光子晶體全光邏輯或非門和非門的設(shè)計(jì)優(yōu)化
發(fā)布時(shí)間:2020-12-17 03:22
提出了一種二維三角晶格光子晶體"或非"和"非"全光邏輯門設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)使用空氣中的硅介質(zhì)柱光子晶體材料,其主體為四根光子晶體波導(dǎo)組成的四端口結(jié)構(gòu)。通過(guò)平面波展開法和有限時(shí)域差分法計(jì)算了其能帶結(jié)構(gòu)和光學(xué)傳輸特性,并對(duì)其邏輯功能進(jìn)行了分析。結(jié)果顯示,通過(guò)控制光相位,該結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)"或非"和"非"邏輯功能,結(jié)構(gòu)尺寸為9.675μm×7.820μm,響應(yīng)周期為0.388ps。
【文章來(lái)源】:半導(dǎo)體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
分布示意圖圖1邏輯門結(jié)構(gòu)及其折射率分布示意圖(b)
效應(yīng)相消,從而實(shí)現(xiàn)邏輯功能。本文中所有模擬仿真以端口A和B輸入光相位φ=0°,端口X輸入光相位φ=180°為例,其他滿足條件的組合具有同樣功能。(a)邏輯門結(jié)構(gòu)示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結(jié)構(gòu)及其折射率分布示意圖本設(shè)計(jì)采用二維三角晶格光子晶體結(jié)構(gòu),圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長(zhǎng)度為9.675μm,z軸方向?qū)挾葹椋罚福玻唉蹋。如圖2所示,通過(guò)平面波展開法計(jì)算,硅柱的半徑為0.2a時(shí),光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長(zhǎng)1.0568~1.7222μm范圍內(nèi),可完全覆蓋波長(zhǎng)為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導(dǎo)在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導(dǎo)的交匯處加入中心柱,對(duì)器件性能進(jìn)行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質(zhì)板上打孔的結(jié)構(gòu),但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設(shè)計(jì)選用板上立柱結(jié)構(gòu)。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關(guān)系示意圖圖3本結(jié)構(gòu)光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結(jié)構(gòu)優(yōu)化為達(dá)到最佳傳輸效率,通過(guò)有限時(shí)域差分法對(duì)中心柱半徑進(jìn)行優(yōu)化。圖4表示透過(guò)率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口
(a)邏輯門結(jié)構(gòu)示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結(jié)構(gòu)及其折射率分布示意圖本設(shè)計(jì)采用二維三角晶格光子晶體結(jié)構(gòu),圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長(zhǎng)度為9.675μm,z軸方向?qū)挾葹椋罚福玻唉蹋。如圖2所示,通過(guò)平面波展開法計(jì)算,硅柱的半徑為0.2a時(shí),光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長(zhǎng)1.0568~1.7222μm范圍內(nèi),可完全覆蓋波長(zhǎng)為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導(dǎo)在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導(dǎo)的交匯處加入中心柱,對(duì)器件性能進(jìn)行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質(zhì)板上打孔的結(jié)構(gòu),但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設(shè)計(jì)選用板上立柱結(jié)構(gòu)。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關(guān)系示意圖圖3本結(jié)構(gòu)光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結(jié)構(gòu)優(yōu)化為達(dá)到最佳傳輸效率,通過(guò)有限時(shí)域差分法對(duì)中心柱半徑進(jìn)行優(yōu)化。圖4表示透過(guò)率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口X輸入;POW2曲線為二輸入,即端口X和A輸入;POW3曲線為三輸入,即端口X、A和B輸入。可以明顯看到,當(dāng)Rs=0.105a時(shí),P
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]平面波展開法在質(zhì)量分?jǐn)?shù)測(cè)量上的應(yīng)用研究[J]. 阿不都熱蘇力·阿不都熱西提,帕孜來(lái)提,帕爾哈提·米吉提. 激光技術(shù). 2014(01)
[2]二維光子晶體的能帶及慢光特性研究[J]. 李彩珊,婁淑琴. 光電技術(shù)應(yīng)用. 2011(06)
博士論文
[1]基于AlGaAs光學(xué)非線性效應(yīng)的全光信號(hào)處理研究[D]. 李林森.華中科技大學(xué) 2012
碩士論文
[1]基于光子晶體的全光邏輯門研究[D]. 保俊杰.電子科技大學(xué) 2015
[2]基于光子晶體的全光邏輯器件的性能分析與優(yōu)化設(shè)計(jì)[D]. 唐春榮.大連理工大學(xué) 2014
[3]二維光子晶體導(dǎo)波特性及其應(yīng)用研究[D]. 徐世磊.華中科技大學(xué) 2011
[4]基于FDTD模擬TM波傳播的數(shù)值穩(wěn)定性分析[D]. 蘇紹卓.北京郵電大學(xué) 2009
本文編號(hào):2921324
【文章來(lái)源】:半導(dǎo)體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【部分圖文】:
分布示意圖圖1邏輯門結(jié)構(gòu)及其折射率分布示意圖(b)
效應(yīng)相消,從而實(shí)現(xiàn)邏輯功能。本文中所有模擬仿真以端口A和B輸入光相位φ=0°,端口X輸入光相位φ=180°為例,其他滿足條件的組合具有同樣功能。(a)邏輯門結(jié)構(gòu)示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結(jié)構(gòu)及其折射率分布示意圖本設(shè)計(jì)采用二維三角晶格光子晶體結(jié)構(gòu),圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長(zhǎng)度為9.675μm,z軸方向?qū)挾葹椋罚福玻唉蹋。如圖2所示,通過(guò)平面波展開法計(jì)算,硅柱的半徑為0.2a時(shí),光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長(zhǎng)1.0568~1.7222μm范圍內(nèi),可完全覆蓋波長(zhǎng)為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導(dǎo)在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導(dǎo)的交匯處加入中心柱,對(duì)器件性能進(jìn)行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質(zhì)板上打孔的結(jié)構(gòu),但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設(shè)計(jì)選用板上立柱結(jié)構(gòu)。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關(guān)系示意圖圖3本結(jié)構(gòu)光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結(jié)構(gòu)優(yōu)化為達(dá)到最佳傳輸效率,通過(guò)有限時(shí)域差分法對(duì)中心柱半徑進(jìn)行優(yōu)化。圖4表示透過(guò)率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口
(a)邏輯門結(jié)構(gòu)示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結(jié)構(gòu)及其折射率分布示意圖本設(shè)計(jì)采用二維三角晶格光子晶體結(jié)構(gòu),圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長(zhǎng)度為9.675μm,z軸方向?qū)挾葹椋罚福玻唉蹋。如圖2所示,通過(guò)平面波展開法計(jì)算,硅柱的半徑為0.2a時(shí),光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長(zhǎng)1.0568~1.7222μm范圍內(nèi),可完全覆蓋波長(zhǎng)為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導(dǎo)在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導(dǎo)的交匯處加入中心柱,對(duì)器件性能進(jìn)行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質(zhì)板上打孔的結(jié)構(gòu),但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設(shè)計(jì)選用板上立柱結(jié)構(gòu)。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關(guān)系示意圖圖3本結(jié)構(gòu)光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結(jié)構(gòu)優(yōu)化為達(dá)到最佳傳輸效率,通過(guò)有限時(shí)域差分法對(duì)中心柱半徑進(jìn)行優(yōu)化。圖4表示透過(guò)率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口X輸入;POW2曲線為二輸入,即端口X和A輸入;POW3曲線為三輸入,即端口X、A和B輸入。可以明顯看到,當(dāng)Rs=0.105a時(shí),P
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]平面波展開法在質(zhì)量分?jǐn)?shù)測(cè)量上的應(yīng)用研究[J]. 阿不都熱蘇力·阿不都熱西提,帕孜來(lái)提,帕爾哈提·米吉提. 激光技術(shù). 2014(01)
[2]二維光子晶體的能帶及慢光特性研究[J]. 李彩珊,婁淑琴. 光電技術(shù)應(yīng)用. 2011(06)
博士論文
[1]基于AlGaAs光學(xué)非線性效應(yīng)的全光信號(hào)處理研究[D]. 李林森.華中科技大學(xué) 2012
碩士論文
[1]基于光子晶體的全光邏輯門研究[D]. 保俊杰.電子科技大學(xué) 2015
[2]基于光子晶體的全光邏輯器件的性能分析與優(yōu)化設(shè)計(jì)[D]. 唐春榮.大連理工大學(xué) 2014
[3]二維光子晶體導(dǎo)波特性及其應(yīng)用研究[D]. 徐世磊.華中科技大學(xué) 2011
[4]基于FDTD模擬TM波傳播的數(shù)值穩(wěn)定性分析[D]. 蘇紹卓.北京郵電大學(xué) 2009
本文編號(hào):2921324
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