當(dāng)前,伴隨著手機等手持智能設(shè)備的廣泛應(yīng)用,移動通信系統(tǒng)也從最早只能實現(xiàn)語音通話服務(wù)的1G、2G移動通信服務(wù)發(fā)展到3G、4G移動通信再到即將大規(guī)模占領(lǐng)市場的5G通信,信息技術(shù)的每一步發(fā)展無不深刻地影響著人們生活的方方面面。飛速發(fā)展的信息時代里無線通信技術(shù)更多的依賴于射頻領(lǐng)域的發(fā)展。由此,射頻電路的設(shè)計迎來了一系列的挑戰(zhàn),新的通信系統(tǒng)對射頻電路的復(fù)雜度、集成度等方面都提出了更高的要求,對其中模塊電路的各項性能指標(biāo)也要更加優(yōu)化以便更好的適應(yīng)于整個無線信號收發(fā)系統(tǒng)。面向于射頻前端模塊（FEMs）,本文基于0.13um RF SOI工藝設(shè)計完成了一種高性能并可以應(yīng)用的射頻開關(guān),主要工作及研究成果包括:1.在對比分析不同射頻開關(guān)工藝特征的基礎(chǔ)上,基于SOI工藝,提出一種單刀雙擲（SPDT）射頻開關(guān)單芯片以及單刀16擲（SP16T）開關(guān)芯片設(shè)計的技術(shù)方案,完成了0.13um RF PD SOI工藝下的電路設(shè)計、版圖設(shè)計及仿真驗證,仿真結(jié)果滿足設(shè)計要求。2.完成了射頻開關(guān)單芯片的外圍輔助電路設(shè)計,包括:帶隙基準(zhǔn)、低壓差線性穩(wěn)壓器、振蕩器、電荷泵及上電復(fù)位電路,以及上述各電路模塊的仿真驗證,仿真結(jié)果滿足... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

收發(fā)信機一般框圖

圖 2.2 射頻前端結(jié)構(gòu)框圖緒論中提到的，由 3.9G 向 4G 過渡的 LTE 已經(jīng)成為目前高數(shù)據(jù)速率的標(biāo)用 OFDMA 以及載波聚合（CA）等技術(shù)已經(jīng)可以將下行速率提高到 300M行速率達(dá)到 75Mbps。LTE 目前已經(jīng)定義了超過 40 多個頻帶并且覆z 到 2.6GHz 中很多不連續(xù)、間隔的頻帶，現(xiàn)在已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在各種智在 5G 市場中發(fā)揮更大的作用，這就對射頻無線的設(shè)計也提出了更高的要出了一種產(chǎn)品級的典型智能手機無線收發(fā)結(jié)構(gòu)，可以看到其中包含了許外圍電路，射頻天線開關(guān)在整個手機無線收發(fā)結(jié)構(gòu)中所占的比例是比著 Radio Block 周圍幾乎都有射頻天線開關(guān)的應(yīng)用，因此，射頻開關(guān)的在整個收發(fā)系統(tǒng)中就顯得格外重要。2.5GModule2.5G RxRadioBlock`obile Connectivity RFCellular RF

圖 2.5 MOS 仿真電路OS 管的寬度設(shè)為變量 w，在 cadence 軟件中對 w 從 1um 到 30um進(jìn)選擇輸出為 MOS 管的漏極電流，得到曲線如下圖 2.6 所示，由于E 參數(shù)與器件寬長相關(guān)，故可以看到漏極電流并沒有與 MOS 管的溝關(guān)系。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]SOI射頻開關(guān)測試結(jié)構(gòu)特性參數(shù)分析[J]. 劉張李.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2017(01)
[2]一種非對稱射頻開關(guān)芯片的設(shè)計[J]. 朱紅衛(wèi),周天舒,劉國軍,李丹,胡冠斌.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2012(02)
[3]低插入損耗高隔離度SOI射頻開關(guān)電路的研究[J]. 田亮,陳磊,周進(jìn),黃愛波,賴宗聲.  微電子學(xué). 2009(05)

碩士論文
[1]一種2.4GHz CMOS射頻開關(guān)和功率放大器的設(shè)計[D]. 孫浩.東南大學(xué) 2016
[2]GaAs MOSFET射頻開關(guān)器件與電路的研究[D]. 楊靖治.西安電子科技大學(xué) 2014



本文編號：2928069