二維材料的轉(zhuǎn)移方法及其場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的應(yīng)用研究
發(fā)布時(shí)間:2020-12-08 14:17
隨著晶體管尺寸的持續(xù)減小,電子芯片的運(yùn)算速度和集成度正在不斷實(shí)現(xiàn)飛躍式地發(fā)展。以石墨烯、二硫化鉬為代表的二維材料由于其出色的光學(xué)和電學(xué)特性,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于光電子學(xué)和納米電子學(xué)等領(lǐng)域;在未來(lái)的微電子器件的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中,二維半導(dǎo)體器件將占據(jù)十分重要的地位。另一方面,在二維半導(dǎo)體器件的制備與組裝過(guò)程中,二維材料高效、無(wú)損地轉(zhuǎn)移又是十分關(guān)鍵的環(huán)節(jié);并且,成功地實(shí)現(xiàn)二維材料大面積轉(zhuǎn)移,對(duì)推動(dòng)二維器件的規(guī);、產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)具有十分重要的意義。本文提出了一種高效環(huán)保的二維材料大面積轉(zhuǎn)移方法。利用蔗糖在高溫下發(fā)生的焦糖化反應(yīng),以固化的焦糖為介質(zhì)來(lái)完成二維材料的轉(zhuǎn)移。使用這種方法成功完成了對(duì)機(jī)械剝離的石墨烯、CVD生長(zhǎng)的石墨烯薄膜以及CVD生長(zhǎng)的二硫化鉬的轉(zhuǎn)移。對(duì)轉(zhuǎn)移之后的二維材料進(jìn)行了表征測(cè)試,光學(xué)顯微鏡的圖像顯示轉(zhuǎn)移后的二維材料形貌完整;AFM與TEM圖像說(shuō)明轉(zhuǎn)移后的二維材料表面平整干凈;Raman光譜與PL光譜說(shuō)明轉(zhuǎn)移過(guò)程中未引入其它雜質(zhì)和缺陷。利用糖轉(zhuǎn)移可以實(shí)現(xiàn)二維材料對(duì)柔性基底的轉(zhuǎn)移,避免了轉(zhuǎn)移過(guò)程使用的丙酮等有機(jī)溶劑會(huì)使柔性基底發(fā)生溶解或溶脹的問(wèn)題,成功將石墨烯轉(zhuǎn)移至PDMS基底和PET基底...
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:76 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
二維材料家族以及其中具有代表性的幾種材料[3]
圖 1-2 石墨烯晶體結(jié)構(gòu)及能帶示意圖[3]未來(lái)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,石墨烯具有極其廣闊的應(yīng)用前景。由于石墨烯的柔性、透光性和導(dǎo)電性,在柔性透明電極、觸摸屏、可穿戴電子設(shè)將發(fā)揮積極作用。由于石墨烯具有超高的電子遷移率和優(yōu)異的熱傳導(dǎo)大規(guī)模集成電路、太赫茲電子器件等領(lǐng)域?qū)⒕哂歇?dú)特的應(yīng)用價(jià)值。由
六方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)
本文編號(hào):2905225
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:76 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
二維材料家族以及其中具有代表性的幾種材料[3]
圖 1-2 石墨烯晶體結(jié)構(gòu)及能帶示意圖[3]未來(lái)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,石墨烯具有極其廣闊的應(yīng)用前景。由于石墨烯的柔性、透光性和導(dǎo)電性,在柔性透明電極、觸摸屏、可穿戴電子設(shè)將發(fā)揮積極作用。由于石墨烯具有超高的電子遷移率和優(yōu)異的熱傳導(dǎo)大規(guī)模集成電路、太赫茲電子器件等領(lǐng)域?qū)⒕哂歇?dú)特的應(yīng)用價(jià)值。由
六方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)
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