垂直生長(zhǎng)的GaAs光波導(dǎo)相控陣光耦合系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
【學(xué)位單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TN252
【部分圖文】:
西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文現(xiàn)狀1 光波導(dǎo)相控陣國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀紀(jì) 80 年代末,Hobbs[2-3]等人基于 GaAs 晶體材料制作了 5 陣元,在波長(zhǎng)為 10.6μm 時(shí),光束偏轉(zhuǎn)角可達(dá)到 20,掃描頻率大2 的電壓小于 2V。
圖 1.1 Hobbs 等人設(shè)計(jì)的 AlGaAs 光波導(dǎo)光學(xué)相控陣掃描器 D.PL.Wight[4]等人利用 MOCVD 的技術(shù),基于 AlGaAs 波導(dǎo)光掃描器,通過獨(dú)立控制各個(gè)單元相移,可以實(shí)現(xiàn) 2-20°的光°,損耗為 20dB/cm。
圖 1.3 F. Vasey 等人制作的光波導(dǎo)相控陣器件結(jié)6-8],西安電子科技大學(xué)的石順祥教授等對(duì)光用 MOCVD 技術(shù)分別研制了 10 層、15 層 P芯片,并在 2005 年在國(guó)內(nèi)第一次使用自己控陣控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了低驅(qū)動(dòng)電壓光波導(dǎo)光 10°的掃描范圍,驅(qū)動(dòng)電壓為±5V,掃描速描的光波導(dǎo)陣列電光掃描器的可行性。式研究現(xiàn)狀光掃描器技術(shù)發(fā)展到現(xiàn)在,在功能上已經(jīng)實(shí)。目前存在的主要問題是,其光能量利用率實(shí)際應(yīng)用。目前來說,光波導(dǎo)相控陣系統(tǒng)主重點(diǎn)研究半導(dǎo)體激光器-光波導(dǎo)相控陣芯片導(dǎo)相控陣芯片耦合的相關(guān)文獻(xiàn)比較少,因此
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2867853
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