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薄膜體聲波諧振器的伽馬輻照敏感機理分析

發(fā)布時間:2020-04-03 17:58
【摘要】:實驗證明薄膜體聲波諧振器(FBAR)用于檢測伽馬輻照是可行的,但未對敏感機理進行深入研究。針對這一問題,根據(jù)兩種不同的FBAR結(jié)構(gòu),提出了不同機理來解釋FBAR在伽馬輻照下諧振頻率偏移的原因。其中結(jié)構(gòu)一FBAR為四層疊層結(jié)構(gòu)(金屬層-壓電層-氧化層-金屬層),伽馬輻照之后,會在輻照敏感層(氧化層)形成一個電壓,相當于給壓電層施加了一個直流電壓,從而使諧振頻率發(fā)生偏移;結(jié)構(gòu)二與結(jié)構(gòu)一不同的是,結(jié)構(gòu)二FBAR在氧化層和壓電層之間有一半導體層,輻照之后在氧化層中形成的電壓改變了半導體的表面勢,使半導體空間電荷層電容發(fā)生改變,從而改變諧振頻率。通過仿真得到兩種不同機理的結(jié)果,并與相關文獻的測試結(jié)果對比,發(fā)現(xiàn)頻率偏移的趨勢和頻率偏移量的數(shù)量級是相同的,因此提出來的兩種機理是可行的。
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本文編號:2613521

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