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Ag納米顆粒表面等離子體增強(qiáng)的ZnSe納米帶光電器件的性能研究

發(fā)布時間:2017-04-09 03:23

  本文關(guān)鍵詞:Ag納米顆粒表面等離子體增強(qiáng)的ZnSe納米帶光電器件的性能研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:硒化鋅(ZnSe)是一種重要的Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶半導(dǎo)體,禁帶寬度Eg=2.7 eV,其在光電探測、光伏以及發(fā)光器件方面均具有重要的應(yīng)用。此外,硅(Si)是目前的支柱材料,但是其在光電子器件方面的研究受限。因此,提高ZnSe和Si異質(zhì)結(jié)的性能具有重要的研究意義。貴金屬納米金屬顆粒的局域表面等離子體共振(LSPR)在很多方面引起了注意,可以很好的提高光捕獲的能力,這樣的特性對于提高納米結(jié)構(gòu)的光電子器件的性能非常重要,使納米顆粒在光捕獲和吸收方面擁有潛在的優(yōu)勢。本文通過溶液法對ZnSe納米帶進(jìn)行銀(Ag)納米顆粒的修飾,利用其表面等離子體共振增加ZnSe納米帶對光的吸收,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提升異質(zhì)結(jié)器件的效果,使其更加適合光電器件的制備。具體成果如下:1、以Sb為摻雜源,通過熱蒸發(fā)方法成功合成了p型ZnSe:Sb納米帶。獲得的納米帶為單晶閃鋅礦結(jié)構(gòu),形貌均勻,符合所需的要求。2、通過Lee-Meisel方法成功制備了不同大小的Ag納米顆粒,分別為39 nm、48 nm和64nm。隨著納米顆粒尺寸的增加,峰值逐漸紅移。當(dāng)不同大小納米顆;旌虾,相比單一納米顆粒的峰值紅移。3、將Ag納米顆粒修飾到ZnSe納米帶上,可知LSPR的作用使得納米帶的吸收增強(qiáng),為光電器件性能的提高打下良好的基礎(chǔ)。4、成功制備了ZnSe和Si異質(zhì)結(jié)器件,研究不同器件的光電性能。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知,修飾Ag納米顆粒后,器件性能明顯提高。而且,修飾39+64 nm的器件的性能最好。ZnSe和Si異質(zhì)結(jié)太陽能電池的短路電流密度提高了57.6%,從沒修飾Ag納米顆粒的11.75提高到了18.52 mA/cm~2.另外,異質(zhì)結(jié)的響應(yīng)度和探測率分別從117.2 mA/cm~2增加到184.8 mA/cm~2,5.86×10~(11) cmHz~(1/2)W~(-1)增加到9.20×10~(11) cmHz~(1/2)W~(-1)。
【關(guān)鍵詞】:ZnSe 表面等離子體共振 太陽能電池 光電探測器 光電子器件
【學(xué)位授予單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN15;TB383.1
【目錄】:
  • 致謝7-8
  • 摘要8-9
  • Abstract9-16
  • 第一章 緒論16-31
  • 1.1 引言16
  • 1.2 一維半導(dǎo)體納米材料異質(zhì)結(jié)16-17
  • 1.3 納米太陽能電池17-21
  • 1.4 納米光電探測器21-23
  • 1.5 局域表面等離子體共振的原理與應(yīng)用23-29
  • 1.5.1 局域表面等離子體共振的原理23-24
  • 1.5.2 金屬納米顆粒的可控合成24-25
  • 1.5.3 金屬納米顆粒的LSPR性質(zhì)25-27
  • 1.5.4 金屬納米顆粒的LSPR在光電子器件方面的應(yīng)用27-29
  • 1.6 本課題研究的背景及其意義29-31
  • 第二章 ZnSe納米帶和Ag納米顆粒的合成及其表征31-38
  • 2.1 前言31-32
  • 2.2 p型ZnSe:Sb納米帶和Ag納米顆粒的合成32-34
  • 2.2.1 p型ZnSe:Sb納米帶的合成32-33
  • 2.2.2 Ag納米顆粒的合成33-34
  • 2.3 p型ZnSe:Sb納米帶和Ag納米顆粒的表征34-37
  • 2.3.1 p型ZnSe:Sb納米帶的表征34-36
  • 2.3.2 Ag納米顆粒的表征36-37
  • 2.4 本章小結(jié)37-38
  • 第三章 基于ZnSe納米帶等離子體增強(qiáng)器件的光電特性38-52
  • 3.1 引言38
  • 3.2 Ag納米顆粒和硒化鋅納米帶的光學(xué)性質(zhì)38-42
  • 3.2.1 Ag納米顆粒的光學(xué)性質(zhì)38-41
  • 3.2.2 ZnSe納米帶的光學(xué)性質(zhì)41-42
  • 3.3 ZnSe和Si異質(zhì)結(jié)器件的制備42-45
  • 3.4 ZnSe和Si異質(zhì)結(jié)器件的電學(xué)特性45-49
  • 3.4.1 器件的光伏特性45-47
  • 3.4.2 器件的光響應(yīng)特性47-49
  • 3.5 器件的原理解釋49-50
  • 3.6 本章小結(jié)50-52
  • 第四章 全文總結(jié)52-54
  • 參考文獻(xiàn)54-58
  • 攻讀碩士學(xué)位期間的學(xué)術(shù)活動及成果情況58

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3 ;留美中國專家發(fā)現(xiàn)并合成“納米帶”[J];世界科技研究與發(fā)展;2001年02期

4 ;納米帶[J];新材料產(chǎn)業(yè);2002年05期

5 楊棗;彭坤;袁緩;劉富生;胡愛平;;納米帶的研究進(jìn)展[J];材料科學(xué)與工藝;2006年05期

6 ;石墨納米帶有望成半導(dǎo)體新材料[J];材料導(dǎo)報;2008年S2期

7 黃嵐;張宇;郭志睿;顧寧;;半胱氨酸誘導(dǎo)金納米帶室溫合成[J];科學(xué)通報;2008年20期

8 王卓華;;溫和條件下碲納米帶的穩(wěn)定性研究[J];建材世界;2009年04期

9 陳偉;付紅兵;姚建年;;1,3-二苯基-2-吡唑啉納米帶的制備及其光波導(dǎo)性質(zhì)[J];高等學(xué);瘜W(xué)學(xué)報;2010年03期

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1 周中軍;李志儒;黃旭日;孫家鐘;;氨基取代和鋰摻雜納米帶導(dǎo)致大的靜態(tài)第一超極化率[A];第十屆全國計(jì)算(機(jī))化學(xué)學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2009年

2 楊冬;王非;翟雷應(yīng);梁建;馬淑芳;許并社;;氮化鎵納米帶的制備和表征[A];2006年全國功能材料學(xué)術(shù)年會專輯[C];2006年

3 王彥敏;堵國君;黃林勇;劉宏;王繼揚(yáng);;單晶鉍納米帶的制備與生長機(jī)制研究[A];中國晶體學(xué)會第四屆全國會員代表大會暨學(xué)術(shù)會議學(xué)術(shù)論文摘要集[C];2008年

4 劉宏;周偉家;趙振環(huán);田健;王繼揚(yáng);;二氧化鈦納米帶表面異質(zhì)結(jié)構(gòu):設(shè)計(jì)、制備和應(yīng)用[A];第十六屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集-08納米晶體及其表征[C];2012年

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6 查文珂;何莉萍;;石墨烯納米帶摻雜球形磷酸鐵鋰的制備及性能[A];中國固態(tài)離子學(xué)暨電池材料青年學(xué)術(shù)論壇——論文摘要集[C];2013年

7 呂超;陳曉;靖波;;離子自組裝制備有機(jī)熒光納米帶[A];中國化學(xué)會第十二屆膠體與界面化學(xué)會議論文摘要集[C];2009年

8 李英;馬秀良;;ZnO納米帶的電子顯微學(xué)研究[A];第十三屆全國電子顯微學(xué)會議論文集[C];2004年

9 李英;徐舸;楊春娜;馬秀良;;正交相SnO_2納米帶的電子顯微學(xué)研究[A];2006年全國電子顯微學(xué)會議論文集[C];2006年

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1 柯仁;納米材料的新朋友“納米帶”[N];北京科技報;2001年

2 柏林記者 張兆軍;我合成首例單晶碲化物納米帶[N];科技日報;2007年

3 黃敏;光能“擰彎”物體[N];新華每日電訊;2010年

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5 張小軍;留美中國專家發(fā)現(xiàn)并合成“納米帶”[N];大眾科技報;2001年

6 李宏策;石墨烯納米帶生產(chǎn)新工藝開發(fā)成功[N];科技日報;2012年

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1 宋玉玲;硅納米帶及氟飽和氮化鋁納米帶的第一性原理研究[D];陜西師范大學(xué);2012年

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1 孫霞;稀土鈣鈦礦型氧化物納米帶的制備及光催化性質(zhì)研究[D];長春理工大學(xué);2011年

2 曹杉杉;鋰電池正極材料釩酸銨的制備及其性能研究[D];陜西科技大學(xué);2015年

3 楊鴻玉;基于多壁碳納米管/氧化石墨烯納米帶的多巴胺非酶傳感器研究[D];四川農(nóng)業(yè)大學(xué);2014年

4 白俊強(qiáng);Ni摻雜TiO_2納米帶陣列薄膜制備及光催化性能[D];浙江大學(xué);2016年

5 李勇;硅碳烯納米帶的電子結(jié)構(gòu)及電場效應(yīng)的理論研究[D];太原理工大學(xué);2016年

6 劉麗麗;二硫化鉬納米帶催化析氫活性及其調(diào)控的理論研究[D];太原理工大學(xué);2016年

7 宋刑;低維寬帶隙Ⅱ-Ⅵ半導(dǎo)體材料的制備及性能的研究[D];江蘇大學(xué);2016年

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本文編號:294361

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