基于DMD掃描光刻系統(tǒng)的光刻圖形邊緣平滑度優(yōu)化研究
【學位授予單位】:東北師范大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TN305.7
【圖文】:
3子束光刻技術(shù)進行介紹如下:線寬已達到 20nm 量級,當前刻蝕線寬也提高到 10nm是 0.02nm~0.05nm,所以光刻中的衍射現(xiàn)象很小,因此光刻技術(shù)具有避免使用昂貴掩膜版、提高光刻分辨率、電子設備卻很昂貴,單點串行的過程導致工作效率不應用受到限制,目前電子束光刻技術(shù)僅在科學研究以技術(shù)在市場上開始應用。離子束來源于液態(tài)金屬,通,進行高精度直寫。離子束光刻技術(shù)可以采用有掩膜版版時的工作實質(zhì)與電子束光刻基本相同,只是粒子束
光刻技術(shù)相較于粒子束光刻、干涉光刻、波帶片光刻的區(qū)別是以數(shù)字空生成電子掩膜版,數(shù)字光刻系統(tǒng)簡圖如圖 1.4 所示。光刻過程中,利用設計出圖形,通過傳輸系統(tǒng)調(diào)制空間光調(diào)制器工作狀態(tài),進而調(diào)控空間束的空間位置,形成虛擬掩膜圖形,數(shù)字智能控制掩膜圖形,最終生成動態(tài)掩膜圖形經(jīng)過投影成像系統(tǒng),成像在光刻基片上,生產(chǎn)出工藝器件代末,SLM 及其相關(guān)技術(shù)由瑞典公司提出,接下來 ASML 荷蘭有限公司生產(chǎn)無掩膜光刻機。數(shù)字光刻技術(shù)是信息化、數(shù)字化與傳統(tǒng)光刻技術(shù)字光刻空間光調(diào)制器分三種:液晶(LCDD)、等離子體(PDP)和數(shù)MD)[44]。本文主要研究基于 DMD 的無掩膜掃描光刻圖形質(zhì)量。電子掩膜版
D 無掩膜光刻技術(shù)的研究現(xiàn)狀基于 DMD 的無掩膜掃描光刻技術(shù)能夠制備陣列結(jié)構(gòu)的器件,結(jié)構(gòu)等,圖 1.5 為 DMD 光刻器件圖。DMD 光刻技術(shù)制備的器件光刻技術(shù)制備的器件結(jié)構(gòu),其質(zhì)量、精度較高,該技術(shù)為微光機術(shù)需求,同時該技術(shù)制備微型元件的成本、效率、質(zhì)量、尺寸等8]。(a)電子芯片 (b)3D 手模
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