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準(zhǔn)延遲不敏感異步標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

發(fā)布時(shí)間:2020-05-30 17:37
【摘要】:在工業(yè)上,由于缺乏異步電路設(shè)計(jì)的工具、技術(shù)和相關(guān)邏輯單元庫(kù),使得設(shè)計(jì)人員難以在SoC設(shè)計(jì)中應(yīng)用異步電路,因此,異步電路很少應(yīng)用于工業(yè)設(shè)計(jì)領(lǐng)域。此外,深亞微米工藝也增加了漏電流功耗�;跍�(zhǔn)延遲不敏感的讀出放大器半緩沖邏輯單元庫(kù)是一種強(qiáng)大的異步電路設(shè)計(jì)庫(kù),它能夠在深亞微米工藝下平衡延遲和功耗的影響。為了減少這種差距,本文提出了一種有效的異步準(zhǔn)延遲不敏感邏輯單元庫(kù)的設(shè)計(jì),該庫(kù)采用了適合深亞微米CMOS實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)流程,著重于減少傳播延遲和功耗。該方法通過(guò)閂鎖效應(yīng)來(lái)平衡邏輯單元中晶體管的尺寸和性能,通過(guò)多電壓閾值技術(shù)進(jìn)一步減少了功率約束下的傳播延時(shí)。該方法在實(shí)現(xiàn)晶體管網(wǎng)絡(luò)中整體性能的平衡非常有用,同時(shí)能夠?qū)β始s束下關(guān)鍵路徑和非關(guān)鍵路徑上的晶體管進(jìn)行加速或減速。該基于先進(jìn)的準(zhǔn)延遲不敏感的讀出放大器半緩沖邏輯單元庫(kù)的設(shè)計(jì)方法已通過(guò)SMIC 40nm工藝的驗(yàn)證。具有Muller C元件的基本單元被設(shè)計(jì)并以1.1V標(biāo)稱電壓進(jìn)行測(cè)試,亞閾值電壓設(shè)為400mV,并在不同的溫度下以1GHz的頻率進(jìn)行采樣驗(yàn)證。該設(shè)計(jì)的原理圖、版圖設(shè)計(jì)和仿真在Cadence ICFB完成,并使用Cadence模擬設(shè)計(jì)環(huán)境中的Spectre模型進(jìn)行驗(yàn)證。當(dāng)以先前的庫(kù)為基準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí),生成的邏輯單元庫(kù)顯示出傳播延時(shí)和功耗均有所改善。
【學(xué)位授予單位】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TN402

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本文編號(hào):2688479

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