為了提高GaN基LED的發(fā)光效率,設(shè)計了一種新型LED模型,該模型主要包括Ag光柵,氧化銦錫過渡層和PGaN光柵。首先闡述了利用該結(jié)構(gòu)激發(fā)表面等離子體從而改善LED發(fā)光特性的原理,討論了該模型的加工工藝與制作過程�；贑OMSOL軟件,利用有限元法對本文提出的LED模型進(jìn)行了仿真分析,得出該模型在不同結(jié)構(gòu)參數(shù)下,歸一化輻射功率與歸一化損耗功率隨波長的變化規(guī)律以及電場分布情況。仿真結(jié)果表明,在ITO過渡層厚度為55nm,周期為270nm,占空比為0.5時,所設(shè)計的GaN基LED模型的發(fā)光強度較普通LED提高近30倍,這一結(jié)果為研制高性能GaN基LED提供了可靠基礎(chǔ)。 

【文章來源】：光學(xué)精密工程. 2017年05期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 結(jié)構(gòu)設(shè)計及理論研究
    2.1 LED結(jié)構(gòu)模型
    2.2 理論研究
    2.3 共振條件
    2.4 參數(shù)設(shè)置
3 仿真結(jié)果與數(shù)值分析
    3.1 過渡層厚度d
    3.2 光柵周期T
    3.3 占空比r
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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