�、�-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體ZnO具有優(yōu)良的光學(xué)性能,在短波長光電器件方面具有很大的應(yīng)用潛力。但是其價帶低,受主離化能高,本征施主離化能淺以及摻雜劑固溶度低等特點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了穩(wěn)定可用的p型ZnO的實(shí)現(xiàn),限制了其在器件應(yīng)用方面的發(fā)展。ZnO中的雜質(zhì)缺陷的形成受眾多因素制約,并對其導(dǎo)電性能、磁性行為以及發(fā)旋光性能產(chǎn)生嚴(yán)重影響,因此研究和調(diào)控ZnO中雜質(zhì)缺陷對實(shí)現(xiàn)p型ZnO,實(shí)現(xiàn)ZnO基材料的光電器件性能具有著深刻的意義。針對上述問題,我們在本論文中以ZnO中的雜質(zhì)缺陷的調(diào)控作為重點(diǎn),特別對研究界認(rèn)為最有希望實(shí)現(xiàn)p型摻雜的單氮摻雜與等電子共摻技術(shù)中的缺陷調(diào)控行為進(jìn)行了深入的研究,并對有望降低p型摻雜技術(shù)難度的摻硫合金與低維結(jié)構(gòu)的制備與性質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)的研究,論文同時對在自旋電子學(xué)領(lǐng)域具有重要研究價值的磁性氧化物異質(zhì)結(jié)的界面行為與特征進(jìn)行了認(rèn)真的探討和分析,取得了一系列的創(chuàng)新研究成果,為未來解決ZnO中的p型摻雜這一科學(xué)與技術(shù)難題,實(shí)現(xiàn)ZnO基材料的器件應(yīng)用提供可能的解決方案和技術(shù)思路。論文主要取得了以下成果:（1）采用極富氧的生長工藝以抑制通常氮摻雜情形下施主缺陷的嚴(yán)重自補(bǔ)償行為,在N摻雜ZnO中成功地... 

【文章來源】：南京大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：139 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

纖鋅礦Zn0的晶格結(jié)構(gòu)示意圖[f81

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]ZnS型發(fā)光材料光老化的研究[J]. 唐明道,劉義俊,羅晞.  發(fā)光學(xué)報. 1994(01)

博士論文
[1]氧化物半導(dǎo)體與磁性氧化物的MOCVD生長與性質(zhì)[D]. 黃時敏.南京大學(xué) 2014



本文編號：2903017