天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁 > 科技論文 > 電子信息論文 >

粒子探測器讀出電路設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2020-08-17 17:11
【摘要】:微結(jié)構(gòu)氣體探測器因?yàn)榫哂辛己玫臅r(shí)間和空間分辨率、高抗輻照能力、高增益和可以制作成大面積探測器等優(yōu)點(diǎn),近年來得到快速地發(fā)展,也因此在高能物理實(shí)驗(yàn)、核醫(yī)學(xué)成像、安全監(jiān)測、以及空間天文等領(lǐng)域得到廣泛研究和應(yīng)用。而相比于氣體探測器的快速發(fā)展,相應(yīng)的讀出電路系統(tǒng)研究則相對滯后,因此設(shè)計(jì)適用于氣體探測器的讀出電路系統(tǒng)變的十分重要。為了檢測出探測器中的未知粒子種類及能量等物理特性,需要對粒子在探測器的飛行軌跡進(jìn)行重構(gòu)。因此,需要獲知粒子在探測器中的能量信息E和飛行時(shí)間信息T。而本文設(shè)計(jì)的讀出電路系統(tǒng)正是為了檢測未知粒子所具有的能量信息以及其經(jīng)過探測器時(shí)的飛行時(shí)間信息。通過對大量文獻(xiàn)的閱讀,理解了讀出電路系統(tǒng)探測未知粒子能量信息E及時(shí)間信息T的工作原理,在此基礎(chǔ)上,借鑒國內(nèi)外的研究成果,設(shè)計(jì)出本文的讀出電路系統(tǒng)。粒子讀出電路系統(tǒng)主要包括了前置放大器、電壓比較器、振蕩器、模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)、邏輯控制電路以及多個(gè)移位計(jì)數(shù)式寄存器。其中,前置放大器采用MOS管開關(guān)放電的反饋電容積分電路,積分電容上的電荷在放電前需要保持一段時(shí)間,以便ADC進(jìn)行采樣;比較器采用具有內(nèi)部正反饋的開環(huán)比較器電路結(jié)構(gòu);振蕩器采用基于反相器的環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu),電路簡單,只需占用較小的芯片面積,可以在每一個(gè)像素內(nèi)集成。飛行時(shí)間T采用時(shí)間-數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)進(jìn)行測量,而粒子能量E則通過10-bit逐次逼近式(SAR)ADC進(jìn)行測量。整個(gè)讀出系統(tǒng)是由4×4像素陣列組成,將探測的未知粒子信息二進(jìn)制化后經(jīng)移位寄存器移位輸出。相比于國外的讀出電路系統(tǒng),本項(xiàng)目將用于測量粒子飛行時(shí)間T的TDC精度提高到了1ns(國外時(shí)間精度大于1.5ns);相比國內(nèi)的讀出系統(tǒng),本項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了在芯片內(nèi)部進(jìn)行數(shù)字化后,再對數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出。本文設(shè)計(jì)的粒子探測器讀出電路系統(tǒng)采用TSMC 180nm CMOS工藝,設(shè)計(jì)出的芯片面積為1110μm×1325μm。經(jīng)后仿真驗(yàn)證,芯片工作在電源電壓1.8V,用來測量粒子飛行時(shí)間的TDC精度為1ns,測量的未知粒子能量的動(dòng)態(tài)范圍為1fC~150fC。測量的飛行時(shí)間范圍約40μs。
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:O572.212;TN79
【圖文】:

粒子探測器讀出電路設(shè)計(jì)


倒裝互連[13]

探測器,結(jié)構(gòu)示意圖,讀出電路


粒子探測器讀出電路系統(tǒng)基路原理統(tǒng)是粒子在探測器中作用產(chǎn)生信號(hào)后,出的系統(tǒng)總成。圖如圖 2-1 所示,探測器的形狀是長方極,腔體中充滿探測用的介質(zhì)。整個(gè)介質(zhì)的讀出電路陣列。當(dāng)帶電粒子快速穿過漂移到像素接收端 PAD 上。由于電荷感應(yīng)號(hào)。流信號(hào)如下圖所示。x 軸和 y 軸分別為探電流的陰影部分面積為粒子在探測器中產(chǎn)探測器開始,到在 PAD 上產(chǎn)生電流的這

示意圖,探測器,示意圖,寄生電容


圖 2-2 GOSSIP 探測器示意圖[9] 探測器獲取的電流信號(hào)包括電子分量和空穴分量。漂移而空穴分量產(chǎn)生的電流脈沖則相對較長,如圖 2-3 所示圖 2-3 GOSSIP 探測器中產(chǎn)生的電流信號(hào)[9]設(shè)計(jì)來說,探測器的寄生電容是很重要的影響因素。這些內(nèi)的許多因素。在 GOSSIP 探測器中,寄生電容主要由 3容(Cp-grid),PAD 與 PAD 之間的寄生電容(Cp-p)和 PA如圖 2-4 所示。

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 李發(fā)明;熊平;;焦平面陣列讀出電路研究和應(yīng)用[J];傳感器世界;2007年01期

2 賈功賢,袁祥輝,汪濤,楊菁;紅外焦平面陣列CMOS讀出電路參數(shù)的計(jì)算機(jī)輔助測試系統(tǒng)[J];紅外技術(shù);2001年02期

3 朱俊杰,章世玲;兩類多絲室讀出電路的研究[J];核電子學(xué)與探測技術(shù);1993年04期

4 魯文高;陳中建;張雅聰;吉利久;;用于288×4讀出電路中的高效率模擬電荷延遲線(英文)[J];北京大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)網(wǎng)絡(luò)版(預(yù)印本);2008年01期

5 馬丁;喬輝;劉福浩;張燕;李向陽;;紫外焦平面探測器讀出電路抗輻照加固設(shè)計(jì)[J];半導(dǎo)體光電;2018年04期

6 陳鋮穎;黑勇;范軍;胡曉宇;戴瀾;;一種基于斬波技術(shù)的熱電堆讀出電路設(shè)計(jì)[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2013年04期

7 劉成康,袁祥輝,汪濤,賈功賢;電流模技術(shù)在CMOS讀出電路中的應(yīng)用[J];紅外技術(shù);2002年02期

8 錢忠鈺;工作于4K的紅外集成器件讀出電路性能測試[J];紅外技術(shù);1993年05期

9 馮恭祜;;磁盤改進(jìn)調(diào)頻制讀出電路[J];計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展;1984年03期

10 劉傳明;姚立斌;;紅外焦平面探測器數(shù)字讀出電路研究[J];紅外技術(shù);2012年03期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 黃松壘;張偉;黃張成;方家熊;;基于輸入失調(diào)補(bǔ)償?shù)陌惦娏饕种谱x出電路研究[A];中國光學(xué)學(xué)會(huì)2010年光學(xué)大會(huì)論文集[C];2010年

2 齊敏;喬?hào)|海;;微麥克風(fēng)讀出電路的設(shè)計(jì)和仿真[A];2008年全國聲學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2008年

3 袁祥輝;呂果林;黃友恕;;采用電流鏡放大讀出電路的CMOS高靈敏度圖像傳感器[A];2004全國圖像傳感器技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)議論文集[C];2004年

4 袁紅輝;徐星;李梧螢;陳永平;;基于一級(jí)運(yùn)放的低溫讀出電路穩(wěn)定性研究[A];2017年光學(xué)技術(shù)研討會(huì)暨交叉學(xué)科論壇論文集[C];2017年

5 蔡波;王翔;;一種基于CMI及差分電流結(jié)構(gòu)的紫外探測讀出電路的設(shè)計(jì)及仿真[A];2006北京地區(qū)高校研究生學(xué)術(shù)交流會(huì)——通信與信息技術(shù)會(huì)議論文集(下)[C];2006年

6 張偉;黃張成;黃松壘;方家熊;;一種快照式短波紅外焦平面CMOS讀出電路研究[A];中國光學(xué)學(xué)會(huì)2010年光學(xué)大會(huì)論文集[C];2010年

7 劉海峰;宛玉晴;田華陽;;信號(hào)讀出電路專用集成電路進(jìn)展[A];中國原子能科學(xué)研究院年報(bào) 2013[C];2014年

8 楊少華;;紅外焦平面的破壞性物理分析[A];2007'第十二屆全國可靠性物理學(xué)術(shù)討論會(huì)論文集[C];2007年

9 徐斌;郭方敏;卞紅雨;;弱信號(hào)傳感器可變增益放大讀出電路設(shè)計(jì)[A];第九屆全國信息獲取與處理學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅱ[C];2011年

10 楊彪;顏夕宏;;紅外焦平面陣列讀出電路設(shè)計(jì)[A];2004全國圖像傳感器技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)議論文集[C];2004年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 馬丁;航天用GaN基640×8元紫外焦平面探測器讀出電路研究與設(shè)計(jì)[D];中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所);2018年

2 胡傳皓;化合物半導(dǎo)體X/γ射線探測器讀出電路及能譜分析系統(tǒng)研制[D];成都理工大學(xué);2017年

3 朱雪洲;用于TOF-PET的SiPM陣列探測器讀出電路研究[D];清華大學(xué);2016年

4 劉成康;紅外焦平面陣列CMOS讀出電路研究[D];重慶大學(xué);2001年

5 張智;紅外焦平面陣列新結(jié)構(gòu)高性能CMOS讀出電路研究[D];重慶大學(xué);2003年

6 陳西曲;非致冷紅外焦平面的讀出電路及測試系統(tǒng)研究[D];華中科技大學(xué);2007年

7 翟永成;320×256大動(dòng)態(tài)范圍長波紅外讀出電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)[D];中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所);2017年

8 梁清華;640×512紅外焦平面讀出電路的設(shè)計(jì)研究[D];中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所);2017年

9 鄭麗霞;蓋革模式雪崩光電二極管陣列讀出電路的研究與實(shí)現(xiàn)[D];東南大學(xué);2017年

10 高磊;集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器的紅外焦平面讀出電路研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所);2015年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 俞白軍;氧化釩非制冷紅外焦平面探測器讀出電路設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2018年

2 鄧玉培;低溫超導(dǎo)納米線單光子讀出電路設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2018年

3 王春;常溫太赫茲檢測器CMOS讀出電路設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2018年

4 翁子清;自適應(yīng)采樣光子計(jì)數(shù)線陣讀出電路設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2018年

5 王輔強(qiáng);640×512低功耗紅外焦平面陣列讀出電路設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2018年

6 張偉東;可配置門控采樣光子計(jì)數(shù)讀出電路設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2018年

7 朱志銳;粒子探測器讀出電路設(shè)計(jì)[D];東南大學(xué);2018年

8 孫睿智;陣列型紅外單光子探測讀出電路的研制[D];吉林大學(xué);2018年

9 景松;高靈敏度低噪聲短波紅外銦鎵砷焦平面用64×64元讀出電路設(shè)計(jì)[D];杭州電子科技大學(xué);2018年

10 劉鑫;GM-APD陣列探測器讀出電路設(shè)計(jì)[D];長春理工大學(xué);2018年



本文編號(hào):2795599

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2795599.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶eb0ca***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com