發(fā)布時間：2021-01-02 16:44

　�、�-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體CdTe具有較寬的禁帶寬度和直接躍遷的物理特性,寬禁帶直接躍遷型半導(dǎo)體是發(fā)展光電子技術(shù)的理想材料,在固體發(fā)光、激光、紅外探測和制作高速光開關(guān)等精密光學(xué)器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。如果在CdTe中摻入具有磁性的Mn2+,可以使CdMnTe材料同時具備磁性材料和半導(dǎo)體材料的特殊物理性質(zhì),比如利用它的法拉第效應(yīng)可以制作光學(xué)隔離器件,將之運用到光通信中,可以提高光波在傳輸過程中的效率。對Cd_1-xMn_xTe/CdTe量子阱的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行理論研究,不僅可以豐富人們對低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)新穎光學(xué)性質(zhì)的認(rèn)識,而且可以設(shè)計與制作各類高性能的光通信器件,因此具有很重要的意義。本文在運用有效質(zhì)量包絡(luò)函數(shù)近似理論和打靶法的基礎(chǔ)上,利用費米黃金法則對Cd_1-xMn_xTe/CdTe材料三種不同量子阱結(jié)構(gòu)中電子-LO聲子的散射率進(jìn)行了理論研究,其主要內(nèi)容如下:1.簡單介紹了光通信的發(fā)展,量子阱在光通信方面的應(yīng)用和Cd_1-xMn_xTe/CdTe量子阱材料,并對電子-LO聲子散射... 

【文章來源】：曲阜師范大學(xué)山東省

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 光通信的發(fā)展
    1.2 量子阱材料在光通信方面的應(yīng)用
1-xMn_xTe/CdTe量子阱材料">    1.3 Cd_1-xMn_xTe/CdTe量子阱材料
    1.4 電子-LO聲子散射率
    1.5 本論文的主要工作
第2章 理論計算方法
    2.1 有效質(zhì)量包絡(luò)函數(shù)近似
    2.2 打靶法
    2.3 散射率的計算
1-xMn_xTe/CdTe單量子阱中電子-LO聲子散射率">第3章 Cd_1-xMn_xTe/CdTe單量子阱中電子-LO聲子散射率
    3.1 引言
    3.2 理論模型
    3.3 結(jié)果及討論
        3.3.1 無外場作用下的散射率
        3.3.2 電場對單量子阱散射率的影響
    3.4 結(jié)論
1-xMn_xTe/CdTe雙量子阱中電子-LO聲子散射率">第4章 Cd_1-xMn_xTe/CdTe雙量子阱中電子-LO聲子散射率
    4.1 引言
    4.2 理論模型
    4.3 結(jié)果及討論
        4.3.1 無外場作用下的散射率
        4.3.2 電場對雙量子阱散射率的影響
    4.4 結(jié)論
1-xMn_xTe/CdTe拋物量子阱中電子-LO聲子散射率">第5章 Cd_1-xMn_xTe/CdTe拋物量子阱中電子-LO聲子散射率
    5.1 引言
    5.2 理論方法
    5.3 結(jié)果及討論
        5.3.1 無外場作用下的散射率
        5.3.2 電場對拋物量子阱散射率的影響
    5.4 結(jié)論
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
在讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：2953274