【摘要】：基于微波等離子體化學(xué)氣相淀積生長(zhǎng)的單晶金剛石制作了柵長(zhǎng)為2μm的耗盡型氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并對(duì)器件特性進(jìn)行了分析.器件的飽和漏電流在柵壓為-6 V時(shí)達(dá)到了96 mA/mm,但是在-6 V時(shí)柵泄漏電流過(guò)大.在-3.5 V的安全工作柵壓下,飽和漏電流達(dá)到了77 mA/mm.在器件的飽和區(qū),寬5.9 V的柵電壓范圍內(nèi),跨導(dǎo)隨著柵電壓的增加而近線性增大到30 mS/mm.通過(guò)對(duì)器件導(dǎo)通電阻和電容-電壓特性的分析,氫終端單晶金剛石的二維空穴氣濃度達(dá)到了1.99×10~(13)cm~(-2),并且遷移率和載流子濃度均隨著柵壓向正偏方向的移動(dòng)而逐漸增大.分析認(rèn)為,溝道中高密度的載流子、大的柵電容以及遷移率的逐漸增加是引起跨導(dǎo)在很大的柵壓范圍內(nèi)近線性增加的原因.

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