光子晶體全光邏輯或非門和非門的設計優(yōu)化
發(fā)布時間:2020-12-17 03:22
提出了一種二維三角晶格光子晶體"或非"和"非"全光邏輯門設計。該設計使用空氣中的硅介質柱光子晶體材料,其主體為四根光子晶體波導組成的四端口結構。通過平面波展開法和有限時域差分法計算了其能帶結構和光學傳輸特性,并對其邏輯功能進行了分析。結果顯示,通過控制光相位,該結構能夠實現(xiàn)"或非"和"非"邏輯功能,結構尺寸為9.675μm×7.820μm,響應周期為0.388ps。
【文章來源】:半導體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
分布示意圖圖1邏輯門結構及其折射率分布示意圖(b)
效應相消,從而實現(xiàn)邏輯功能。本文中所有模擬仿真以端口A和B輸入光相位φ=0°,端口X輸入光相位φ=180°為例,其他滿足條件的組合具有同樣功能。(a)邏輯門結構示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結構及其折射率分布示意圖本設計采用二維三角晶格光子晶體結構,圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長度為9.675μm,z軸方向寬度為7.820μm。如圖2所示,通過平面波展開法計算,硅柱的半徑為0.2a時,光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長1.0568~1.7222μm范圍內,可完全覆蓋波長為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導的交匯處加入中心柱,對器件性能進行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質板上打孔的結構,但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設計選用板上立柱結構。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關系示意圖圖3本結構光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結構優(yōu)化為達到最佳傳輸效率,通過有限時域差分法對中心柱半徑進行優(yōu)化。圖4表示透過率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口
(a)邏輯門結構示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結構及其折射率分布示意圖本設計采用二維三角晶格光子晶體結構,圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長度為9.675μm,z軸方向寬度為7.820μm。如圖2所示,通過平面波展開法計算,硅柱的半徑為0.2a時,光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長1.0568~1.7222μm范圍內,可完全覆蓋波長為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導的交匯處加入中心柱,對器件性能進行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質板上打孔的結構,但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設計選用板上立柱結構。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關系示意圖圖3本結構光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結構優(yōu)化為達到最佳傳輸效率,通過有限時域差分法對中心柱半徑進行優(yōu)化。圖4表示透過率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口X輸入;POW2曲線為二輸入,即端口X和A輸入;POW3曲線為三輸入,即端口X、A和B輸入。可以明顯看到,當Rs=0.105a時,P
【參考文獻】:
期刊論文
[1]平面波展開法在質量分數(shù)測量上的應用研究[J]. 阿不都熱蘇力·阿不都熱西提,帕孜來提,帕爾哈提·米吉提. 激光技術. 2014(01)
[2]二維光子晶體的能帶及慢光特性研究[J]. 李彩珊,婁淑琴. 光電技術應用. 2011(06)
博士論文
[1]基于AlGaAs光學非線性效應的全光信號處理研究[D]. 李林森.華中科技大學 2012
碩士論文
[1]基于光子晶體的全光邏輯門研究[D]. ?〗.電子科技大學 2015
[2]基于光子晶體的全光邏輯器件的性能分析與優(yōu)化設計[D]. 唐春榮.大連理工大學 2014
[3]二維光子晶體導波特性及其應用研究[D]. 徐世磊.華中科技大學 2011
[4]基于FDTD模擬TM波傳播的數(shù)值穩(wěn)定性分析[D]. 蘇紹卓.北京郵電大學 2009
本文編號:2921324
【文章來源】:半導體光電. 2017年01期 北大核心
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
分布示意圖圖1邏輯門結構及其折射率分布示意圖(b)
效應相消,從而實現(xiàn)邏輯功能。本文中所有模擬仿真以端口A和B輸入光相位φ=0°,端口X輸入光相位φ=180°為例,其他滿足條件的組合具有同樣功能。(a)邏輯門結構示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結構及其折射率分布示意圖本設計采用二維三角晶格光子晶體結構,圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長度為9.675μm,z軸方向寬度為7.820μm。如圖2所示,通過平面波展開法計算,硅柱的半徑為0.2a時,光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長1.0568~1.7222μm范圍內,可完全覆蓋波長為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導的交匯處加入中心柱,對器件性能進行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質板上打孔的結構,但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設計選用板上立柱結構。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關系示意圖圖3本結構光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結構優(yōu)化為達到最佳傳輸效率,通過有限時域差分法對中心柱半徑進行優(yōu)化。圖4表示透過率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口
(a)邏輯門結構示意圖(b)折射率分布示意圖圖1邏輯門結構及其折射率分布示意圖本設計采用二維三角晶格光子晶體結構,圖1(b)為其折射率分布圖,柱使用硅材料,其折射率為3.5;底板為空氣,其折射率為1。器件在x軸方向長度為9.675μm,z軸方向寬度為7.820μm。如圖2所示,通過平面波展開法計算,硅柱的半徑為0.2a時,光子晶體具有較好的光子帶隙,其歸一化頻帶為0.27~0.44,晶格常數(shù)a為0.645μm。如圖3所示,TE模式下,光子晶體的帶隙位于波長1.0568~1.7222μm范圍內,可完全覆蓋波長為1.530~1.560μm的C波段光。為了改變光子晶體波導在C波段的色散曲線[13-15],提高器件消光比,在四根波導的交匯處加入中心柱,對器件性能進行優(yōu)化。目前二維光子晶體多為在介質板上打孔的結構,但是,根據(jù)奇偶模的色散曲線,板上立柱的可用帶寬值大于板上打孔[14-15],因此本設計選用板上立柱結構。圖2硅柱半徑(R單位為晶格常數(shù)a)與TE模帶隙分布關系示意圖圖3本結構光子晶體頻帶圖(a/λ=0.27~0.44)1.2結構優(yōu)化為達到最佳傳輸效率,通過有限時域差分法對中心柱半徑進行優(yōu)化。圖4表示透過率Pout/Pin隨中心柱半徑Rs的變化。其中,POW1曲線為單輸入,即端口X輸入;POW2曲線為二輸入,即端口X和A輸入;POW3曲線為三輸入,即端口X、A和B輸入。可以明顯看到,當Rs=0.105a時,P
【參考文獻】:
期刊論文
[1]平面波展開法在質量分數(shù)測量上的應用研究[J]. 阿不都熱蘇力·阿不都熱西提,帕孜來提,帕爾哈提·米吉提. 激光技術. 2014(01)
[2]二維光子晶體的能帶及慢光特性研究[J]. 李彩珊,婁淑琴. 光電技術應用. 2011(06)
博士論文
[1]基于AlGaAs光學非線性效應的全光信號處理研究[D]. 李林森.華中科技大學 2012
碩士論文
[1]基于光子晶體的全光邏輯門研究[D]. ?〗.電子科技大學 2015
[2]基于光子晶體的全光邏輯器件的性能分析與優(yōu)化設計[D]. 唐春榮.大連理工大學 2014
[3]二維光子晶體導波特性及其應用研究[D]. 徐世磊.華中科技大學 2011
[4]基于FDTD模擬TM波傳播的數(shù)值穩(wěn)定性分析[D]. 蘇紹卓.北京郵電大學 2009
本文編號:2921324
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