【摘要】：作為第四種基本電路元件,憶阻器的發(fā)現(xiàn)推動(dòng)了科學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展與進(jìn)步。近年來,憶阻器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、信號(hào)處理、混沌與控制系統(tǒng)以及樣本識(shí)別等眾多領(lǐng)域。本文基于分?jǐn)?shù)階微積分理論,建立了新型廣義憶阻器的分?jǐn)?shù)階模型,并將其應(yīng)用于混沌電路中,詳細(xì)分析分?jǐn)?shù)階憶阻混沌電路的動(dòng)力學(xué)行為,并實(shí)現(xiàn)了分?jǐn)?shù)階憶阻混沌電路的等效電路。主要工作如下:1.基于分?jǐn)?shù)階微積分理論,分別構(gòu)建了三種廣義憶阻器的分?jǐn)?shù)階模型,分別為:由二極管橋式電路級(jí)聯(lián)分?jǐn)?shù)階RC濾波器構(gòu)成的分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器模型、由二極管橋式電路級(jí)聯(lián)分?jǐn)?shù)階RL濾波器構(gòu)成的分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器模型和分?jǐn)?shù)階三次非線性磁控廣義憶阻器模型,分別分析了分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器的伏安特性曲線,證明了其具有憶阻器存在的特征,為分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器。2.將提出的分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器引入蔡氏混沌電路,構(gòu)建基于分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器的混沌電路,并通過數(shù)值仿真對(duì)其進(jìn)行特性分析,利用相圖、平衡點(diǎn)的穩(wěn)定性、分岔圖等方法分析分?jǐn)?shù)階憶阻混沌電路的動(dòng)力學(xué)行為,研究分?jǐn)?shù)階階次對(duì)憶阻混沌電路的影響。3.利用等效電路實(shí)現(xiàn)了分?jǐn)?shù)階電容、電感的等效模型,并通過Oustaloup濾波算法和待定系數(shù)法求解分?jǐn)?shù)階等效模型的具體參數(shù)。利用等效模型代替分?jǐn)?shù)階元件,構(gòu)建分?jǐn)?shù)階憶阻器及分?jǐn)?shù)階憶阻混沌電路的模型,通過電路仿真對(duì)模型進(jìn)行分析,驗(yàn)證了理論推導(dǎo)和數(shù)值仿真的正確性。本文提出的分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器能夠更好地描述憶阻器的實(shí)際特征,且易于實(shí)現(xiàn),因此在混沌電路領(lǐng)域有著良好的應(yīng)用前景。此外,由于引入了新的分?jǐn)?shù)階參數(shù),基于分?jǐn)?shù)階廣義憶阻器的混沌電路存在更豐富的動(dòng)力學(xué)行為,可應(yīng)用于保密通信等領(lǐng)域。
【學(xué)位授予單位】：西安理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類號(hào)】：TM13;TN60;O415.5

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本文編號(hào)：2768650