硒化銻的光激勵超快動力學研究
【學位單位】:華中科技大學
【學位級別】:碩士
【學位年份】:2019
【中圖分類】:TB34;TN24
【部分圖文】:
術(shù)在物理學、化學、材料加工、醫(yī)學等領域有著廣泛的應用,志著對物質(zhì)超快現(xiàn)象的探測成為可能。自然界中物質(zhì)運動有圖 1-1 所示。一些超快過程僅發(fā)生在皮秒(10-12s)甚至飛秒,例如化學鍵的生成及斷裂發(fā)生在皮秒量級,分子及固態(tài)材料秒范圍內(nèi),材料內(nèi)的分子振動和晶格振動發(fā)生在飛秒和皮秒,了解物質(zhì)的動態(tài)變化對理解物質(zhì)的性質(zhì),以及開拓更加廣泛為了測量這些過程并獲取其超快的動態(tài)變化信息,就需要與之。最初,激光脈沖的壓縮采用的是調(diào) Q 技術(shù),脈沖寬度可被模飛秒激光器的發(fā)展以及自鎖模技術(shù)和啁啾脈沖放大技術(shù)的量級的脈沖寬度[2,3]。這也使得研究人員可以觀察到分子以及快過程。
鏡4D UEM, four-dimensional ultrafast elec能力的電子顯微鏡基礎上,結(jié)合飛秒激成像,如圖 1-2 所示。相較于超快光學超快電子顯微鏡具有更高的空間分辨能超快電子顯微鏡中,探測光脈沖通過轟mVDV 等人采用 UEM 觀察金屬-有機wickB 等人利用超快電子顯微鏡實現(xiàn)對-inducednear-filedelectronmicroscopy),F(xiàn)u X 等人成功地在液態(tài)環(huán)境中探測到程[26]。
1.3.1 硒化銻材料的基本性質(zhì)硒化銻是屬于Ⅴ-Ⅵ族的間接帶隙半導體,化學式為 Sb2Se3,在自然界中以硫化物礦石硒銻礦的形式存在。硒化銻擁有良好的光伏特性和較高的熱電功率,同時具有窄帶隙、低成本、毒性低、含量豐富等優(yōu)勢,使其在光伏領域和熱電領域有著巨大的應用前景[28, 29]。下面對硒化銻材料的基本性質(zhì)進行詳細介紹。(1)晶體結(jié)構(gòu)Sb2Se3的晶體結(jié)構(gòu)屬于正交晶系,空間群為 Pnma 62,a、b、c 三個方向的晶格常數(shù)分別是 11.6330 、11.78 和 3.9850 。硒化銻的晶體結(jié)構(gòu)如圖 1-3 所示,硒化銻屬于帶狀材料,由許多[0 0 1]方向生長的一維納米帶沿著 x、y 方向堆疊而成。帶內(nèi)由作用力強的共價鍵連接,而帶間則是依靠微弱的范德瓦爾斯力相連。
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本文編號:2877042
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