基于平衡點(diǎn)的混沌系統(tǒng)設(shè)計(jì)及電路實(shí)現(xiàn)
【學(xué)位單位】:西南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TN60;O415.5
【部分圖文】:
西南大學(xué)碩士學(xué)位論文8(a) (b)(c) (d)圖 2.1 系統(tǒng)(2.1)的吸引子圖: (a) 平面; (b) x y平面; (c) x z平面; (d) 三維平面相圖2.1.2 憶阻混沌系統(tǒng)的數(shù)學(xué)建模憶阻器具有豐富的非線性變換,應(yīng)用在混沌領(lǐng)域則會(huì)使新混沌系統(tǒng)產(chǎn)生很強(qiáng)的混沌特性。為探究憶阻器對(duì)混沌系統(tǒng)的潛在影響,用憶阻器電荷、磁通關(guān)系函數(shù)作為新混沌系統(tǒng)的非線性項(xiàng),替換后的系統(tǒng)數(shù)學(xué)模型如式(2.2)所示:5,,10 ( ) .x ax yy bx xz cyz f y z (2.2)其中,x,y,z∈R 為狀態(tài)變量,a,b,c 為系統(tǒng)參數(shù)
22,,2 ( ) (0) (0)( ) , ,,.lowofflow highhighonyRk t M Mf y yky cyR 其中:2[ (0)]2offR Mk ,22[ (0)]2onR Mck ,2 2[ (0)]2offlowR Mk ,2 2[ (0)]2onhR Mk ,2( )on off v onR R RkD ,y 是2TiO 憶阻器的輸入磁通, M (電阻,D表示厚度,onR 和offR 是開(kāi)啟電阻和截止電阻值,v為 空穴移動(dòng)量[60]。
第二章 一種憶阻混沌系統(tǒng)的設(shè)計(jì)及其 FPGA 實(shí)現(xiàn)(2.2)的雅可比矩陣如(2.6)式所示:51 0( )0 10 1aJ b z c xf yy (2.6)把系統(tǒng)(2.2)的三個(gè)平衡點(diǎn)1O ,2O ,3O 的值分別代入雅可比矩陣,可以得出它們的特征值1 2 3( , , )為:( 1 0.9192,6.3192, 1 .0000), ( 5 .6924,0.0462 3.4494i ,0.0462 3.4494i )和( 5 .6924,0.0462 3.4494i ,0.0462 3.4494i )。這些特征值的分布狀態(tài)如圖 2.3,根據(jù)圖中相應(yīng)平衡點(diǎn)的特征值在坐標(biāo)系中的分布可以得出, 是一種能令系統(tǒng)(2.2)產(chǎn)生發(fā)散行為的鞍點(diǎn),而 和 則為一種能讓系統(tǒng)(2.2)形成具有渦卷軌跡的鞍焦點(diǎn)。
【參考文獻(xiàn)】
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