2.5D集成技術(shù)是指在無源硅襯底(硅轉(zhuǎn)接板)上堆疊數(shù)個有源芯片。數(shù)個有源芯片放到無源的硅轉(zhuǎn)接板上。由于硅轉(zhuǎn)接板是無源基板層,其內(nèi)不含晶體管,因此不用考慮TSV應(yīng)力以及散熱難題。2.5D集成不僅是3D集成技術(shù)的過渡,而且還是十分重要的集成電路技術(shù)。本文首先介紹三維集成技術(shù)和2.5D集成技術(shù)的研究背景、意義和現(xiàn)狀,分析了硅通孔互連結(jié)構(gòu)的不同形狀。本文整理了求解與建模仿真過程中涉及的基礎(chǔ)的電磁場理論與方程求解的概念。本文主要對2.5D集成的環(huán)形硅通孔對和硅芯環(huán)形同軸硅通孔進(jìn)行建模與仿真,包括電學(xué)特性和信號完整性的分析。在Matlab軟件中進(jìn)行計算和提取RLCG以及阻抗、導(dǎo)納參數(shù),得到非線性變化的MOS電容;在ADS設(shè)計工具中完成等效電路原理圖的建模,在HFSS仿真工具中完成模型建模,然后比較兩個仿真結(jié)果的S參數(shù),驗(yàn)證提取參數(shù)方法、等效電路和模型的準(zhǔn)確性。 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

D集成電路與硅通孔互連線

（a） （b）圖 1-2 硅通孔結(jié)構(gòu)(a)三維視圖；(b)橫截面視圖[2]圓柱型硅通孔圓柱 TSV 傳輸結(jié)構(gòu)是最簡單的 TSV 結(jié)構(gòu)。2010 年，Universityof LasadKatti 等人提出[3]了一個偏置電壓（大于平帶電壓并小于閾值電層寬度的方程。由于當(dāng)時是研究硅通孔的起步時期，在后來被證明這誤差。同年，University of California,UC Santa Barbara 的 Chuan X一個正確的偏置電壓關(guān)于耗盡層寬度的方程，該方程是基于圓柱形如圖 1-3 所示。

（a） （b）-2 硅通孔結(jié)構(gòu)(a)三維視圖；(b)橫截面視構(gòu)是最簡單的 TSV 結(jié)構(gòu)。2010 年出[3]了一個偏置電壓（大于平帶電由于當(dāng)時是研究硅通孔的起步時期niversity of California,UC Santa Bar電壓關(guān)于耗盡層寬度的方程，該方


本文編號：2937051