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浸沒式光刻流場之結(jié)構(gòu)分析及參數(shù)優(yōu)化

發(fā)布時間:2020-07-29 10:31
【摘要】:浸沒式光刻是在干式光刻技術(shù)的基礎(chǔ)上,將投影物鏡與硅片之間填充上折射率較大的液體來代替原來的空氣,使系統(tǒng)的分辨率得到提高的一種光刻技術(shù)。浸沒液體的引入雖然提高了分辨率,但也帶來了一些其他問題。浸沒液體作為光學系統(tǒng)的一部分,要保持其光學性質(zhì)的均一、穩(wěn)定,這就對浸沒流場的流動提出了要求。本文主要研究了浸沒流場結(jié)構(gòu)參數(shù)對曝光區(qū)流動狀態(tài)的影響及單側(cè)注液、單側(cè)回收式浸沒流場的應(yīng)力分布。這將為今后浸沒流場結(jié)構(gòu)的設(shè)計優(yōu)化與各項參數(shù)設(shè)置提供有價值的參考。主要研究內(nèi)容如下:注液口、回收口環(huán)形張開角度與寬度非對稱變化對曝光區(qū)流動狀態(tài)的影響。在193 nm浸沒式光刻流場結(jié)構(gòu)參數(shù)的基礎(chǔ)上,讓注液口、回收口環(huán)形張開角度與寬度做非對稱變化,通過模擬仿真得出各種注液口、回收口環(huán)形張開角度與寬度下曝光區(qū)中面的平均速度、速度方差、平均壓強、壓強方差四項數(shù)據(jù),通過對比分析得出最優(yōu)的注液口、回收口環(huán)形張開角度與寬度組合。流場高度與注液壓力對曝光區(qū)流動狀態(tài)的影響。在最優(yōu)的注液口、回收口結(jié)構(gòu)參數(shù)的基礎(chǔ)上,繼續(xù)研究了流場高度與注液壓力對曝光區(qū)流動狀態(tài)的影響。通過數(shù)值模擬得到在不同流場高度與注液壓力下,曝光區(qū)中面液體流動的平均速度、速度方差、平均壓強與壓強方差四項數(shù)據(jù)的變化情況,通過綜合分析得出流場高度與注液壓力對曝光區(qū)流動狀態(tài)影響的規(guī)律。單側(cè)注液/單側(cè)回收式浸沒流場物鏡下表面應(yīng)力分布研究。通過模擬仿真研究單側(cè)注液/單側(cè)回收式浸沒流場投影物鏡下表面切應(yīng)力與正應(yīng)力隨注液速度、掃描速度、流場高度、液體粘度的變化規(guī)律,可以對浸沒流場各項參數(shù)控制提供參考。并推導了流場內(nèi)物鏡下表面切應(yīng)力的理論公式與仿真結(jié)果做對比,變化趨勢相同。
【學位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TN405
【圖文】:

原理圖,浸沒式,原理圖


哈爾濱工業(yè)大學工學碩士學位論文進掃描式光刻機,其數(shù)值孔徑和工藝因子已接近理論極限[1]。人們首先考慮波長更短的 157 nm(F2)光刻技術(shù),但由于其材料昂貴以及光刻膠與掩膜材料的局限,圖形對比度低等因素,使得 157 nm 光刻技術(shù)的發(fā)展受到很大的限制[2]。而下一代光刻技術(shù):極紫外(EUV)光刻、納米壓印、無掩膜光刻雖然取得進展但技術(shù)還不成熟[3]。因此另一種改善分辨率的有效的方法浸沒式光刻被采用。浸沒式光刻就是將折射率較高的液體直接填充在物鏡與硅片之間的空隙中,由于液體的折射率大于空氣,從而能有效的提高分辨率。浸沒式光刻原理如圖 1-2 所示,

流場仿真,幾何模型,口環(huán),張開角


圖 2-1 浸沒流場仿真幾何模型[41]表 2-1 流場仿真主要參數(shù)參數(shù) 數(shù)值浸沒流場半徑 R(mm) 30浸沒流場高度 h(mm) 1注液、回收口內(nèi)徑 r(mm) 27注液口環(huán)形張開角度αin(°) 60、90、120、150回收口環(huán)形張開角度αout(°) 60、90、120、150注液口寬度 bin(mm) 0.5、1、1.5、2回收口寬度 bout(mm) 0.5、1、1.5、2注液、回收口高度 H(mm) 5液體密度ρ(kg·m-3) 998.2液體粘度μ(kg·m-1·s-1) 0.001003注液壓力 pin(Pa) 200

局部放大圖,局部放大,仿真模型,網(wǎng)格


哈爾濱工業(yè)大學工學碩士學位論文以自動生成四面體網(wǎng)格,也可以生成質(zhì)量更高的六面體網(wǎng)格[43]。我采用了 ICEM 對仿真模型進行了網(wǎng)格劃分,圖 2-2 為網(wǎng)格劃分后仿真模型局部放大圖,網(wǎng)格的疏密程度會直接影響網(wǎng)格的質(zhì)量,根據(jù)仿真模擬中計算數(shù)據(jù)的分布特點,在計算數(shù)據(jù)變化梯度較大的部分與要研究問題主要研究部分,為了較好的反應(yīng)數(shù)據(jù)變化規(guī)律,會采用比較密集的網(wǎng)格。由于注液口、回收口附近區(qū)域的速度梯度較大,所以對注液口、回收口網(wǎng)格進行了加密處理,也對要研究的浸沒流場中心曝光區(qū)域網(wǎng)格進行了加密。網(wǎng)格的數(shù)量也直接影響網(wǎng)格的質(zhì)量與仿真模擬的計算精度,網(wǎng)格數(shù)量越大網(wǎng)格質(zhì)量越好,計算精度也就越高,但隨著網(wǎng)格數(shù)量的增加,計算規(guī)模也會增加而使計算速度降低。根據(jù)仿真問題的特點,生成網(wǎng)格數(shù)量在 1.3×106左右。在研究沒有掃描速度的浸沒流場時,除了注液口與回收口外,其余壁面設(shè)置為固壁面。在研究有掃描速度的浸沒流場時,除了注液口與回收口外,會將下壁面設(shè)置為滑移壁面,其余壁面任然設(shè)置為固壁面。

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前4條

1 傅新;趙金余;陳暉;陳文昱;;浸沒式光刻機浸沒流場的仿真與試驗[J];機械工程學報;2011年02期

2 傅新;陳暉;陳文昱;陳穎;;光刻機浸沒液體控制系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀及進展[J];機械工程學報;2010年16期

3 袁瓊雁;王向朝;施偉杰;李小平;;浸沒式光刻技術(shù)的研究進展[J];激光與光電子學進展;2006年08期

4 李勇,劉志友,安亦然;介紹計算流體力學通用軟件——Fluent[J];水動力學研究與進展(A輯);2001年02期

相關(guān)博士學位論文 前2條

1 陳暉;浸沒式光刻機浸液流動特性及其對物鏡影響[D];浙江大學;2011年

2 陳文昱;浸沒式光刻中浸液控制單元的液體供給及密封研究[D];浙江大學;2010年

相關(guān)碩士學位論文 前5條

1 虞謙;浸沒流場壓力仿真與檢測研究[D];浙江大學;2017年

2 簡勇華;浸沒式光刻中浸沒流場的穩(wěn)定性及密封性研究[D];浙江大學;2017年

3 徐文蘋;浸沒式光刻中浸沒流場核心區(qū)域的優(yōu)化研究[D];浙江大學;2016年

4 童章進;負壓回收結(jié)構(gòu)在非接觸式流場密封中的應(yīng)用[D];浙江大學;2015年

5 陳煜;浸沒式光刻中流場的分析與仿真[D];哈爾濱工業(yè)大學;2013年



本文編號:2773842

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