nèi)部焊盤將信號(hào)線連接到過孔管上。在高頻時(shí),由于信號(hào)線上內(nèi)部焊盤的電容將在傳輸線上引起分流電容干擾,因此上下內(nèi)部焊盤引起的效應(yīng)可使用兩對(duì)電容等效表示,由于差分過孔對(duì)的對(duì)稱性,這兩對(duì)電容是分別相等的,即上焊盤C1=C2,下焊盤C3=C4,電容值由內(nèi)部焊盤半徑和反焊盤幾何形狀確定。如果過孔頂部與底部存在Stub,Stub部分將會(huì)對(duì)信號(hào)產(chǎn)生阻抗效應(yīng)與電容效應(yīng),由于差分過孔對(duì)的對(duì)稱性,可知C5=C6,C7=C8,當(dāng)頂部與底部的Stub長(zhǎng)度與結(jié)構(gòu)一致時(shí),即差分過孔的上下Stub部分呈對(duì)稱性,各個(gè)Stub部分產(chǎn)生的阻抗效應(yīng)與電容效應(yīng)是相等的,即TL1=TL2,C5=C6=C7=C8,此時(shí),因?yàn)檫^孔內(nèi)部焊盤的幾何形狀是相同的,焊盤的有效面積也是一致的,可知C1=C2=C3=C4,并且內(nèi)部焊盤之間互感電容也是相等的,即Cm1=Cm2。
差分過孔的俯視圖如圖3所示,在實(shí)際情況中,差分過孔的反焊盤為橢圓形,如圖3 (a)所示。當(dāng)模型中的通孔、盲孔或者埋孔滿足以下條件:1)PCB中均勻地填充介電常數(shù)為Er的介電材料;2)有多個(gè)銅層。此時(shí)這種差分過孔結(jié)構(gòu)可簡(jiǎn)化成簡(jiǎn)單的耦合雙桿傳輸線進(jìn)行分析[13],兩個(gè)過孔可視為被連續(xù)的導(dǎo)電屏蔽的中心導(dǎo)體,橢圓形的反焊盤結(jié)構(gòu)可被近似為矩形的反焊盤結(jié)構(gòu),如圖3 (b)所示,因此可以運(yùn)用特征阻抗的閉合形式解決方案去解決這種類型的耦合傳輸線。圖3中具有矩形反焊盤的雙桿模型的奇模和偶模阻抗可用式(1)和(2)的閉式方程表示。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]反焊盤設(shè)計(jì)及其對(duì)差分過孔高頻特性影響分析[J]. 羅會(huì)容,何文浩. 江漢大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2018(05)
[2]高速BGA封裝與PCB差分互連結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化[J]. 高振斌,郝曉雪,李雅菲,王蒙軍. 現(xiàn)代電子技術(shù). 2017(22)
[3]高速傳輸電連接器差分阻抗優(yōu)化[J]. 梁云忠,李紅,伍權(quán),徐衛(wèi)平,胡圣波. 電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào). 2017(03)
[4]差分過孔的結(jié)構(gòu)分析與優(yōu)化[J]. 周子翔. 電子科技. 2016(06)
[5]基于SIwave和Designer的差分過孔仿真分析[J]. 麻勤勤,石和榮,孟宏峰. 電子測(cè)量技術(shù). 2016(01)
[6]差分過孔的高頻特性仿真分析[J]. 趙玲寶,陳清華. 電訊技術(shù). 2014(04)
[7]高速串行通道的信號(hào)完整性問題分析[J]. 高曉宇,楊龍劍. 通信技術(shù). 2013(06)
[8]高速并行總線信號(hào)完整性分析設(shè)計(jì)[J]. 倪蕓,姚曉東. 電子測(cè)量技術(shù). 2013(04)
[9]FC-CBGA封裝中高速差分信號(hào)過孔的設(shè)計(jì)與優(yōu)化[J]. 胡晉,金利峰,鄭浩. 微電子學(xué). 2011(06)
[10]傳輸線耦合下的差分對(duì)共模特性分析[J]. 丁同浩,李玉山. 儀器儀表學(xué)報(bào). 2011(07)
本文編號(hào):2961140
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