InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱紅外探測器件最常用的材料體系,本文以結(jié)構(gòu)為2.4 nm In_0.35Ga_0.65As/40 nm Al_0.34Ga_0.66As的多量子阱材料為研究對象,利用分子束外延生長,固定InGaAs勢阱的生長溫度（465°C）,然后依次升高分別選取465,500,545,580°C生長AlGaAs勢壘層,從而獲得四個不同的多量子阱樣品.通過熒光光譜以及X射線衍射測試系統(tǒng)分析了勢壘層生長溫度對InGaAs量子阱發(fā)光和質(zhì)量的影響,并較準確地給出了量子阱大致的溫致弛豫軌跡:465—500°C,開始出現(xiàn)相分離,但缺陷水平較低,屬彈性弛豫階段;500—545°C,相分離加劇并伴隨缺陷水平的上升,屬彈性弛豫向塑性弛豫過渡階段;545—580°C,相分離以及缺陷水平急劇上升,迅速進入塑性弛豫階段,尤其是580°C時,量子阱的材料質(zhì)量被嚴重破壞. 

【文章來源】：物理學報. 2017年06期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2958400