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大功率開關(guān)電源關(guān)鍵EMC器件的高頻建模研究

發(fā)布時(shí)間:2020-11-01 01:07
   隨著電力電子技術(shù)的快速進(jìn)步,開關(guān)電源朝著小型化、高功率密度的方向發(fā)展。面對(duì)日益復(fù)雜的電磁環(huán)境,對(duì)開關(guān)電源電磁兼容性的研究刻不容緩。傳導(dǎo)干擾作為電磁兼容研究的重要方面,受到越來越多的關(guān)注。目前國內(nèi)外學(xué)者對(duì)開關(guān)電源的傳導(dǎo)干擾的抑制和仿真預(yù)測展開了多方面的研究。本文對(duì)大功率開關(guān)電源的濾波元件和開關(guān)元件的高頻建模展開了研究。對(duì)適用于大功率開關(guān)電源EMI濾波器的電感線圈的電磁參數(shù)計(jì)算方法展開研究。由于大功率電源具有高電壓、大電流的特點(diǎn),大功率電感線圈的繞組采用多線并繞的方式來進(jìn)行均分電流,同時(shí)減小趨膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)的影響。在單線繞制電感線圈的基礎(chǔ)上,通過理論分析和公式推導(dǎo)得出了多線并繞電感線圈電感和分布電容的計(jì)算方法。為了避免磁芯飽和,給出了磁芯飽和度的分析方法。同時(shí)給出了共模電感漏感的計(jì)算方法和電感線圈損耗的估算方法。對(duì)應(yīng)用于100kW和30kW開關(guān)電源EMI濾波器的差模電感線圈樣品的電磁參數(shù)進(jìn)行仿真和實(shí)驗(yàn)測試分析。使用寬銅帶代替多線并繞漆包線的方法,進(jìn)行三維建模仿真計(jì)算,該方法得到的電感線圈電感值和分布電容與測試值吻合較好,同時(shí)節(jié)約了計(jì)算時(shí)間和計(jì)算內(nèi)存,并使用阻抗分析儀對(duì)電磁參數(shù)進(jìn)行測試。電感理論計(jì)算值相對(duì)于測試值的最大誤差為6%,仿真值相對(duì)于測試值最大誤差為0.2%;分布電容理論計(jì)算相對(duì)于測試值的最大誤差為4.7%,仿真值相對(duì)于測試值最大誤差為7.3%。開展了IGBT電學(xué)行為建模的研究。介紹了一種適用于電氣工程師使用的IGBT建模方法,該方法基于雙脈沖實(shí)驗(yàn)測試數(shù)據(jù)進(jìn)行IGBT的電學(xué)行為模型建模。與傳統(tǒng)的基于Datasheet手冊的建模方法相比,該方法具有更高的準(zhǔn)確度,能更真實(shí)的反應(yīng)IGBT開通與關(guān)斷瞬間電流電壓的動(dòng)態(tài)特性,適用于電路仿真預(yù)測平臺(tái)。
【學(xué)位單位】:西南交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TN86;TN713
【部分圖文】:

電感線圈,外國學(xué)者,研究現(xiàn)狀,數(shù)學(xué)推導(dǎo)


件模型是建立準(zhǔn)確傳導(dǎo) EMI 仿真模型的基礎(chǔ),具有實(shí)際研件的建模研究現(xiàn)狀線圈研究現(xiàn)狀是利用電磁感應(yīng)的原理進(jìn)行工作的器件。高頻信號(hào)通過電感很難通過;而對(duì)低頻信號(hào)通過它時(shí)所呈現(xiàn)的阻力則比較小,過它。電感線圈對(duì)直流電的阻抗幾乎為零。電感線圈正是基為主要濾波元件使用。內(nèi)外有相當(dāng)多學(xué)者對(duì)電感線圈做出了研究分析。其中外國學(xué)者線三相共模電感做了分析[10],他通過理論推導(dǎo),得出了三并使用數(shù)學(xué)推導(dǎo)說明了漏感的產(chǎn)生的原理和計(jì)算表達(dá)式。同并提出了避免磁芯飽和的方法。

模型圖,電感線圈,并繞,三線


具有大電流、高電壓的特點(diǎn)。由于導(dǎo)體通流能力與關(guān)電源的濾波電感通常采用增大導(dǎo)線截面積的方由于趨膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)的影響,采用單線繞制組交流阻抗,從而增加電感線圈損耗。因此,采用線圈大電流、低損耗的要求,在實(shí)際的大功率開景。本章對(duì)電感線圈高頻電路建模和電磁參數(shù)的和度和電感損耗計(jì)算方法進(jìn)行探究。感線圈的等效電路模型在磁芯上的若干繞組組成,利用電磁感應(yīng)原理工作并聯(lián)繞制的方式,如圖 2-1 所示。多線并繞電感線量的要求,同時(shí)可減小趨膚效應(yīng)引起的繞組損耗

高頻模型,差模,電感,分布電容


圖 2-2 差模電感高頻模型路模型中,主要考慮了電感、分布電容、繞聯(lián)大電阻。其中L為電感,C 為分布電容,阻。抑制共模 EMI 噪聲和抑制差模 EMI 噪聲,電感電路 (b)三相共模電感高頻模圖 2-3 三相共模電感電路拓?fù)?
【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2864789

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