發(fā)布時間：2019-11-21 13:54

【摘要】：基于半導體仿真軟件Silvaco TCAD對薄膜晶體管(TFT)進行器件仿真,并結合實驗驗證,重點分析不同絕緣層材料及結構對TFT器件性能的影響。仿真及實驗所用薄膜晶體管為底柵電極結構,溝道層采用非晶IGZO材料,絕緣層采用SiN_x和HfO_2多種不同組合的疊層結構。仿真及實驗結果表明:含有高k材料的柵絕緣層疊層結構較單一SiN_x絕緣層結構的TFT性能更優(yōu);對SiN_x/HfO_2/SiN_x柵絕緣層疊層結構TFT,HfO_2取40nm較為合適;對含有高k材料的3層和5層絕緣層疊層結構TFT,各疊層厚度相同的對稱結構TFT性能最優(yōu)。本文通過仿真獲得了TFT性能較優(yōu)的器件結構參數(shù),對實際制備TFT器件具有指導作用。

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