2.5D集成技術是指在無源硅襯底(硅轉接板)上堆疊數(shù)個有源芯片。數(shù)個有源芯片放到無源的硅轉接板上。由于硅轉接板是無源基板層,其內不含晶體管,因此不用考慮TSV應力以及散熱難題。2.5D集成不僅是3D集成技術的過渡,而且還是十分重要的集成電路技術。本文首先介紹三維集成技術和2.5D集成技術的研究背景、意義和現(xiàn)狀,分析了硅通孔互連結構的不同形狀。本文整理了求解與建模仿真過程中涉及的基礎的電磁場理論與方程求解的概念。本文主要對2.5D集成的環(huán)形硅通孔對和硅芯環(huán)形同軸硅通孔進行建模與仿真,包括電學特性和信號完整性的分析。在Matlab軟件中進行計算和提取RLCG以及阻抗、導納參數(shù),得到非線性變化的MOS電容;在ADS設計工具中完成等效電路原理圖的建模,在HFSS仿真工具中完成模型建模,然后比較兩個仿真結果的S參數(shù),驗證提取參數(shù)方法、等效電路和模型的準確性。 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

D集成電路與硅通孔互連線

（a） （b）圖 1-2 硅通孔結構(a)三維視圖；(b)橫截面視圖[2]圓柱型硅通孔圓柱 TSV 傳輸結構是最簡單的 TSV 結構。2010 年，Universityof LasadKatti 等人提出[3]了一個偏置電壓（大于平帶電壓并小于閾值電層寬度的方程。由于當時是研究硅通孔的起步時期，在后來被證明這誤差。同年，University of California,UC Santa Barbara 的 Chuan X一個正確的偏置電壓關于耗盡層寬度的方程，該方程是基于圓柱形如圖 1-3 所示。

（a） （b）-2 硅通孔結構(a)三維視圖；(b)橫截面視構是最簡單的 TSV 結構。2010 年出[3]了一個偏置電壓（大于平帶電由于當時是研究硅通孔的起步時期niversity of California,UC Santa Bar電壓關于耗盡層寬度的方程，該方


本文編號：2937051