銫鉛溴量子點(diǎn)/單層二硫化鉬混合型光電探測(cè)器研究
發(fā)布時(shí)間:2020-12-16 22:25
過(guò)渡金屬硫化物(TMDs)材料具有獨(dú)特的半導(dǎo)體物理特性和光學(xué)性能(直接帶隙,高的載流子遷移率),滿(mǎn)足光電探測(cè)器的基本要求。然而,由于原子級(jí)厚度的特點(diǎn),層狀TMDs的光捕獲能力非常弱,很大程度上限制了相應(yīng)光電探測(cè)器的響應(yīng)度和探測(cè)率,從而限制了該類(lèi)器件的實(shí)際應(yīng)用。同時(shí),光響應(yīng)速率慢也是一個(gè)經(jīng)常出現(xiàn)在TMDs器件中的問(wèn)題。為此,研究人員在提升基于TMDs光電探測(cè)器性能方面做了大量的研究。實(shí)驗(yàn)表明通過(guò)將TMDs與其它材料構(gòu)筑成異質(zhì)結(jié),是一種有效提升性能的手段。當(dāng)下,鉛鹵鈣鈦礦材料在各類(lèi)光電器件中得到了廣泛應(yīng)用,引發(fā)了基于鈣鈦礦材料混合型器件的研究熱潮,特別是太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管等研究領(lǐng)域。在已報(bào)道的工作中,基于鈣鈦礦/TMDs的光電探測(cè)器具有優(yōu)秀的響應(yīng)性能,展現(xiàn)了良好的應(yīng)用前景。本文采用全無(wú)機(jī)鈣鈦礦(CsPbBr3)量子點(diǎn)與單層二硫化鉬(MoS2)進(jìn)行復(fù)合,成功構(gòu)筑了0D/2D混合型光電探測(cè)器。我們通過(guò)改變鈣鈦礦量子點(diǎn)的濃度和表面有機(jī)配體的含量成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)混合型器件的性能調(diào)控。另外,研究發(fā)現(xiàn)氧吸附物有利于提升器件的響應(yīng)速率,并對(duì)器件形成p型摻雜,在...
【文章來(lái)源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:69 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
MoS2晶體結(jié)構(gòu)示意圖
MoS2的能帶結(jié)構(gòu)圖,來(lái)自引文[8]
圖 1-3 基于透明膠帶的機(jī)械剝離過(guò)程示意圖。圖片來(lái)自引文[13]。自從 2004 年 Novoselov 等人[12]通過(guò)機(jī)械剝離的方法制備出石墨烯,用機(jī)械新的二維材料的方法開(kāi)始盛行。機(jī)械剝離的原理是從塊體材料上一層一層原子層厚度的二維材料,這個(gè)過(guò)程主要克服的是材料層與層之間的范德華
本文編號(hào):2920883
【文章來(lái)源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:69 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
MoS2晶體結(jié)構(gòu)示意圖
MoS2的能帶結(jié)構(gòu)圖,來(lái)自引文[8]
圖 1-3 基于透明膠帶的機(jī)械剝離過(guò)程示意圖。圖片來(lái)自引文[13]。自從 2004 年 Novoselov 等人[12]通過(guò)機(jī)械剝離的方法制備出石墨烯,用機(jī)械新的二維材料的方法開(kāi)始盛行。機(jī)械剝離的原理是從塊體材料上一層一層原子層厚度的二維材料,這個(gè)過(guò)程主要克服的是材料層與層之間的范德華
本文編號(hào):2920883
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