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折射型紅外微透鏡陣列器件的發(fā)展及制備

發(fā)布時間:2020-12-21 07:32
  光學器件的小型化、集成化是現(xiàn)代光學系統(tǒng)發(fā)展的重要趨勢。在微小光學器件中,陣列化折射成像微光學器件主要包括微透鏡陣列器件等,廣泛應用于成像、計量、波束整形等領域。針對紅外波段成像、計量測量、激光加工等領域的特殊應用需求,紅外波段工作的微透鏡陣列器件受到了廣泛重視,并得到迅速發(fā)展?偨Y了紅外微透鏡陣列器件的發(fā)展及制備方法,包括使用不同材料、不同制造方法制備紅外微光學器件,以及紅外微透鏡陣列器件在紅外波段成像、計量、并行加工、光束勻化方面的應用,分析了紅外微透鏡陣列器件及其制造方法存在的挑戰(zhàn)與機遇。 

【文章來源】:激光與光電子學進展. 2020年07期 北大核心

【文章頁數(shù)】:16 頁

【部分圖文】:

折射型紅外微透鏡陣列器件的發(fā)展及制備


超精密機械加工Si基紅外微透鏡陣列[40]。(a)裝備金剛石刀具的微加工系統(tǒng);(b)制備的Si基微透鏡陣列表面形貌

掃描電鏡照片,微透鏡,陣列,焦點


基于飛秒激光誘導刻蝕的微納加工是一種高效成型方法[49],首先用激光在紅外半導體材料表面高速誘導出微改性區(qū)點陣,該區(qū)域中材料晶格結構和化學鍵的鍵角發(fā)生改變,物質的化學反應活性增強,與刻蝕劑作用時反應速率會比未被激光輻照的區(qū)域高兩個數(shù)量級,使被輻照的區(qū)域在刻蝕時具有選擇性,從而實現(xiàn)材料的高效定向去除,形成優(yōu)質的微光學面型。Pan等[56-57]利用飛秒激光誘導化學刻蝕法在Si襯底上制備了平凹微透鏡陣列器件,如圖3所示。將再生放大飛秒激光光源輸出的高斯飛秒脈沖(中心波長為800nm,脈沖寬度為120fs,重復頻率為1kHz)使用顯微物鏡(10×,數(shù)值孔徑NA=0.3)聚焦到Si襯底表面,激光單脈沖能量為20μJ,每個輻照點的脈沖數(shù)為50發(fā),即每點激光沉積能量為1mJ,經(jīng)掃描依次曝光形成點陣。激光處理過的襯底用超聲依次在丙酮、乙醇、去離子水中清洗,然后使用HNA混合酸刻蝕劑(HF-40%,HNO3-69%和HAC-99%的質量比為3∶12∶10)進行化學刻蝕,其中HNO3可將Si氧化,HF可去除氧化生成的SiO2溶解,HAC為緩沖劑[58]。經(jīng)刻蝕、化學拋光可并行形成微尺度的光學表面。圖3 飛秒激光輔助濕法刻蝕法制備Si基微透鏡陣列流程圖[56]

流程圖,刻蝕,微透鏡,陣列


圖2 Si基微透鏡/反射錐耦合器件[44]。(a)耦合陣列結構的加工與集成原理;(b)微反射錐孔截面的掃描電鏡照片(SEM);(c)微透鏡陣列的掃描電鏡照片;(d)所制備器件形成的輸出焦點陣列;(e)單個匯聚焦點刻蝕中微凹面的形貌演化如圖4所示,初始HF溶解改性區(qū),形成一個凹面結構,隨后以此為中心不斷發(fā)生氧化和溶解。由于HNA刻蝕劑是一種各向同性刻蝕劑,最終會以加工作用點為中心形成球面拋光的光學面,經(jīng)測量凹面直徑為58μm,深度為12μm,計算獲得的球面曲率半徑為40μm。通過控制刻蝕時間,使微凹面邊緣相切,填充比可達78%。

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:2929458

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