LED微陣列器件是一種在同一芯片上集成的高密度微小尺寸的發(fā)光二極管二維陣列。該器件除具有LED器件固有的光電轉(zhuǎn)換效率高、響應(yīng)速度快、波長(zhǎng)固定、壽命長(zhǎng)、耗能低等特點(diǎn)外,作為一種微型陣列器件,還具有高分辨率、高對(duì)比度和高集成度的優(yōu)點(diǎn),在微顯示以及微照明領(lǐng)域具有很廣闊的應(yīng)用前景。本文研究了一種基于Al Ga In P材料的LED微陣列器件。目前,市場(chǎng)上比較成熟的Al Ga In P-LED外延片的發(fā)光層一種具有直接帶隙的材料,可以通過(guò)控制摻雜使其發(fā)光波長(zhǎng)從555nm到650nm。本論文中所采用的Al Ga In P-LED外延材料是通過(guò)在n型Ga As襯底上采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)來(lái)生長(zhǎng)的。通過(guò)對(duì)基于通用的Al Ga In P-LED材料的微陣列器件的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究,主要完成了以下工作:一、建立了Al Ga In P-LED器件模型,確定了在620nm發(fā)光波長(zhǎng)下的模型中各膜層的厚度與摻雜濃度數(shù)據(jù)。根據(jù)材料的內(nèi)量子效率最大化條件（大于85%）確定了器件的最佳工作電壓范圍,并對(duì)帶有方環(huán)形陽(yáng)極電極的發(fā)光單元進(jìn)行了熱學(xué)分析與仿真,得到了各層的熱功率密度和溫度分布,通過(guò)計(jì)算得到了有... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所)吉林省

【文章頁(yè)數(shù)】：127 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

在過(guò)去的50年里可見(jiàn)光LED的發(fā)光效率的提升本論文研究的是AlGaInP-LED器件，有源層與GaAs襯底完全匹配，因此在

7圖 1.2 LED 微陣列器件的應(yīng)用前景此外， LED 微陣列器件還可應(yīng)用于數(shù)據(jù)通信傳輸光源中，其高響應(yīng)速干擾性的性能，使其可在軍用武器系統(tǒng)或數(shù)據(jù)信號(hào)傳送中得以應(yīng)用[15-1看，微顯示是 LED 微陣列最為主要的應(yīng)用領(lǐng)域，盡管微顯示頭盔已經(jīng)事領(lǐng)域中，但隨著微加工技術(shù)的日趨成熟和進(jìn)步，也會(huì)推動(dòng)微顯示技術(shù)一步提高，從而使得更加輕量化、高分辨率的頭戴式、眼鏡式顯示器件。

科學(xué)院大學(xué)博士學(xué)位論文：AlGaInP-LED 微陣列器件的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)ED 微陣列器件的研究及進(jìn)展 20 年內(nèi)，LED 微陣列器件經(jīng)歷了從產(chǎn)生到發(fā)展，從。1998 年，德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)率先開(kāi)始了對(duì)基于 A究，相關(guān)研究人員首先通過(guò)金屬有機(jī)物氣象外延的方lGaInP-LED 結(jié)構(gòu)材料，并通過(guò)濕法腐蝕的方法制作列[24]。圖 3 所示為不同體積配比的腐蝕液的腐蝕速溶 液 腐 蝕 后 得 到 的 表 面 形 貌 。 通 過(guò) 實(shí) 驗(yàn) 的 摸:H2O2體積比為 31:62:7 是比較合適的腐蝕溶液配和較好的表面形貌。列器件的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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[4]LED微顯示器件的設(shè)計(jì)和隔離溝槽的制作研究[D]. 金霞.中國(guó)科學(xué)院研究生院（長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所） 2006
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本文編號(hào)：2904706