針對目前全球能源危機,半導體光催化技術(shù)具有重要的理論研究意義和實際應用價值。而光催化技術(shù)的核心在于光催化劑的選擇,其中石墨相氮化碳（g-C₃N₄）作為一種高效、廉價、高穩(wěn)定的光催化劑,已在光催化領(lǐng)域得到廣泛應用。由于g-C₃N₄層間的范德華力較弱,使其易于形成類石墨烯型的納米薄片。二維氮化碳納米片（2D g-C₃N₄）廣泛應用于電子、傳感器、催化劑和儲能等領(lǐng)域。與體相g-C₃N₄相比,2D g-C₃N₄具有較大的比表面積,較寬的帶隙,以及沿著平面方向上提高的電子傳遞能力和因量子限制效應而增加的光生載流子壽命。本論文以2D g-C₃N₄為主要研究對象,主要從形貌調(diào)控和與半導體復合兩方面開展研究,采用Ta₂O₅納米棒、Nb₂O₅納米花、V

【文章來源】：江蘇大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：83 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

光催化反應機理示意圖

江蘇大學碩士學位論文H2O 等小分子物質(zhì)，實現(xiàn)污染物治理的目標。隨著人類對光催究，光催化技術(shù)在衛(wèi)生保健、廢水處理[13, 14]、全解水、產(chǎn)氫[150]、消毒殺菌[21, 22]、太陽能電池[23, 24]、固氮、氧化脫硫等領(lǐng)域破性應用。因此，光催化技術(shù)也逐漸成為最熱門的研究課題。

米能級、較低的過電壓、接近零的氫氣吸附/解吸吉布斯自由 Pt 是目前應用最為廣泛的助催化劑。體復合的單體光催化劑在光激發(fā)后，電子空穴對極易復合，使電子空而降低光催化劑的活性。由此，與帶隙相匹配的半導體光催化效提高光催化劑的活性。迄今為止，科學家們已經(jīng)報道了很多光催化文章，金屬氧化物、磷酸鹽、硅酸鹽等材料被用于與半性后的光催化劑性能均得到了顯著提升。根據(jù)單一材料的性質(zhì)復合種類可分為：p-n 結(jié)、n-n 結(jié)、p-p 結(jié)。除此之外，從電子角度來說，Z 型機制復合光催化劑的研究也越來越受青睞。如[28, 29]和 Z 型異質(zhì)結(jié)[30, 31]這兩種半導體復合方式的復合光催化。

【參考文獻】：
博士論文
[1]可見光響應型石墨相氮化碳復合材料的制備及其降解有機污染物研究[D]. 黃立英.江蘇大學 2013

碩士論文
[1]金屬復合氧化物光催化材料的改性及其性能研究[D]. 景小翠.江蘇大學 2016



本文編號：2958073