憶阻器是一種具有非易失記憶性的非線性二端無源器件,在電路中的作用類似于阻值可調的電阻,其阻值只與其內部的狀態(tài)有關。研究表明,憶阻器在電路中可以存儲并處理數據。而FIR濾波器很容易實現線性相位,因此有研究基于憶阻器的FIR濾波器有重要意義。本文在之前研究的基礎上,提出了基于憶阻器交叉陣列的FIR濾波器結構。在該結構中,FIR濾波器的系數以憶阻器阻值的形式存儲在憶阻器交叉陣列中,輸入信號通過開關電容電路構成的采樣延時電路完成采樣并生成延遲。將離散化的信號及其延遲通過憶阻器交叉陣列加權,并以級聯反相加法電路構成的輸出模塊進行求和,即可以實現FIR濾波過程。先前研究中使用的異步采樣延時電路存在序列錯位和參數選擇上的問題,因此能夠實現的基于憶阻器的FIR濾波器長度很小。對此本文提出了同步采樣延時電路,可以將輸入信號以采樣周期為延遲的各個滯后信號在同一時間段上完整展開,相比異步采樣延時電路延遲信號之間不再發(fā)生重疊,同時可以使用同一信號進行控制,不需要將控制信號延時后進行傳遞,消除了控制信號的延時電路。因此解決了異步采樣延遲電路在序列錯位及參數選擇上的難題,極大的提升了采樣和濾波效果,理論上可以實現... 

【文章來源】：東南大學江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：115 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

四種基本電路元件之間的關系

圖 2- 2 惠普實驗室的憶阻器結構設參雜層的厚度為 ，非摻雜層厚度為 ，則憶阻器的阻值為：1mem on offR R RD D (2- 10)其中 和 分別是 =0 和 時憶阻器的阻值。另設：xD (2- 11)摻雜區(qū)邊界遷移速度為： 2v ondxRi tdt D (2- 12)其中 是平均離子遷移率，將式(2- 12)兩邊積分代入式(2- 10)可以得到： (0) memR q R kq t(2- 13)

惠普憶阻器的伏安滯后曲線仿真

【參考文獻】：
期刊論文
[1]一種改進的憶阻器的SPICE模型及其仿真[J]. 段宗勝,甘朝暉,王勤.  微電子學與計算機. 2012(08)
[2]第四種無源電子元件憶阻器的研究及應用進展[J]. 蔡坤鵬,王睿,周濟.  電子元件與材料. 2010(04)



本文編號：2956073