4×25 Gb/s電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成光源陣列封裝方案研究
發(fā)布時間:2020-12-25 01:38
對應用于4×25Gb/s電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成光源陣列的微波傳輸線進行了設計。通過有限元法仿真,確定其最優(yōu)結(jié)構(gòu)。經(jīng)優(yōu)化后,采用引腳封裝的多路傳輸線在30GHz以內(nèi)的傳輸損耗低于0.5dB,反射系數(shù)低于-13dB,并有效抑制了相鄰信道間的串擾。對集成光源陣列的封裝方案進行了研究,提出了一種合理高效的封裝方案。
【文章來源】:半導體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖
,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長度,進一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無法滿足安裝K接頭的需求。為了應用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實現(xiàn)地電極信號的加載,需要在信號電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時利用通孔實現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安裝。圖2是采用同軸封裝多路傳輸線的結(jié)構(gòu)示意圖。這一結(jié)構(gòu)增加了微帶線的尺寸,會增加一定的傳輸損耗。下一節(jié)我們將通過仿真,對兩種不同結(jié)構(gòu)的傳輸線特性進行比較。圖2同軸封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖2微波特性仿真結(jié)果電路基板材料選擇介電常數(shù)為9.8的Al2O3陶瓷,厚度為200μm。同時,采用厚度2μm的金作為電極材料。兩種傳輸線均采用相同的GCPW結(jié)構(gòu),如圖3所示。GCPW傳輸線信號電極寬度100μm,與地電極的間距為50μm。通孔直徑為150μm,信號電極兩側(cè)的通孔間距為600μm,沿微波傳輸方向通孔間距為500μm。相鄰傳輸線間距為800μm。圖3GCPW傳輸線結(jié)構(gòu)圖(單位:μm)圖4和圖5分別是引腳封裝和同軸封裝的微帶線結(jié)構(gòu)圖。電路板的寬度固定為6mm。彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW間的過渡段長度選擇100μm。這一方面縮短了平行走線的長度,另一方面可以提供足夠的間距以避免微帶線和GCPW之間電磁場的相互干擾。對上述兩種傳輸線結(jié)構(gòu)以及未
多路微波傳輸線結(jié)構(gòu)設計,利用有限元法進行仿真,確定合理的結(jié)構(gòu),同時提出一種簡潔且易實現(xiàn)的封裝方案。1多路傳輸線結(jié)構(gòu)設計在之前的工作中,我們利用微帶線轉(zhuǎn)接地共面波導(GCPW)傳輸線結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了40Gb/s集成光源的封裝[3]。為了滿足40Gb/s的傳輸速率,我們采用K型微波接頭將電信號加載至微帶傳輸線上。引入微帶線一方面便于與同軸接頭的封裝,另一方面K接頭中心電極直徑為0.3mm,而GCPW中心電極寬度為0.1mm,因此采用電極寬度更寬的微帶線作為過渡段可以降低電極不連續(xù)性帶來的不利影響。在本論文工作中,使用并行的微帶線轉(zhuǎn)GCPW結(jié)構(gòu)作為多路傳輸線的設計基矗對于4路調(diào)制信號輸入,我們使其均勻分布在管殼兩側(cè),構(gòu)成如圖1所示的傳輸線模型。圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖多路傳輸線結(jié)構(gòu)中引入了90°彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW相連。由于微帶線具有開放性的場分布,兩條平行布置的相鄰微帶線之間會產(chǎn)生較強的耦合,導致較大的串擾和傳輸損耗[7]。因此,我們將相鄰微帶線間距增大至2mm,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長度,進一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無法滿足安裝K接頭的需求。為了應用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實現(xiàn)地電極信號的加載,需要在信號電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時利用通孔實現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安
【參考文獻】:
期刊論文
[1]BCB/InP基寬帶低損耗共面波導微波傳輸線[J]. 侯海燕,熊兵,徐建明,周奇?zhèn)?孫長征,羅毅. 半導體光電. 2008(05)
博士論文
[1]40 Gb/s集成光源模塊的調(diào)制特性優(yōu)化研究[D]. 徐建明.清華大學 2010
本文編號:2936700
【文章來源】:半導體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖
,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長度,進一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無法滿足安裝K接頭的需求。為了應用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實現(xiàn)地電極信號的加載,需要在信號電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時利用通孔實現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安裝。圖2是采用同軸封裝多路傳輸線的結(jié)構(gòu)示意圖。這一結(jié)構(gòu)增加了微帶線的尺寸,會增加一定的傳輸損耗。下一節(jié)我們將通過仿真,對兩種不同結(jié)構(gòu)的傳輸線特性進行比較。圖2同軸封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖2微波特性仿真結(jié)果電路基板材料選擇介電常數(shù)為9.8的Al2O3陶瓷,厚度為200μm。同時,采用厚度2μm的金作為電極材料。兩種傳輸線均采用相同的GCPW結(jié)構(gòu),如圖3所示。GCPW傳輸線信號電極寬度100μm,與地電極的間距為50μm。通孔直徑為150μm,信號電極兩側(cè)的通孔間距為600μm,沿微波傳輸方向通孔間距為500μm。相鄰傳輸線間距為800μm。圖3GCPW傳輸線結(jié)構(gòu)圖(單位:μm)圖4和圖5分別是引腳封裝和同軸封裝的微帶線結(jié)構(gòu)圖。電路板的寬度固定為6mm。彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW間的過渡段長度選擇100μm。這一方面縮短了平行走線的長度,另一方面可以提供足夠的間距以避免微帶線和GCPW之間電磁場的相互干擾。對上述兩種傳輸線結(jié)構(gòu)以及未
多路微波傳輸線結(jié)構(gòu)設計,利用有限元法進行仿真,確定合理的結(jié)構(gòu),同時提出一種簡潔且易實現(xiàn)的封裝方案。1多路傳輸線結(jié)構(gòu)設計在之前的工作中,我們利用微帶線轉(zhuǎn)接地共面波導(GCPW)傳輸線結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了40Gb/s集成光源的封裝[3]。為了滿足40Gb/s的傳輸速率,我們采用K型微波接頭將電信號加載至微帶傳輸線上。引入微帶線一方面便于與同軸接頭的封裝,另一方面K接頭中心電極直徑為0.3mm,而GCPW中心電極寬度為0.1mm,因此采用電極寬度更寬的微帶線作為過渡段可以降低電極不連續(xù)性帶來的不利影響。在本論文工作中,使用并行的微帶線轉(zhuǎn)GCPW結(jié)構(gòu)作為多路傳輸線的設計基矗對于4路調(diào)制信號輸入,我們使其均勻分布在管殼兩側(cè),構(gòu)成如圖1所示的傳輸線模型。圖1引腳封裝多路傳輸線結(jié)構(gòu)示意圖多路傳輸線結(jié)構(gòu)中引入了90°彎曲結(jié)構(gòu)與GCPW相連。由于微帶線具有開放性的場分布,兩條平行布置的相鄰微帶線之間會產(chǎn)生較強的耦合,導致較大的串擾和傳輸損耗[7]。因此,我們將相鄰微帶線間距增大至2mm,并改變中間兩路微帶線的走線方向,縮短了相鄰傳輸線間平行走線的距離。另一方面,此結(jié)構(gòu)縮短了中間兩路微帶線所需的長度,進一步降低了傳輸損耗。然而,由于K接頭尺寸的限制,2mm的間距無法滿足安裝K接頭的需求。為了應用圖1所示傳輸線結(jié)構(gòu),可以采用引腳封裝代替同軸封裝。而為了實現(xiàn)地電極信號的加載,需要在信號電極兩側(cè)制作電極,與引腳地電極相連,同時利用通孔實現(xiàn)與背地電極共地。為了滿足同軸封裝的要求,選擇增大相鄰傳輸線的間距至6.5mm,以保證微波接頭能順利地安
【參考文獻】:
期刊論文
[1]BCB/InP基寬帶低損耗共面波導微波傳輸線[J]. 侯海燕,熊兵,徐建明,周奇?zhèn)?孫長征,羅毅. 半導體光電. 2008(05)
博士論文
[1]40 Gb/s集成光源模塊的調(diào)制特性優(yōu)化研究[D]. 徐建明.清華大學 2010
本文編號:2936700
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