發(fā)布時(shí)間：2020-05-08 08:00

【摘要】：本文提出以苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene,BCB)或硅為介質(zhì)層材料,用碳納米管(Carbon Nanotube,CNT)填充的屏蔽型硅通孔(Shielded Through-Silicon Vias,S-TSV)結(jié)構(gòu),利用等效傳輸線模型計(jì)算了其正向傳輸系數(shù)和衰減常數(shù),分析了量子電容(Quantum Capacitance,Cq)對(duì)S-TSV傳輸性能的影響。研究發(fā)現(xiàn),Cq能改善以BCB為介質(zhì)層,填充多壁碳納米管束(Multi-walled carbon nanotube bundle,MWCNTB)的S-TSV高于20GHz頻段的傳輸性能。此外,Cq可以明顯提升以硅為介質(zhì)層的S-TSV的傳輸性能,且Cq的溫度效應(yīng)能與硅電導(dǎo)的溫度效應(yīng)平衡,從而提高S-TSV的熱穩(wěn)定性。

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本文編號(hào)：2654373