【摘要】：研究了同步對(duì)稱雙柵氧化銦鎵鋅薄膜晶體管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)的溝道電勢(shì),利用表面電勢(shì)邊界方程聯(lián)合Lambert函數(shù)推導(dǎo)得到了器件溝道電勢(shì)的解析模型.該模型考慮了IGZO薄膜中存在深能態(tài)及帶尾態(tài)等缺陷態(tài)密度,能夠同時(shí)精確地描述器件在亞閾區(qū)(sub-threshold)與開啟區(qū)(above threshold)的電勢(shì)分布.基于所提出的雙柵IGZO TFT模型,討論了不同厚度的柵介質(zhì)層和有源層時(shí),柵-源電壓對(duì)雙柵IGZO TFT的表面勢(shì)以及中心勢(shì)的調(diào)制效應(yīng).對(duì)比分析了該模型的計(jì)算值與數(shù)值模擬值,結(jié)果表明二者具有較高的符合程度.

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