鎵擴散鈮酸鋰晶體光波導(dǎo)的制備及表征
發(fā)布時間:2020-12-07 09:13
鈮酸鋰晶體因其性能比較穩(wěn)定、透光波段較寬、具有良好的壓電效應(yīng)、鐵電效應(yīng)、熱電效應(yīng)、電光效應(yīng)、聲光效應(yīng)、光折變效應(yīng)、光彈效應(yīng)、非線性光學中的非線性效應(yīng)等優(yōu)良的光學性能,且具有數(shù)目較多的本征缺陷,而被廣泛的應(yīng)用于光學領(lǐng)域。當今鈦擴散鈮酸鋰晶體光波導(dǎo)的研究比較成熟,但是鈦擴散鈮酸鋰晶體光波導(dǎo)存在光損傷的問題,然而研究表明鎵具有抗光折變的特性,并且可以制作條形波導(dǎo),因此,本文采用鈮酸鋰晶體做為基底,制作鎵擴散條形光波導(dǎo)。本論文主要進行了以下兩方面的研究和探討:(1)Ga:LN單模條形光波導(dǎo)制備與光學表征。實驗用Z切同成分雙面拋光的鈮酸鋰為基底,通過電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù),在其表面制作127±2nm厚,8um寬的Ga2O3條;樣品在950oC條件下,采用高溫擴散工藝處理2小時,成功制作出鎵條形光波導(dǎo);實驗表明本文制作的鎵條形光波導(dǎo),在1547nm光源下,可以同時具有TE和TM兩種傳導(dǎo)模式,實驗得到本文的樣品傳輸損耗約為TE模式0.5dB/cm(TM模式1.0dB/cm)。(2)Ti:Ga:Er:LN單模條形光波導(dǎo)的制備和光學特性表征。...
【文章來源】:天津大學天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:75 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
鈮酸鋰晶體結(jié)構(gòu)
圖 2-2 鎵擴散鈮酸鋰的二次離子質(zhì)譜結(jié)果圖[48]中,Li(鋰)、Nb(鈮)、O(氧)等原子在深度摻雜離子 Ga3+濃度與深度方向呈現(xiàn)指數(shù)關(guān)系。質(zhì)譜(SIMS)是一種重要的材料分析方法,主要射靶面之后,濺射產(chǎn)生的二次離子來獲取材料表子(初級離子一般攜帶 400-15000keV 的能量)入料相互作用,經(jīng)過碰撞將能量傳遞給固體中的原原子就會被從晶格中撞出),致使固體材料在初級的粒子(其中包括電子、離子、分子離子和中性的原質(zhì)譜的發(fā)展過程,首先是由 Arnot 等人在上世紀三象。隨后,Herzog 等人率先把二次離子濺射同質(zhì)世紀六十年代人們發(fā)明的離子探針和直接成像譜儀的出現(xiàn)創(chuàng)造了條件。最終,在七十年代的時候問世。幾十年來,經(jīng)過人們不斷對二次離子質(zhì)譜儀
cossinarctan02202nnTE同樣,可以得到 TM 模式是光波相移的求解公式 cossinarctancossinarctan02220020122101nnnnnnnnTMoTM3-12至此,導(dǎo)模色散方程中的不定量也就僅剩下入射角 和非負整數(shù)m,即入射角 和非負整數(shù)m是一一對應(yīng)出現(xiàn)的。根據(jù)導(dǎo)模色散方程,m的值并不是可以隨意設(shè)定的,其受波導(dǎo)尺寸、折射率等的限制,也就是說,對于一個制作好的平面型光波導(dǎo),無論是 TE 模式亦或是 TM 模式,m取值都是有限的,于是m的可取的最大值就代表了該波導(dǎo)可以傳播的導(dǎo)模的最高階。因此,根據(jù)m的可取值情況,平面光波導(dǎo)又可分為單模和多模。如下圖給出了TE模場的幾種模式的分布曲線:
【參考文獻】:
期刊論文
[1]平面光波導(dǎo)器件及應(yīng)用分析[J]. 劉光燦,白廷柱. 光電技術(shù)應(yīng)用. 2005(03)
[2]集成光學與光子學[J]. 于榮金. 光電子·激光. 1998(02)
碩士論文
[1]用于集成光學的稀土摻雜的鈮酸鋰晶體的制備[D]. 張文柱.天津大學 2012
本文編號:2903006
【文章來源】:天津大學天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:75 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
鈮酸鋰晶體結(jié)構(gòu)
圖 2-2 鎵擴散鈮酸鋰的二次離子質(zhì)譜結(jié)果圖[48]中,Li(鋰)、Nb(鈮)、O(氧)等原子在深度摻雜離子 Ga3+濃度與深度方向呈現(xiàn)指數(shù)關(guān)系。質(zhì)譜(SIMS)是一種重要的材料分析方法,主要射靶面之后,濺射產(chǎn)生的二次離子來獲取材料表子(初級離子一般攜帶 400-15000keV 的能量)入料相互作用,經(jīng)過碰撞將能量傳遞給固體中的原原子就會被從晶格中撞出),致使固體材料在初級的粒子(其中包括電子、離子、分子離子和中性的原質(zhì)譜的發(fā)展過程,首先是由 Arnot 等人在上世紀三象。隨后,Herzog 等人率先把二次離子濺射同質(zhì)世紀六十年代人們發(fā)明的離子探針和直接成像譜儀的出現(xiàn)創(chuàng)造了條件。最終,在七十年代的時候問世。幾十年來,經(jīng)過人們不斷對二次離子質(zhì)譜儀
cossinarctan02202nnTE同樣,可以得到 TM 模式是光波相移的求解公式 cossinarctancossinarctan02220020122101nnnnnnnnTMoTM3-12至此,導(dǎo)模色散方程中的不定量也就僅剩下入射角 和非負整數(shù)m,即入射角 和非負整數(shù)m是一一對應(yīng)出現(xiàn)的。根據(jù)導(dǎo)模色散方程,m的值并不是可以隨意設(shè)定的,其受波導(dǎo)尺寸、折射率等的限制,也就是說,對于一個制作好的平面型光波導(dǎo),無論是 TE 模式亦或是 TM 模式,m取值都是有限的,于是m的可取的最大值就代表了該波導(dǎo)可以傳播的導(dǎo)模的最高階。因此,根據(jù)m的可取值情況,平面光波導(dǎo)又可分為單模和多模。如下圖給出了TE模場的幾種模式的分布曲線:
【參考文獻】:
期刊論文
[1]平面光波導(dǎo)器件及應(yīng)用分析[J]. 劉光燦,白廷柱. 光電技術(shù)應(yīng)用. 2005(03)
[2]集成光學與光子學[J]. 于榮金. 光電子·激光. 1998(02)
碩士論文
[1]用于集成光學的稀土摻雜的鈮酸鋰晶體的制備[D]. 張文柱.天津大學 2012
本文編號:2903006
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