基于層狀材料的范德華（vdWs）異質(zhì)結(jié)構(gòu)在下一代光電器件中顯示出巨大潛力.迄今為止,基于堆疊或外延生長技術(shù),已有多種vdWs異質(zhì)結(jié)構(gòu)被研究.然而,由于vdWs異質(zhì)結(jié)的合成過程復(fù)雜,難以大規(guī)模集成異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件陣列,對其實際應(yīng)用造成了極大的限制.本文中,我們通過脈沖激光沉積技術(shù)自組裝制備了面外垂直In₂Se₃/SnSe₂異質(zhì)結(jié)構(gòu)的平面光電探測器陣列,利用垂直內(nèi)建電場來抑制暗電流并分離光生載流子.所構(gòu)建的器件具有6.3 pA的超低暗電流,8.8×10¹¹Jones的高檢測率和超過3×10⁴的高信噪比.這些性能指標不僅比純In₂Se₃器件高一個數(shù)量級,還展示了探測微弱信號的獨特優(yōu)勢.另外,該異質(zhì)結(jié)構(gòu)光電探測器陣列也可以構(gòu)建在柔性聚酰亞胺襯底上,制備柔性器件.這些器件同樣顯示出有效的光電探測能力,即使彎曲200次后,光響應(yīng)仍保持不變.這些發(fā)現(xiàn)為下一代大面積和高集成度光電技術(shù)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ). 

【文章來源】：Science China Materials. 2020年08期

【文章頁數(shù)】：21 頁


本文編號：2936885