基于光纖光柵的Sagnac光纖光子器件研究
【圖文】:
圖 1-1 K.O.Hill 等人制作光纖光柵的裝置1993 年,P. J .Lemaire[17]等人在文章中發(fā)明了基于低溫高壓的載氫技術(shù)。該方法光纖置入 20~75℃、20~750 大氣壓的氫氣之中,在這種環(huán)境下氫氣分子可以擴(kuò)光纖的內(nèi)部,之后進(jìn)行光纖光柵的刻寫(xiě)。通過(guò)這種方法刻寫(xiě)的光纖光柵,大大提高
并通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證。圖1-2 是以光纖耦合器和 Sagnac 效應(yīng)為基礎(chǔ)構(gòu)成的 Sagnac 干涉儀的結(jié)構(gòu)圖。使用光纖將光纖耦合器的 2 個(gè)輸出口相連,形成一個(gè)閉合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。光從光纖耦合器的 2 個(gè)端口分別入射,這兩束光具有相反的傳輸方向,沿閉合環(huán)狀結(jié)構(gòu)一周后在耦合器發(fā)生干涉。圖 1-2 光纖 Sagnac 干涉儀結(jié)構(gòu)圖
【學(xué)位授予單位】:天津理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類(lèi)號(hào)】:TN253
【參考文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):2615606
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