本文關鍵詞：石墨襯底上制備SiC薄膜的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：碳化硅(SiC)是一種新型的寬帶隙半導體材料,相比于Si、Ge等傳統的半導體材料,SiC具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、電子飽和漂移速度高、電子遷移率高、熱導率高、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)良的物理化學性質,在高溫高頻,抗輻射和大功率等領域具有廣闊的應用前景。本文主要采用在室溫的條件下射頻磁控濺射再高溫退火的方法在石墨襯底上制備SiC薄膜。利用XRD、EDS、Ram等分析測試手段對制備的SiC薄膜進行檢測分析,研究在石墨襯底上,以Si和C作為靶材的SiC薄膜工藝制備。本文的研究內容如下:第一章主要介紹SiC的結構、物理化學性質、在各領域的應用以及國內外的研究現狀。第二章介紹了SiC薄膜的制備方法,并對各種工藝方法進行了比較總結。同時介紹了SiC薄膜的幾種常用的表征方法。第三章主要介紹了磁控濺射鍍膜的原理,本文研究所需要的實驗儀器及測試儀器。并對儀器的工作原理進行了簡單的介紹。第四章主要討論了對石墨襯底進行加熱的SiC薄膜制備方法,以及濺射C以引入C的緩沖層形成多層結構對SiC薄膜的形成的影響采用XRD、EDS、Ram對薄膜的成分和結構進行了分析。第五章總結與展望
【關鍵詞】：SiC薄膜 磁控濺射 退火 石墨襯底 多層結構
【學位授予單位】：貴州大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN304.24
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-7
• 第一章 緒論7-18
• 1.1 SiC材料的結構與性質7-10
• 1.1.1 SiC材料的結構7-8
• 1.1.2 SiC材料物理和化學的性質8-9
• 1.1.3 SiC材料的光電性質9-10
• 1.2 SiC材料的應用與發(fā)展10-11
• 1.3 SiC材料制備的國內外研究現狀11-16
• 1.3.1 化學汽相沉積11-14
• 1.3.2 物理汽相沉積14-16
• 1.4 本論文的主要研究工作16-17
• 1.5 本章小結17-18
• 第二章 SiC薄膜的制備工藝與表征手段18-26
• 2.1 SiC薄膜的制備方法18-20
• 2.1.1 化學氣相沉積18-19
• 2.1.2 物理氣相沉積19-20
• 2.2 SiC薄膜的常用表征方法20-25
• 2.2.1 X射線衍射（XRD）21-22
• 2.2.2 拉曼散射（Raman）22
• 2.2.3 掃描電子顯微鏡(SEM)22-23
• 2.2.4 X射線能譜儀(EDS)23-24
• 2.2.5 原子力顯微鏡(AFM)24
• 2.2.6 臺階儀24-25
• 2.3 本章小結25-26
• 第三章 磁控濺射法制備SiC薄膜26-35
• 3.1 磁控濺射工藝介紹26-31
• 3.1.1 濺射法概述26-27
• 3.1.2 磁控濺射法的原理及特點27-29
• 3.1.3 薄膜的沉積過程29-31
• 3.2 實驗儀器31-34
• 3.2.1 磁控濺射鍍膜機31-32
• 3.2.2 高真空退火爐32-34
• 3.3 本章小結34-35
• 第四章 SiC薄膜的制備工藝35-64
• 4.1 實驗材料35-37
• 4.1.1 石墨的結構與性質35-36
• 4.1.2 Si的結構與性質36-37
• 4.2 磁控濺射制備SiC薄膜37-40
• 4.2.1 基片的清洗37-38
• 4.2.2 實驗儀器的清潔38
• 4.2.3 濺射沉積Si膜38-39
• 4.2.4 樣品的退火處理39-40
• 4.3 Si膜厚度對制備SiC薄膜的影響40-44
• 4.4 退火時間對制備SiC薄膜的影響44-48
• 4.5 退火溫度對制備SiC薄膜的影響48-58
• 4.6 襯底加熱對SiC薄膜的影響58-61
• 4.7 C緩沖層對SiC薄膜的影響61-63
• 4.8 本章小結63-64
• 第五章 總結與展望64-66
• 參考文獻66-69
• 致謝69-70
• 附錄70-71

  本文關鍵詞：石墨襯底上制備SiC薄膜的研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：289948