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非對(duì)稱接觸氧化鎢納米線器件電輸運(yùn)性能研究

發(fā)布時(shí)間:2020-07-30 02:56
【摘要】:目前,傳統(tǒng)的CMOS工藝器件在物理尺度逐漸接近其極限,其中CPU與存儲(chǔ)器的速度之差形成的存儲(chǔ)墻日漸嚴(yán)重,限制了計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展。憶阻器是與電阻、電容與電感并稱為基本的電學(xué)器件,其同時(shí)具有存儲(chǔ)信息以及邏輯運(yùn)算的功能,是一種新型的非易失型存儲(chǔ)技術(shù),在解決計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)墻問題上具有很大的潛力。一維結(jié)構(gòu)納米材料因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),成為構(gòu)筑納米元器件的理想材料。在紛繁復(fù)雜的納米材料中,W03因其在電致色變、氣敏傳感器、阻變存儲(chǔ)器以及超導(dǎo)方面有著優(yōu)異的性質(zhì),引起了廣泛的關(guān)注與研究。本文主要研究了基于WO3納米線構(gòu)筑對(duì)稱電極(Au/WO3/Au)和非對(duì)稱電極(Cu/W03/Au)兩端器件,研究其憶阻性能。主要工作如下:1.采用水熱法成功合成單分散性好的六方WO3納米線,并利用深紫外光刻微加工技術(shù)和金屬剝離技術(shù)構(gòu)筑基于單根納米線的兩端納米器件;2.通過不同金屬電極構(gòu)筑了對(duì)稱和非對(duì)稱憶阻器原型,實(shí)現(xiàn)界面接觸性能及其阻變行為調(diào)控;3.基于Cu/W03/Au納米器件,通過施加偏壓調(diào)控Cu2+遷移與Cu2+導(dǎo)電絲的通斷,實(shí)現(xiàn)器件高低阻態(tài)的調(diào)控。希望在后續(xù)的研究中,基于非對(duì)稱Cu/WO3/Au納米線器件實(shí)現(xiàn)對(duì)Cu2+導(dǎo)電絲精確的控制,進(jìn)而使其憶阻性能應(yīng)用到實(shí)際中去。
【學(xué)位授予單位】:湖南師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TN386
【圖文】:

示意圖,存儲(chǔ)單元,示意圖,擦除


碩士學(xué)位論文邐逡逑浮柵結(jié)構(gòu)可以通過控制源極和漏極的大電流來讀寫和擦除操作,但這也是影逡逑lash工作壽命的最重要因素[5]。因?yàn)槊恳淮巫x寫與擦除操作都是通過大電流逡逑行操作,不可避免的會(huì)對(duì)器件的物理結(jié)構(gòu)具有一定的損害,直至最后Flash逡逑完全失效。從這個(gè)過程中,可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)結(jié)構(gòu)是有壽命的,一般可以讀寫逡逑除105 ̄106次,這就大大限制了邋Flash在航天等特殊領(lǐng)域的應(yīng)用。除此之外,逡逑大電流的產(chǎn)生是通過類似水泵的電荷泵來實(shí)現(xiàn),因此要積累一個(gè)大的電流就逡逑較長的充電時(shí)間,這就限制了邋Hash的讀寫速度。通常1降可以寫入1邋bit逡逑,1邋ms才可以擦除1邋bit數(shù)據(jù)[6]。逡逑浮置柵極(FG邋)邐控制柵極(CG邋)逡逑

示意圖,瓶頸,問題,示意圖


計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)主要有CPU、控制器、存儲(chǔ)器、輸入\輸出設(shè)備。馮?諾伊曼體系逡逑結(jié)構(gòu)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)發(fā)展的基石,計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)墻問題的出現(xiàn)也是由于這種結(jié)構(gòu)。[12]。逡逑如圖1-2邋(a)所示,馮?諾依曼體系結(jié)構(gòu)上的難題是因?yàn)樘幚砥髋c存儲(chǔ)器的逡逑是通過指令\數(shù)據(jù)總線進(jìn)行通信的,隨著現(xiàn)在處理器的存儲(chǔ)能力越來越大,存儲(chǔ)逡逑技術(shù)的發(fā)展相對(duì)滯后,當(dāng)數(shù)據(jù)總線的從存儲(chǔ)器傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量跟不上處理器的運(yùn)算逡逑速度,就會(huì)大大的限制了處理性能,進(jìn)而降低了現(xiàn)有計(jì)算機(jī)的整體性能[13]。從逡逑圖1-2邋(b)中可以看出,處理器與存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)剛開始興起的時(shí)候是處于平衡逡逑狀態(tài),隨著現(xiàn)在技術(shù)的發(fā)展,處理器的性能己經(jīng)大大超越了存儲(chǔ)器[14][15]。逡逑(a)邐邐邋(b)邐邐—逡逑mm邋I邐i04r—邐邐逡逑?邋103邋邐邐邐逡逑馮?諾依曼sE桯kw存儲(chǔ)墻逡逑邐邐。。2邋丨逡逑 ̄逡逑石算器邐10。邋邋邋邋邋邋邋邋逡逑1980邋1985邋1990邋1995邋2000邋2005邋2010逡逑Year逡逑圖1-2馮?諾伊曼瓶頸示意圖和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)墻問題[14]逡逑為了能夠讓計(jì)算機(jī)的性能能夠在這個(gè)存儲(chǔ)墻這個(gè)問題上面能夠有所突破,很逡逑多學(xué)者與專家都在提出了很多的解決方案n6]。從上面的論述可以分析出現(xiàn)有的逡逑計(jì)算機(jī)瓶頸主要集中在計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)墻問題,但是憶阻器的出現(xiàn)人們看到了新的逡逑可能性。逡逑1971年

阻值,憶阻器,電量,磁通


d(p邋=邋M(q(t))dq邐(1.3)逡逑式中M代表憶阻值。從圖1邋-3可得知:逡逑d(p邋=邋V(t)dt邐(1.4)逡逑dq邋=邋I(t)dt邐(1.5)逡逑然后把(1.4)與(1.5)代入(1.3)運(yùn)算可得:逡逑5逡逑

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 劉東青;程海峰;朱玄;王楠楠;張朝陽;;憶阻器及其阻變機(jī)理研究進(jìn)展[J];物理學(xué)報(bào);2014年18期

2 袁華軍;陳亞琦;余芳;彭躍華;何熊武;趙丁;唐東升;;Hydrothermal synthesis and chromic properties of hexagonal WO_3 nanowires[J];Chinese Physics B;2011年03期

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1 吳丹;高效能計(jì)算型存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)[D];華中科技大學(xué);2012年

2 陳琳;原子層淀積金屬氧化物阻變存儲(chǔ)器件研究[D];復(fù)旦大學(xué);2012年

3 吳俊杰;層次存儲(chǔ)的訪問分析與優(yōu)化方法研究[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

1 李智煒;憶阻器及其建模研究[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2013年



本文編號(hào):2774903

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