屏蔽腔體EMC特性的解析算法及仿真方法研究
【學(xué)位單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2015
【中圖分類】:TN03
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 課題的提出和研究目的
1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.2.1 孔陣結(jié)構(gòu)屏蔽效能解析算法的研究現(xiàn)狀
1.2.2 開(kāi)孔腔體屏蔽效能解析算法的研究現(xiàn)狀
1.2.3 屏蔽腔體電磁諧振現(xiàn)象的研究現(xiàn)狀
1.2.4 屏蔽腔體 EMC 數(shù)值仿真的研究現(xiàn)狀
1.3 本文的主要研究?jī)?nèi)容以及創(chuàng)新點(diǎn)
第二章 基于透射和反射系數(shù)的孔陣結(jié)構(gòu)屏蔽效能解析算法研究
2.1 分析孔陣金屬板透射系數(shù)和反射系數(shù)的必要性
2.2 傳統(tǒng)邊界條件和廣義邊界條件
2.3 孔陣金屬板透射、反射系數(shù)解析算法的推導(dǎo)
2.3.1 電磁波垂直入射
2.3.2 TE波斜入射
2.3.3 TM波斜入射
2.4 解析算法和數(shù)值仿真的結(jié)果對(duì)比
2.5 基于透射、反射系數(shù)的孔陣結(jié)構(gòu)屏蔽效能解析算法研究
2.6 本章小結(jié)
第三章 腔體屏蔽效能ROBINSON解析算法的擴(kuò)展及其準(zhǔn)確性分析
3.1 開(kāi)孔屏蔽腔體屏蔽效能解析算法的擴(kuò)展分析
3.1.1 擴(kuò)展解析算法的推導(dǎo)過(guò)程
3.1.2 擴(kuò)展解析算法的準(zhǔn)確性驗(yàn)證
3.1.3 擴(kuò)展解析算法的相關(guān)討論
3.2 觀測(cè)點(diǎn)位置與解析算法準(zhǔn)確性之間的關(guān)系研究
3.2.1 頻率與機(jī)箱深度對(duì)p取值的影響
3.2.2 p解析公式的推導(dǎo)過(guò)程
3.2.3 p解析公式的準(zhǔn)確性研究
3.3 本章小結(jié)
第四章 屏蔽腔體電磁諧振特性的解析算法研究及數(shù)值仿真分析
4.1 對(duì)屏蔽腔體諧振點(diǎn)處EMC特性進(jìn)行分析的必要性
4.2 基于微擾原理的屏蔽腔體諧振頻率解析算法推導(dǎo)及其準(zhǔn)確性驗(yàn)證
4.2.1 屏蔽腔體諧振頻率的解析算法推導(dǎo)過(guò)程
4.2.2 解析算法的準(zhǔn)確性驗(yàn)證及數(shù)值仿真分析
4.2.3 解析算法的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4.2.4 對(duì)屏蔽腔體諧振頻率解析算法的討論
4.3 貫穿形式長(zhǎng)縫隙的電磁諧振現(xiàn)象數(shù)值仿真分析
4.3.1 極化角度與縫隙的放置方式
4.3.2 縫隙結(jié)構(gòu)參數(shù)與電磁諧振點(diǎn)頻率之間的關(guān)系
4.4 本章小結(jié)
第五章 以實(shí)際PCB作為內(nèi)部干擾源的屏蔽腔體全波仿真分析
5.1 基于內(nèi)部干擾源的屏蔽腔體EMC特性分析的必要性
5.2 仿真環(huán)境介紹
5.3 以PCB作為內(nèi)部干擾源的屏蔽腔體全波仿真方法
5.3.1 全波仿真方法的步驟
5.3.2 不同內(nèi)部干擾源所得結(jié)果的對(duì)比
5.3.3 開(kāi)孔參數(shù)對(duì)電子設(shè)備屏蔽內(nèi)部電磁輻射能力的影響
5.4 本章小結(jié)
第六章 全文總結(jié)與展望
6.1 全文總結(jié)
6.2 后續(xù)展望
致謝
參考文獻(xiàn)
科研經(jīng)歷
攻讀博士學(xué)位期間取得的成果
【相似文獻(xiàn)】
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