4×25 Gb/s電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成光源陣列封裝方案研究
發(fā)布時(shí)間:2020-12-25 01:38
對(duì)應(yīng)用于4×25Gb/s電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成光源陣列的微波傳輸線進(jìn)行了設(shè)計(jì)。通過(guò)有限元法仿真,確定其最優(yōu)結(jié)構(gòu)。經(jīng)優(yōu)化后,采用引腳封裝的多路傳輸線在30GHz以內(nèi)的傳輸損耗低于0.5dB,反射系數(shù)低于-13dB,并有效抑制了相鄰信道間的串?dāng)_。對(duì)集成光源陣列的封裝方案進(jìn)行了研究,提出了一種合理高效的封裝方案。
【文章來(lái)源】:半導(dǎo)體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖
,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長(zhǎng)度,進(jìn)一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無(wú)法滿足安裝K接頭的需求。為了應(yīng)用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實(shí)現(xiàn)地電極信號(hào)的加載,需要在信號(hào)電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時(shí)利用通孔實(shí)現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安裝。圖2是采用同軸封裝多路傳輸線的結(jié)構(gòu)示意圖。這一結(jié)構(gòu)增加了微帶線的尺寸,會(huì)增加一定的傳輸損耗。下一節(jié)我們將通過(guò)仿真,對(duì)兩種不同結(jié)構(gòu)的傳輸線特性進(jìn)行比較。圖2同軸封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖2微波特性仿真結(jié)果電路基板材料選擇介電常數(shù)為9.8的Al2O3陶瓷,厚度為200μm。同時(shí),采用厚度2μm的金作為電極材料。兩種傳輸線均采用相同的GCPW結(jié)構(gòu),如圖3所示。GCPW傳輸線信號(hào)電極寬度100μm,與地電極的間距為50μm。通孔直徑為150μm,信號(hào)電極兩側(cè)的通孔間距為600μm,沿微波傳輸方向通孔間距為500μm。相鄰傳輸線間距為800μm。圖3GCPW傳輸線結(jié)構(gòu)圖(單位:μm)圖4和圖5分別是引腳封裝和同軸封裝的微帶線結(jié)構(gòu)圖。電路板的寬度固定為6mm。彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW間的過(guò)渡段長(zhǎng)度選擇100μm。這一方面縮短了平行走線的長(zhǎng)度,另一方面可以提供足夠的間距以避免微帶線和GCPW之間電磁場(chǎng)的相互干擾。對(duì)上述兩種傳輸線結(jié)構(gòu)以及未
多路微波傳輸線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),利用有限元法進(jìn)行仿真,確定合理的結(jié)構(gòu),同時(shí)提出一種簡(jiǎn)潔且易實(shí)現(xiàn)的封裝方案。1多路傳輸線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在之前的工作中,我們利用微帶線轉(zhuǎn)接地共面波導(dǎo)(GCPW)傳輸線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了40Gb/s集成光源的封裝[3]。為了滿足40Gb/s的傳輸速率,我們采用K型微波接頭將電信號(hào)加載至微帶傳輸線上。引入微帶線一方面便于與同軸接頭的封裝,另一方面K接頭中心電極直徑為0.3mm,而GCPW中心電極寬度為0.1mm,因此采用電極寬度更寬的微帶線作為過(guò)渡段可以降低電極不連續(xù)性帶來(lái)的不利影響。在本論文工作中,使用并行的微帶線轉(zhuǎn)GCPW結(jié)構(gòu)作為多路傳輸線的設(shè)計(jì)基矗對(duì)于4路調(diào)制信號(hào)輸入,我們使其均勻分布在管殼兩側(cè),構(gòu)成如圖1所示的傳輸線模型。圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖多路傳輸線結(jié)構(gòu)中引入了90°彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW相連。由于微帶線具有開(kāi)放性的場(chǎng)分布,兩條平行布置的相鄰微帶線之間會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的耦合,導(dǎo)致較大的串?dāng)_和傳輸損耗[7]。因此,我們將相鄰微帶線間距增大至2mm,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長(zhǎng)度,進(jìn)一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無(wú)法滿足安裝K接頭的需求。為了應(yīng)用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實(shí)現(xiàn)地電極信號(hào)的加載,需要在信號(hào)電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時(shí)利用通孔實(shí)現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]BCB/InP基寬帶低損耗共面波導(dǎo)微波傳輸線[J]. 侯海燕,熊兵,徐建明,周奇?zhèn)?孫長(zhǎng)征,羅毅. 半導(dǎo)體光電. 2008(05)
博士論文
[1]40 Gb/s集成光源模塊的調(diào)制特性優(yōu)化研究[D]. 徐建明.清華大學(xué) 2010
本文編號(hào):2936700
【文章來(lái)源】:半導(dǎo)體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖
,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長(zhǎng)度,進(jìn)一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無(wú)法滿足安裝K接頭的需求。為了應(yīng)用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實(shí)現(xiàn)地電極信號(hào)的加載,需要在信號(hào)電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時(shí)利用通孔實(shí)現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安裝。圖2是采用同軸封裝多路傳輸線的結(jié)構(gòu)示意圖。這一結(jié)構(gòu)增加了微帶線的尺寸,會(huì)增加一定的傳輸損耗。下一節(jié)我們將通過(guò)仿真,對(duì)兩種不同結(jié)構(gòu)的傳輸線特性進(jìn)行比較。圖2同軸封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖2微波特性仿真結(jié)果電路基板材料選擇介電常數(shù)為9.8的Al2O3陶瓷,厚度為200μm。同時(shí),采用厚度2μm的金作為電極材料。兩種傳輸線均采用相同的GCPW結(jié)構(gòu),如圖3所示。GCPW傳輸線信號(hào)電極寬度100μm,與地電極的間距為50μm。通孔直徑為150μm,信號(hào)電極兩側(cè)的通孔間距為600μm,沿微波傳輸方向通孔間距為500μm。相鄰傳輸線間距為800μm。圖3GCPW傳輸線結(jié)構(gòu)圖(單位:μm)圖4和圖5分別是引腳封裝和同軸封裝的微帶線結(jié)構(gòu)圖。電路板的寬度固定為6mm。彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW間的過(guò)渡段長(zhǎng)度選擇100μm。這一方面縮短了平行走線的長(zhǎng)度,另一方面可以提供足夠的間距以避免微帶線和GCPW之間電磁場(chǎng)的相互干擾。對(duì)上述兩種傳輸線結(jié)構(gòu)以及未
多路微波傳輸線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),利用有限元法進(jìn)行仿真,確定合理的結(jié)構(gòu),同時(shí)提出一種簡(jiǎn)潔且易實(shí)現(xiàn)的封裝方案。1多路傳輸線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在之前的工作中,我們利用微帶線轉(zhuǎn)接地共面波導(dǎo)(GCPW)傳輸線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了40Gb/s集成光源的封裝[3]。為了滿足40Gb/s的傳輸速率,我們采用K型微波接頭將電信號(hào)加載至微帶傳輸線上。引入微帶線一方面便于與同軸接頭的封裝,另一方面K接頭中心電極直徑為0.3mm,而GCPW中心電極寬度為0.1mm,因此采用電極寬度更寬的微帶線作為過(guò)渡段可以降低電極不連續(xù)性帶來(lái)的不利影響。在本論文工作中,使用并行的微帶線轉(zhuǎn)GCPW結(jié)構(gòu)作為多路傳輸線的設(shè)計(jì)基矗對(duì)于4路調(diào)制信號(hào)輸入,我們使其均勻分布在管殼兩側(cè),構(gòu)成如圖1所示的傳輸線模型。圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖多路傳輸線結(jié)構(gòu)中引入了90°彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW相連。由于微帶線具有開(kāi)放性的場(chǎng)分布,兩條平行布置的相鄰微帶線之間會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的耦合,導(dǎo)致較大的串?dāng)_和傳輸損耗[7]。因此,我們將相鄰微帶線間距增大至2mm,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長(zhǎng)度,進(jìn)一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無(wú)法滿足安裝K接頭的需求。為了應(yīng)用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實(shí)現(xiàn)地電極信號(hào)的加載,需要在信號(hào)電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時(shí)利用通孔實(shí)現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]BCB/InP基寬帶低損耗共面波導(dǎo)微波傳輸線[J]. 侯海燕,熊兵,徐建明,周奇?zhèn)?孫長(zhǎng)征,羅毅. 半導(dǎo)體光電. 2008(05)
博士論文
[1]40 Gb/s集成光源模塊的調(diào)制特性優(yōu)化研究[D]. 徐建明.清華大學(xué) 2010
本文編號(hào):2936700
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