【摘要】：本文提出了一種利用微弧氧化技術(shù)制備微弧氧化鋁基覆銅板的方法。建立了大功率LED等效散熱模型,并對其進(jìn)行ANSYS有限元穩(wěn)態(tài)熱分析,模擬結(jié)果表明采用微弧氧化陶瓷膜的封裝結(jié)構(gòu)具有良好的散熱性能。通過分析鋁基微弧氧化膜層的表觀微觀形貌、膜厚、粗糙度、致密度等變化規(guī)律,研究了不同的微弧氧化工藝參數(shù)對膜層導(dǎo)熱性、絕緣性和附著力的影響。與磷酸鹽、鋁酸鹽體系相比,配比為6 g·L-1Na2SiO3、2 g·L-1KOH、2 g·L-1EDTA二鈉、2 g·L-1Na2WO3的硅酸鹽系電解液具有更好的絕緣性和成膜效率。隨著微弧氧化終止電壓的增加,膜層厚度增加,終止電壓為380V時導(dǎo)熱系數(shù)最大;隨著占空比的增大,膜厚略微增加,綜合考慮膜層生長速率、絕緣性能、導(dǎo)熱系數(shù)等因素選擇最佳占空比為15%;隨著頻率的增加,膜厚減小,致密度增加,絕緣電阻和擊穿電壓亦增加,選擇最佳頻率為1000Hz。在不同的微弧氧化處理時間下,膜厚和粗糙度隨著處理時間增大而增加,導(dǎo)熱系數(shù)的變化規(guī)律為λ30λ20λ10λ45,考慮到處理時間為30min時膜層的絕緣電阻和擊穿電壓達(dá)到最大值,本實驗中選擇30min為最佳處理時間。
【學(xué)位授予單位】：長安大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN312.8

【引證文獻(xiàn)】

相關(guān)會議論文 前1條

1 劉彤;;一種新型的功率電路基板[A];第十四屆全國混合集成電路學(xué)術(shù)會議論文集[C];2005年

，

本文編號：2654661