基于RapidIO協(xié)議下的5Gb/s高速串行數(shù)據(jù)發(fā)送器設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2020-12-22 18:10
如今社會(huì),信息的交互越來越頻繁。大數(shù)據(jù)量的交互使人們對(duì)高傳輸速率的追求越來越高。高速串行接口在傳輸速率方面的優(yōu)勢(shì),使得它較并行接口得到了更廣泛的研究和應(yīng)用。本論文研究了高速串行接口發(fā)送器,主要工作如下:在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)方面:通過對(duì)電流模發(fā)送器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的分析,針對(duì)高速串行接口發(fā)送器高信號(hào)完整性的應(yīng)用需求,設(shè)計(jì)了一款數(shù)據(jù)率為5Gb/s的大擺幅電流模發(fā)送器;根據(jù)電流模發(fā)送器對(duì)尾電流高精度的要求,設(shè)計(jì)了一款可以調(diào)節(jié)輸出電流的帶隙基準(zhǔn)源。在理論分析方面:通過分析輸出驅(qū)動(dòng)器的等效電路,發(fā)現(xiàn)了電流模輸出驅(qū)動(dòng)器的輸出幅度、去加重級(jí)數(shù)以及尾電流設(shè)置之間的關(guān)系,從而得到了輸出信號(hào)擺幅的普適公式。在電路設(shè)計(jì)方面:采用組合結(jié)構(gòu)的串化器來串化10位并行輸入數(shù)據(jù);運(yùn)用反比例縮減技術(shù)來降低電流模發(fā)送器功耗,運(yùn)用偏置電流濾波技術(shù)提高抗共模噪聲能力;加入開關(guān)控制對(duì)帶隙基準(zhǔn)源的輸出電流進(jìn)行調(diào)節(jié),保證輸出電流滿足電流模發(fā)送器輸出驅(qū)動(dòng)器的需求;嘗試采用低壓供電來設(shè)計(jì)電流模輸出驅(qū)動(dòng)器,以降低電流模輸出驅(qū)動(dòng)器的整體功耗。最后,采用huali 40nm CMOS工藝對(duì)電流模發(fā)送器和帶隙基準(zhǔn)進(jìn)行了版圖設(shè)計(jì)和仿真驗(yàn)證,面積分別為153*23...
【文章來源】:北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:77 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
序
1 引言
1.1 課題實(shí)現(xiàn)的背景和意義
1.1.1 背景
1.1.2 意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.2.1 國(guó)外研究現(xiàn)狀
1.2.2 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
1.3 本文主要工作
1.4 論文的章節(jié)安排
2 高速串行接口數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)概述
2.1 RapidIO協(xié)議簡(jiǎn)介
2.2 高速串行接口通用架構(gòu)
2.2.1 發(fā)送器的常用結(jié)構(gòu)
2.2.2 電流模發(fā)送器
2.3 高速串行接口電路性能評(píng)價(jià)指標(biāo)
2.3.1 抖動(dòng)
2.3.2 眼圖
2.3.3 誤碼率
2.4 高速串行接口電路中的傳輸信道
2.4.1 頻率依賴性損耗
2.4.2 反射
2.5 信號(hào)完整性與解決方案
2.5.1 阻抗匹配
2.5.2 編碼技術(shù)
2.5.3 信道補(bǔ)償技術(shù)
2.6 本章小結(jié)
3 5Gb/s高速串行電流模發(fā)送器設(shè)計(jì)
3.1 電流模發(fā)送器結(jié)構(gòu)
3.2 預(yù)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.2.1 串化器設(shè)計(jì)
3.2.2 時(shí)鐘模塊設(shè)計(jì)
3.3 電流模去加重輸出驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.3.1 去加重時(shí)的等效電路分析
3.3.2 電流模輸出驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.4 帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)
3.4.1 帶隙電壓基準(zhǔn)電路工作原理
3.4.2 帶隙電壓基準(zhǔn)電路性能評(píng)價(jià)
3.4.3 傳統(tǒng)型帶隙電壓基準(zhǔn)電路
3.4.4 電壓-電流轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
3.4.5 帶隙基準(zhǔn)源整體電路設(shè)計(jì)
3.5 低壓供電電流模輸出驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.6 本章小結(jié)
4 版圖設(shè)計(jì)和后仿真結(jié)果
4.1 版圖設(shè)計(jì)概述
4.1.1 匹配設(shè)計(jì)
4.1.2 寄生優(yōu)化設(shè)計(jì)
4.1.3 抗干擾設(shè)計(jì)
4.1.4 可靠性設(shè)計(jì)
4.1.5 深亞微米版圖設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
4.2 5Gb/s電流模發(fā)送器的版圖設(shè)計(jì)
4.3 帶隙基準(zhǔn)源的版圖設(shè)計(jì)
4.4 低壓供電輸出驅(qū)動(dòng)器的版圖設(shè)計(jì)
4.5 后仿真驗(yàn)證
4.5.1 5Gb/s電流模發(fā)送器的后仿真驗(yàn)證
4.5.2 帶隙基準(zhǔn)源的后仿真驗(yàn)證
4.5.3 低壓供電輸出驅(qū)動(dòng)器的后仿真驗(yàn)證
4.6 本章小結(jié)
5 測(cè)試分析
5.1 測(cè)試方案
5.2 測(cè)試結(jié)果與性能分析對(duì)比
5.3 本章小結(jié)
6 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)
6.2 展望
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)歷及攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]A 6.25 Gb/s equalizer in 0.18μm CMOS technology for high-speed SerDes[J]. 張明科,胡慶生. Journal of Semiconductors. 2013(12)
[2]A 5 Gb/s transceiver in 0.13μm CMOS for PCIE2.0[J]. 羅鋼,高常平,曾獻(xiàn)君. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2011(08)
[3]A 2.5-Gb/s fully-integrated,low-power clock and recovery circuit in 0.18-μm CMOS[J]. 張長(zhǎng)春,王志功,施思,郭宇峰. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2010(03)
[4]5-Gb/s 0.18-μm CMOS 2:1 multiplexer with integrated clock extraction[J]. 張長(zhǎng)春,王志功,施思,苗澎,田玲. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2009(09)
博士論文
[1]高速SERDES接口芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 韋雪明.電子科技大學(xué) 2012
[2]高速串行數(shù)據(jù)發(fā)送器的研究[D]. 葉菁華.復(fù)旦大學(xué) 2005
碩士論文
[1]基于0.13μmCMOS工藝的5Gbps CDR電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 馮穎劼.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2007
[2]高速串行接口電路的研究與設(shè)計(jì)[D]. 王建軍.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2006
本文編號(hào):2932190
【文章來源】:北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:77 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
序
1 引言
1.1 課題實(shí)現(xiàn)的背景和意義
1.1.1 背景
1.1.2 意義
1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.2.1 國(guó)外研究現(xiàn)狀
1.2.2 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
1.3 本文主要工作
1.4 論文的章節(jié)安排
2 高速串行接口數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)概述
2.1 RapidIO協(xié)議簡(jiǎn)介
2.2 高速串行接口通用架構(gòu)
2.2.1 發(fā)送器的常用結(jié)構(gòu)
2.2.2 電流模發(fā)送器
2.3 高速串行接口電路性能評(píng)價(jià)指標(biāo)
2.3.1 抖動(dòng)
2.3.2 眼圖
2.3.3 誤碼率
2.4 高速串行接口電路中的傳輸信道
2.4.1 頻率依賴性損耗
2.4.2 反射
2.5 信號(hào)完整性與解決方案
2.5.1 阻抗匹配
2.5.2 編碼技術(shù)
2.5.3 信道補(bǔ)償技術(shù)
2.6 本章小結(jié)
3 5Gb/s高速串行電流模發(fā)送器設(shè)計(jì)
3.1 電流模發(fā)送器結(jié)構(gòu)
3.2 預(yù)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.2.1 串化器設(shè)計(jì)
3.2.2 時(shí)鐘模塊設(shè)計(jì)
3.3 電流模去加重輸出驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.3.1 去加重時(shí)的等效電路分析
3.3.2 電流模輸出驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.4 帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)
3.4.1 帶隙電壓基準(zhǔn)電路工作原理
3.4.2 帶隙電壓基準(zhǔn)電路性能評(píng)價(jià)
3.4.3 傳統(tǒng)型帶隙電壓基準(zhǔn)電路
3.4.4 電壓-電流轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
3.4.5 帶隙基準(zhǔn)源整體電路設(shè)計(jì)
3.5 低壓供電電流模輸出驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
3.6 本章小結(jié)
4 版圖設(shè)計(jì)和后仿真結(jié)果
4.1 版圖設(shè)計(jì)概述
4.1.1 匹配設(shè)計(jì)
4.1.2 寄生優(yōu)化設(shè)計(jì)
4.1.3 抗干擾設(shè)計(jì)
4.1.4 可靠性設(shè)計(jì)
4.1.5 深亞微米版圖設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
4.2 5Gb/s電流模發(fā)送器的版圖設(shè)計(jì)
4.3 帶隙基準(zhǔn)源的版圖設(shè)計(jì)
4.4 低壓供電輸出驅(qū)動(dòng)器的版圖設(shè)計(jì)
4.5 后仿真驗(yàn)證
4.5.1 5Gb/s電流模發(fā)送器的后仿真驗(yàn)證
4.5.2 帶隙基準(zhǔn)源的后仿真驗(yàn)證
4.5.3 低壓供電輸出驅(qū)動(dòng)器的后仿真驗(yàn)證
4.6 本章小結(jié)
5 測(cè)試分析
5.1 測(cè)試方案
5.2 測(cè)試結(jié)果與性能分析對(duì)比
5.3 本章小結(jié)
6 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)
6.2 展望
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)歷及攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]A 6.25 Gb/s equalizer in 0.18μm CMOS technology for high-speed SerDes[J]. 張明科,胡慶生. Journal of Semiconductors. 2013(12)
[2]A 5 Gb/s transceiver in 0.13μm CMOS for PCIE2.0[J]. 羅鋼,高常平,曾獻(xiàn)君. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2011(08)
[3]A 2.5-Gb/s fully-integrated,low-power clock and recovery circuit in 0.18-μm CMOS[J]. 張長(zhǎng)春,王志功,施思,郭宇峰. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2010(03)
[4]5-Gb/s 0.18-μm CMOS 2:1 multiplexer with integrated clock extraction[J]. 張長(zhǎng)春,王志功,施思,苗澎,田玲. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2009(09)
博士論文
[1]高速SERDES接口芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 韋雪明.電子科技大學(xué) 2012
[2]高速串行數(shù)據(jù)發(fā)送器的研究[D]. 葉菁華.復(fù)旦大學(xué) 2005
碩士論文
[1]基于0.13μmCMOS工藝的5Gbps CDR電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 馮穎劼.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2007
[2]高速串行接口電路的研究與設(shè)計(jì)[D]. 王建軍.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2006
本文編號(hào):2932190
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2932190.html
最近更新
教材專著